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公开(公告)号：CN103403890B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201180069018.1
申请日：2011-08-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L23/498 , H01L33/50 , H01L33/52
CPC classification number: H01L33/36 , H01L21/28 , H01L23/49805 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、第一绝缘层（18）、p侧互连层、n侧互连层、和第二绝缘层（25）。半导体层包括第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层。p侧电极（16）设置在第二表面上的包括发光层的区域中。n侧电极（17）设置在第二表面上的不包括发光层的区域中。p侧互连层包括在第三表面（30）处从该第二绝缘层（25）暴露出的p侧外部端子（23a），该第三表面具有的平面取向不同于第一表面的平面取向和第二表面的平面取向。该n侧互连层包括在第三表面（30）处从第二绝缘层（25）暴露出的n侧外部端子（24a）。
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公开(公告)号：CN104037299A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310511836.3
申请日：2013-09-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/502 , H01L33/0079 , H01L33/501 , H01L33/504 , H01L2933/0041
Abstract: 根据一实施例，半导体发光元件包括在第一方向延伸的第一导电柱、在第一方向延伸的第二导电柱、设置在第一导电柱上的第一导电类型的第一半导体层、设置在第一半导体层上的发光层、设置在发光层上和第二导电柱上的第二导电类型的第二半导体层、覆盖第一导电柱的侧表面和第二导电柱的侧表面的密封单元、以及设置在第二半导体层上并具有透光性的透光层。透光层的上表面部分的硬度高于上表面部分与第二半导体层之间的下部的硬度。
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公开(公告)号：CN102881811A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210241739.2
申请日：2012-07-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/46 , H01L24/96 , H01L33/54 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267
Abstract: 根据一实施例，半导体发光器件包括叠置体、第一电极、第二电极、反射层、第一金属柱、第二金属柱以及密封单元。所述叠置体包括第一和第二半导体层以及发光单元。所述发光单元设置在第二部分和第二半导体层之间。所述第一电极设置在所述第一半导体层上。所述第二电极设置在所述第二半导体层上。所述反射层覆盖所述叠置体的侧表面，并且所述反射层是绝缘的和反射的。所述第一金属柱电连接至所述第一电极。所述第二金属柱电连接至所述第二电极。所述密封单元密封所述第一金属柱和所述第二金属柱，使得所述第一金属柱的端部和所述第二金属柱的端部被暴露。
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公开(公告)号：CN102694113A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210075913.0
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括叠置体、第一和第二电极、第一和第二互连、第一和第二柱以及第一绝缘层。叠置体包括第一和第二半导体层和发光层。第一和第二电极分别连接到第一和第二半导体层。第一和第二互连分别连接到第一和第二电极。第一和第二柱分别连接到第一和第二互连。第一绝缘层设置在所述互连和所述柱上。第一和第二柱具有在第一绝缘层的表面中暴露的第一和第二监视焊盘。第一和第二互连具有在与第一绝缘层的所述表面连接的侧面中暴露的第一和第二键合焊盘。
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公开(公告)号：CN102190279A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110057139.6
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B81B7/00
CPC classification number: H01L29/84 , H01L2224/11
Abstract: 根据一个实施例，半导体装置包括：基板；设置于基板上的有机绝缘膜；形成于该有机绝缘膜上的比该有机绝缘膜薄的无机绝缘膜；中空密封结构，其被形成于无机绝缘膜上，并且将MEMS元件密封于其里面，同时保证中空密封结构自身和MEMS元件之间的空间；被形成用以贯通有机绝缘膜和无机绝缘膜的贯通孔；导电构件，其被充填入贯通孔内，并且电连接MEMS元件和通过被充填入贯通孔内而形成的电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101254892A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810082278.2
申请日：2008-02-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81B7/0077 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在具有MEMS部的半导体装置中可以提高制造成品率并提高生产率，并且确保高可靠性。该半导体装置具有：半导体基板(2)；MEMS部(3)，形成于半导体基板(2)表面；以及，盖部，与MEMS部(3)离开距离配置，覆盖MEMS部(3)地设置于半导体基板(2)的表面；上述盖部由包围MEMS部(3)的侧壁区域(E)和具有中空层且同半导体基板(2)及侧壁区域(E)一起形成封闭空间的顶板区域(F)构成。
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公开(公告)号：CN112542313B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010913133.3
申请日：2020-09-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式涉及电容器。提供一种能够实现较大的电容量的电容器。实施方式的电容器(1)具备：导电基板(CS)，具有第一主面(S1)与第二主面(S2)，在第一主面(S1)的一部分的区域设有一个以上的第一凹部(R1)，在第二主面(S2)中的与第一主面(S1)的上述一部分的区域和第一主面(S1)的其他一部分的区域对应的区域设有一个以上的第二凹部(R2)；导电层(20b)，覆盖第一主面(S1)、第二主面(S2)、第一凹部(R1)的侧壁及底面以及第二凹部(R2)的侧壁及底面；电介质层(30)，夹设于导电基板(CS)与导电层(20b)之间；第一内部电极(70a)，设于第一主面(S1)的上述一部分的区域上，并与导电层(20b)电连接；以及第二内部电极(70b)，设于第一主面(S1)的上述其他一部分的区域上，并与导电基板(CS)电连接。
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公开(公告)号：CN112542313A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010913133.3
申请日：2020-09-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式涉及电容器。提供一种能够实现较大的电容量的电容器。实施方式的电容器(1)具备：导电基板(CS)，具有第一主面(S1)与第二主面(S2)，在第一主面(S1)的一部分的区域设有一个以上的第一凹部(R1)，在第二主面(S2)中的与第一主面(S1)的上述一部分的区域和第一主面(S1)的其他一部分的区域对应的区域设有一个以上的第二凹部(R2)；导电层(20b)，覆盖第一主面(S1)、第二主面(S2)、第一凹部(R1)的侧壁及底面以及第二凹部(R2)的侧壁及底面；电介质层(30)，夹设于导电基板(CS)与导电层(20b)之间；第一内部电极(70a)，设于第一主面(S1)的上述一部分的区域上，并与导电层(20b)电连接；以及第二内部电极(70b)，设于第一主面(S1)的上述其他一部分的区域上，并与导电基板(CS)电连接。
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公开(公告)号：CN110637359A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201980002456.2
申请日：2019-01-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/822 , H01G4/33 , H01L27/04
Abstract: 提供一种能够实现大的电容量的电容器。实施方式的电容器(1A)包括：基板(10)，具有第一面与第二面，设置有一个以上的贯通孔(TH1)，该一个以上的贯通孔(TH1)分别从所述第一面延伸至所述第二面；第一导电层(20a)，覆盖所述第一面、所述第二面以及所述一个以上的贯通孔(TH1)的侧壁；第二导电层(20b)，隔着所述第一导电层(20a)而与所述第一面、所述第二面以及所述一个以上的贯通孔(TH1)的侧壁相对；以及电介质层(50)，夹设于所述第一导电层(20a)与所述第二导电层(20b)之间。
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公开(公告)号：CN105990506A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610012015.9
申请日：2016-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/62
Abstract: 本发明提供包含半导体部、第一金属柱、第二金属柱及绝缘层的半导体发光装置。半导体部包含第一面、第二面及发光层。第二面包含与发光层重叠的第一区域及不与发光层重叠的第二区域。第一金属柱与第二区域电性连接。第一金属柱包含第一金属层及第二金属层。第二金属层的硬度比第一金属层的硬度硬。第一金属层设置在第二面与第二金属层的至少一部分之间。第二金属柱在第二方向与第一金属柱并排，与第一区域电性连接，第二方向与从第一面朝向第二面的第一方向交叉。第二金属柱包含第三金属层及第四金属层。第四金属层的硬度比第三金属层的硬度硬。第三金属层设置在第二面与第四金属层的至少一部分之间。绝缘层设置在第一金属柱与第二金属柱之间。
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