公开(公告)号：CN110011182A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201810010147.7

申请日：2018-01-05

申请人： 株式会社东芝

发明人： 桥本玲 ,  斋藤真司 ,  角野努 ,  金子桂 ,  甲斐康伸 ,  冈田直忠

IPC分类号： H01S5/32

摘要： 本发明提供一种光子晶体内置基板及其制造方法、以及面发光量子级联激光器。光子晶体内置基板具有化合物半导体基板、电介质层、以及第1半导体层。所述电介质层设置于所述化合物半导体基板的表面，配置到二维衍射光栅的各个晶格结点。各电介质层具有相对于所述二维衍射光栅的边中的至少1个边非对称的形状，且具有比所述化合物半导体基板的折射率低的折射率。所述半导体层叠体覆盖所述电介质层和所述化合物半导体基板的所述表面且具有平坦的第1面，构成所述第1面的层包含可与构成所述化合物半导体基板的材料进行晶格匹配的材料。

公开(公告)号：CN109428262A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201811029974.7

申请日：2018-09-05

申请人： 株式会社东芝

发明人： 斋藤真司 ,  角野努 ,  桥本玲 ,  金子桂 ,  甲斐康伸

IPC分类号： H01S5/18 ,  H01S5/34

摘要： 本发明提供提高了散热性、降低了从芯片侧面的光的泄漏的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有活性层和第1半导体层。第1半导体层设置在活性层之上，具有第1面。第1面包括由第1凹部构成第1二维光栅的内部区域以及由第2凹部构成第2二维光栅的外周区域。第1凹部的光栅间隔是第2凹部的光栅间隔的m倍。第1凹部的平面形状为，关于在第1平面形状的重心通过并且与第1二维光栅的至少1边平行的线非对称。第2凹部的平面形状为，关于在平面形状的重心通过并且与第2二维光栅的全部的边平行的线分别对称。激光具有与第2凹部的光栅间隔对应的发光波长并且从内部区域在与活性层大致垂直的方向上被放出。

公开(公告)号：CN110011182B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201810010147.7

申请日：2018-01-05

申请人： 株式会社东芝

发明人： 桥本玲 ,  斋藤真司 ,  角野努 ,  金子桂 ,  甲斐康伸 ,  冈田直忠

IPC分类号： H01S5/32

摘要： 本发明提供一种光子晶体内置基板及其制造方法、以及面发光量子级联激光器。光子晶体内置基板具有化合物半导体基板、电介质层、以及第1半导体层。所述电介质层设置于所述化合物半导体基板的表面，配置到二维衍射光栅的各个晶格结点。各电介质层具有相对于所述二维衍射光栅的边中的至少1个边非对称的形状，且具有比所述化合物半导体基板的折射率低的折射率。所述半导体层叠体覆盖所述电介质层和所述化合物半导体基板的所述表面且具有平坦的第1面，构成所述第1面的层包含可与构成所述化合物半导体基板的材料进行晶格匹配的材料。

公开(公告)号：CN109428262B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201811029974.7

申请日：2018-09-05

申请人： 株式会社东芝

发明人： 斋藤真司 ,  角野努 ,  桥本玲 ,  金子桂 ,  甲斐康伸

IPC分类号： H01S5/18 ,  H01S5/34

摘要： 本发明提供提高了散热性、降低了从芯片侧面的光的泄漏的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有活性层和第1半导体层。第1半导体层设置在活性层之上，具有第1面。第1面包括由第1凹部构成第1二维光栅的内部区域以及由第2凹部构成第2二维光栅的外周区域。第1凹部的光栅间隔是第2凹部的光栅间隔的m倍。第1凹部的平面形状为，关于在第1平面形状的重心通过并且与第1二维光栅的至少1边平行的线非对称。第2凹部的平面形状为，关于在平面形状的重心通过并且与第2二维光栅的全部的边平行的线分别对称。激光具有与第2凹部的光栅间隔对应的发光波长并且从内部区域在与活性层大致垂直的方向上被放出。