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公开(公告)号：CN108701963A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680083224.0
申请日：2016-09-01
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 分布反馈型半导体激光器具有半导体层叠体和第一电极。上述半导体层叠体包括第一层、设置在上述第一层之上且能够通过子带间光跃迁射出激光的有源层、和设置在上述有源层之上的第二层。上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，该平坦部包括上述第二层的表面，该槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿着第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅。上述第一电极设于上述第一区域。
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公开(公告)号：CN101978207B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200880128096.2
申请日：2008-09-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: F21K7/00
CPC classification number: H01S5/0228 , F21K9/61 , F21Y2115/10 , H01S5/005 , H01S5/22 , H01S5/4056
Abstract: 一种发光器件包括：半导体激光元件(10)，具有用于出射激光的第一出射面；导光体(40)，被掩埋在支撑基底(20)的凹部(20a)中，导引从所述半导体激光元件(10)出射的激光，并具有入射面(40a)和第二出射面(40b)，所述激光进入所述入射面(40a)，行进通过所述导光体(40)的所述激光从所述第二出射面(40b)出射，所述导光体(40)的所述入射面(40a)为这样的曲面，该曲面使得在由所述激光的行进方向和所述激光的发光斑的短轴形成的面中所述激光的入射角在包括布儒斯特角的预定范围内；以及荧光物质(42)，被散布在所述导光体(40)中，吸收所述激光，并出射具有与所述激光的波长不同的波长的光。
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公开(公告)号：CN101978207A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200880128096.2
申请日：2008-09-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: F21K7/00
CPC classification number: H01S5/0228 , F21K9/61 , F21Y2115/10 , H01S5/005 , H01S5/22 , H01S5/4056
Abstract: 一种发光器件包括：半导体激光元件(10)，具有用于出射激光的第一出射面；导光体(40)，被掩埋在支撑基底(20)的凹部(20a)中，导引从所述半导体激光元件(10)出射的激光，并具有入射面(40a)和第二出射面(40b)，所述激光进入所述入射面(40a)，行进通过所述导光体(40)的所述激光从所述第二出射面(40b)出射，所述导光体(40)的所述入射面(40a)为这样的曲面，该曲面使得在由所述激光的行进方向和所述激光的发光斑的短轴形成的面中所述激光的入射角在包括布儒斯特角的预定范围内；以及荧光物质(42)，被散布在所述导光体(40)中，吸收所述激光，并出射具有与所述激光的波长不同的波长的光。
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公开(公告)号：CN100477421C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610101777.2
申请日：2006-07-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3216
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第1导电型覆层、设置于第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于第1导电型导层上的有源层、设置于有源层上的第2导电型导层、设置于第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述层分别由氮化物系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成；设置于有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由折射率与第1保护层不同的氮化物构成的第2保护层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114976857A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111042859.5
申请日：2021-09-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种使光输出提高的面发光型半导体发光装置。面发光型半导体发光装置具有：第1半导体层；发光层，设置在上述第1半导体层上；第2半导体层，设置在上述发光层上；凹凸构造，设置在上述第2半导体层上；第1金属层，将上述凹凸构造覆盖；以及第2金属层，设置在上述凹凸构造与上述第1金属层之间。上述第2金属层设置在上述凹凸构造处的凹部的底面、凸部的上表面及上述凸部的侧面中的某1个上，上述第2金属层相对于从上述发光层辐射的光的反射率比上述第1金属层相对于上述光的反射率低。
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公开(公告)号：CN110011182B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201810010147.7
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/32
Abstract: 本发明提供一种光子晶体内置基板及其制造方法、以及面发光量子级联激光器。光子晶体内置基板具有化合物半导体基板、电介质层、以及第1半导体层。所述电介质层设置于所述化合物半导体基板的表面，配置到二维衍射光栅的各个晶格结点。各电介质层具有相对于所述二维衍射光栅的边中的至少1个边非对称的形状，且具有比所述化合物半导体基板的折射率低的折射率。所述半导体层叠体覆盖所述电介质层和所述化合物半导体基板的所述表面且具有平坦的第1面，构成所述第1面的层包含可与构成所述化合物半导体基板的材料进行晶格匹配的材料。
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公开(公告)号：CN110021878B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810014182.6
申请日：2018-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器。量子级联激光器具有活性层、第1包层和第2包层、以及光引导层。活性层具有多个注入量子阱区域和多个发光量子阱区域。各注入量子阱区域和各发光量子阱区域交替地层叠。所述第1包层和第2包层以从两侧夹持所述活性层的方式设置，具有比所述各发光量子阱区域的实效折射率低的折射率。所述光引导层以将所述活性层沿着层叠方向一分为二的方式配置。所述光引导层具有比所述各发光量子阱区域的所述实效折射率高的折射率，具有比所述各发光量子阱区域的量子阱层的全部的阱层的厚度大的厚度。
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公开(公告)号：CN109428262B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201811029974.7
申请日：2018-09-05
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供提高了散热性、降低了从芯片侧面的光的泄漏的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有活性层和第1半导体层。第1半导体层设置在活性层之上，具有第1面。第1面包括由第1凹部构成第1二维光栅的内部区域以及由第2凹部构成第2二维光栅的外周区域。第1凹部的光栅间隔是第2凹部的光栅间隔的m倍。第1凹部的平面形状为，关于在第1平面形状的重心通过并且与第1二维光栅的至少1边平行的线非对称。第2凹部的平面形状为，关于在平面形状的重心通过并且与第2二维光栅的全部的边平行的线分别对称。激光具有与第2凹部的光栅间隔对应的发光波长并且从内部区域在与活性层大致垂直的方向上被放出。
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公开(公告)号：CN100587986C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200810004026.8
申请日：2008-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y10S362/80 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，包括发射激发光的发光元件和荧光元件。所述荧光元件包括面向发光元件的透射激发光的半透明膜；包括磷光体的发光膜，用来吸收透射穿过半透明膜的激发光、并发射波长不同于所述激发光的可见光；以及布置在其上布置有半透明膜的发光膜相反一侧上的反射膜，用来将透射穿过发光膜的激发光反射向发光膜。
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