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公开(公告)号：CN1825654A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610005127.8
申请日：2006-01-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/48 , H01L51/42 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: G04C10/02 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。
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公开(公告)号：CN111201444A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201880065831.3
申请日：2018-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 蓄电装置难以掌握剩余量及劣化状况，并且难以预测使用寿命。通过作为学习用数据使用在放电的中途进行充电来充满电的数据，以算出劣化状态及电容。就是说，学习用数据包括放电中途的放电曲线和充电中途的充电曲线的双方，使用该学习用数据进行神经网络处理。
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公开(公告)号：CN103456686B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310052224.2
申请日：2008-02-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02565 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/283 , H01L27/3258 , H01L27/3274 , H01L28/40 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度（低于500℃）的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度（低于500℃）的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。
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公开(公告)号：CN101937932B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201010219834.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L29/04 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。
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公开(公告)号：CN102522462B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210008282.0
申请日：2006-01-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: G04C10/02 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳电池和半导体器件以及其制造方法，目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103987146A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410220695.4
申请日：2009-03-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/3262
Abstract: 简化安装在EL显示装置的薄膜晶体管的制造步骤。通过如下步骤形成薄膜晶体管，并且使用该薄膜晶体管制造EL显示装置：层叠第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜；在其上形成第一抗蚀剂掩模；进行第一蚀刻形成薄膜叠层体；对该薄膜叠层体进行带着侧面蚀刻的第二蚀刻形成栅电极层；使用第二抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层等。
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公开(公告)号：CN102077354A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980124788.4
申请日：2009-06-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 一种薄膜晶体管包括在栅极绝缘层和源区及漏区之间且至少在源区及漏区一侧的作为缓冲层的具有氮或NH基的非晶半导体层。与其沟道形成区域中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的导通电流可提高。此外，与其沟道形成区域具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的截止电流可降低。
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公开(公告)号：CN101677111A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910205017.X
申请日：2006-01-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/088 , H01L27/04 , H01L21/77 , G02F1/1368 , G09F9/33
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L51/0022 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法，其目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造技术。此外，另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。在喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有连续波状形状的侧端部分的导电层。
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公开(公告)号：CN100533808C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510007056.0
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0022 , G09G3/3208 , G09G3/3225 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3244 , H01L51/055 , H01L51/529
Abstract: 本发明通过提高材料的有效性以及简化步骤来提供了一种显示器件及其制造方法。本发明还提供了形成诸如用于形成显示器件的引线之类的图形的技术，使之具有极佳的可控性的预定形状。制造显示器件的方法包括以下步骤：形成疏液性区域；将激光束选择性地照射到疏液性区域，以形成亲液性区域；在亲液性区域中排放包含导电材料的合成物，以形成栅极电极层；在栅极电极层上形成栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上排放包含导电材料的合成物，以形成源极电极层和漏极电极层；以及在源极电极层或漏极电极层上形成像素电极层。
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公开(公告)号：CN101378082A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810212476.6
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1368
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。
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