公开(公告)号：CN1577767A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410061738.5

申请日：2004-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  挂端哲弥 ,  竹原裕一

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/311 ,  G02F1/136 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5253

Abstract: 本发明提供通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法，该氮化硅膜可以形成在热敏元件上以及电致发光元件上，并具有优良的阻挡特性。此外，本发明也提供了使用该氮化硅膜形成的半导体器件、显示器件和发光显示器件。在通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法中，在沉积过程中将硅烷(SiH4)、氮气(N2)和稀有气体引入沉积室中，并且反应压强在0.01Torr～0.1Torr的范围内。

公开(公告)号：CN100499040C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200410061738.5

申请日：2004-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  挂端哲弥 ,  竹原裕一

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/311 ,  G02F1/136 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5253

Abstract: 本发明提供通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法，该氮化硅膜可以形成在热敏元件上以及电致发光元件上，并具有优良的阻挡特性。此外，本发明也提供了使用该氮化硅膜形成的半导体器件、显示器件和发光显示器件。在通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法中，在沉积过程中将硅烷(SiH4)、氮气(N2)和稀有气体引入沉积室中，并且反应压强在0.01Torr～0.1Torr的范围内。