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公开(公告)号：CN101454892A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019310.6
申请日：2007-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8247 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L21/3143 , H01L21/31612 , H01L21/31637 , H01L21/31645 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/4908 , H01L29/66825 , H01L29/78603 , H01L29/7881
Abstract: 目的在于提供一种制造具有优良膜特性的绝缘膜的技术。具体来说，目的在于提供一种制造具有高耐受电压的致密绝缘膜的技术。此外，目的在于提供一种制造具有极少电子陷阱的绝缘膜的技术。在包含氧的气氛中、电子密度为1×1011cm－3或以上以及电子温度为1.5eV或以下的条件下，使含氧绝缘膜经过使用高频的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN101339899A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810137910.9
申请日：2008-07-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明的目的在于提供一种SOI衬底的制造方法，该SOI衬底具备即使在使用玻璃衬底等的耐热温度低的衬底时也可以承受实际工作的半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用这种SOI衬底的具有高性能的半导体装置。使用波长为365nm以上且700nm以下的光来对从半导体衬底分离且接合到具有绝缘表面的支撑衬底上的半导体层照射光，并且在将光波长及半导体层的折射率分别设定为λ(nm)及n，m是1以上的自然数(m＝1、2、3、4…)，并且满足0≤α≤10的情况下，照射光的半导体层的厚度d(nm)满足d＝λ/2n×m±α(nm)。可以对半导体层以半导体层的光吸收率大的最适合条件照射能够在半导体层中反射并共振而进行加热处理的光。
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公开(公告)号：CN117999684A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280064348.X
申请日：2022-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/04 , H01G11/06 , H01G11/08 , H01G11/10 , H01G11/78 , H01M10/48 , H01M10/615 , H01M10/617 , H01M10/625 , H01M10/633 , H01M10/643 , H01M10/647 , H01M10/6555 , H01M50/105 , H01M50/249
Abstract: 提供一种不容易受到环境温度的影响的蓄电装置。提供一种在低温环境下也可以进行充放电的蓄电装置。在蓄电装置中，即使在低温下也可以进行充放电的第一二次电池与通常的第二二次电池相邻。具有这种结构的蓄电装置在低温环境下可以将伴随在低温下也可以进行充放电的二次电池的充放电所产生的热用作内部热源。具体而言，本发明的一个方式是一种以相邻的方式包括第一二次电池和第二二次电池的蓄电装置，其中第一二次电池具有柔性，以‑40℃放电时的放电容量的值是以25℃放电时的放电容量的值的50％以上。
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公开(公告)号：CN116685557A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180083580.3
申请日：2021-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01B25/45
Abstract: 本发明的一个方式提供一种充放电所导致的劣化少的正极及二次电池。提供一种电极密度高的正极及二次电池。另外，提供一种速率特性良好的正极及二次电池。正极包括正极活性物质以及覆盖材料，正极活性物质的表面的至少一部分被覆盖材料覆盖，正极活性物质包含含有镁、氟、铝及镍的钴酸锂，钴酸锂的表层部包括选自所述镁、所述氟及所述铝中的任一个或多个的浓度最大的区域。覆盖材料优选为选自玻璃、碳黑、石墨烯及石墨烯化合物中的一个以上。
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公开(公告)号：CN116438671A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180077206.2
申请日：2021-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/02
Abstract: 本发明的一个方式提供一种在高电位状态及/或高温状态下稳定的二次电池。二次电池包括正极及负极，正极和负极中的任一方或双方包含活性物质及具有结晶结构的复合化合物。复合化合物被用作粘合剂。此外，也可以将复合化合物用作电解质。具有结晶结构的复合化合物典型地包含分子结晶。此外，具有结晶结构的复合化合物可以在以第一化合物与第二化合物的混合物熔化的温度以上的温度加热的同时进行混合来得到。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116195080A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180061271.6
申请日：2021-07-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/13
Abstract: 本发明的一个方式实现能够使二次电池的制造自动化的制造方法。此外，实现能够以短时间高效地制造二次电池的制造方法。另外，实现能够以高成品率制造二次电池的制造方法。或者，实现制造尺寸较大的大型二次电池时的制造方法。在正极、隔离体和负极中的任一个或多个上滴加电解质，正极、隔离体和负极中的任一个或多个浸渍有电解质之后进行减压，由外包薄膜使正极、隔离体及负极的叠层体密封。在外包薄膜上排列多个叠层体，在叠层体上滴加多滴电解质，在减压下进行密封之后，使外包薄膜分断，由此也可以使二次电池分离。
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公开(公告)号：CN112614970A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011484535.2
申请日：2012-12-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/66 , H01M4/70 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的一个方式提供一种锂二次电池，在该锂二次电池中，充放电容量大，能够进行急速充放电，且充放电所导致的电池特性的劣化少。一种负极，该负极包括集电体及负极活性物质层，其中，集电体具有在实质上垂直的方向延伸的多个突起部及与多个突起部连接的基础部，突起部及基础部包括含有钛的共同材料，并且，基础部的顶面及突起部的至少侧面被负极活性物质层覆盖。另外，负极活性物质也可以被石墨烯覆盖。
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公开(公告)号：CN102646698A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210130042.8
申请日：2008-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L27/1214 , H01L29/4908 , H01L29/66772 , H01L29/78603 , H01L29/78654
Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。
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公开(公告)号：CN101796613B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880106523.7
申请日：2008-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L27/1214 , H01L29/4908 , H01L29/66772 , H01L29/78603 , H01L29/78654
Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。
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公开(公告)号：CN100499040C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200410061738.5
申请日：2004-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/318 , H01L21/311 , G02F1/136 , H05B33/00 , G09F9/30
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , H01L21/02274 , H01L21/3185 , H01L27/3244 , H01L51/0022 , H01L51/5228 , H01L51/5253
Abstract: 本发明提供通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法，该氮化硅膜可以形成在热敏元件上以及电致发光元件上，并具有优良的阻挡特性。此外，本发明也提供了使用该氮化硅膜形成的半导体器件、显示器件和发光显示器件。在通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法中，在沉积过程中将硅烷(SiH4)、氮气(N2)和稀有气体引入沉积室中，并且反应压强在0.01Torr～0.1Torr的范围内。
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