工序管理方法以及电子装置的制造方法

    公开(公告)号:CN101266484B

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200710199792.X

    申请日:2007-12-14

    Abstract: 提供一种在基板上钎焊部件而制造电子装置的表面安装生产线的高精度的工序管理方法、使用该工序管理方法的数据登记程序以及使用该工序管理方法的电子装置的制造方法。焊料印刷检查装置(12)、安装检查装置(14)、钎焊检查装置(16)分别将“印刷完成状况数据”、“安装完成状况数据”、“钎焊良否数据”存储在主存储装置(21)中。数据登记工具(22)从主存储装置(21)读入数据,根据“印刷完成状况数据”对每个部件(103)算出“代表数据”,并将其与其他数据一起对每个部件(103)存储在辅助存储装置(23)中。SPC工具(24)基于辅助存储装置(23)中存储的良品数据,判定焊料印刷装置(11)和安装装置(13)是否需要调整。

    热电直接变换装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100414731C

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200510118608.5

    申请日:2005-10-31

    CPC classification number: H01L35/32 H01L35/04

    Abstract: 一种热电直接变换装置,其形成有多个热电直接变换半导体对,其中每个热电直接变换半导体对包括一个p型半导体和一个n型半导体;多个高温电极和多个低温电极,其中每个高温电极和低温电极电连接所述p型半导体和所述n型半导体;高温绝缘板和低温绝缘板,其中每个高温绝缘板和低温绝缘板分别通过所述多个高温电极或所述多个低温电极与所述多个热电直接变换半导体对热连接;至少一个扩散阻挡层,其位于所述高温电极或低温电极与所述热电直接变换半导体对之间,且整个装置气密密封在含有真空或惰性气体气氛的气密壳内,从而防止了电极与半导体对之间的扩散,以提供一种在长时间内表现出优异的发电性能的热电变换装置。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101254892A

    公开(公告)日:2008-09-03

    申请号:CN200810082278.2

    申请日:2008-02-29

    CPC classification number: B81B7/0077 B81C2203/0136 B81C2203/0145

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,在具有MEMS部的半导体装置中可以提高制造成品率并提高生产率,并且确保高可靠性。该半导体装置具有:半导体基板(2);MEMS部(3),形成于半导体基板(2)表面;以及,盖部,与MEMS部(3)离开距离配置,覆盖MEMS部(3)地设置于半导体基板(2)的表面;上述盖部由包围MEMS部(3)的侧壁区域(E)和具有中空层且同半导体基板(2)及侧壁区域(E)一起形成封闭空间的顶板区域(F)构成。

    基于无铅焊锡的电子电路安装布线衬底的制造方法

    公开(公告)号:CN1505460A

    公开(公告)日:2004-06-16

    申请号:CN200310119728.8

    申请日:2003-12-03

    Abstract: 本发明提供一种防止由焊接不良的发生而引起的成品率下降的基于无铅焊锡的电子电路安装布线衬底的制造方法。包括:调查搭载的元件的步骤、调查印刷电路板的步骤、调查批量生产设备的步骤、根据这些信息据定无铅焊锡的组成的步骤;选定焊膏或焊剂的步骤、使工艺条件适合化的步骤、根据在这些步骤中取得的评价而判定所述工艺条件是否具有实用性的步骤;使焊接的温度曲线最佳化的步骤、验证产品的步骤、研究是否发生焊接不良并判定作为无铅化的技术是否适当的步骤;进行批量生产性的验证的步骤、进行批量生产管理基准的制作和确认的步骤、在这些步骤中是否确立了批量生产技术的步骤。

    半导体装置及其制造方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101254892B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200810082278.2

    申请日:2008-02-29

    CPC classification number: B81B7/0077 B81C2203/0136 B81C2203/0145

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,在具有MEMS部的半导体装置中可以提高制造成品率并提高生产率,并且确保高可靠性。该半导体装置具有:半导体基板(2);MEMS部(3),形成于半导体基板(2)表面;以及,盖部,与MEMS部(3)离开距离配置,覆盖MEMS部(3)地设置于半导体基板(2)的表面;上述盖部由包围MEMS部(3)的侧壁区域(E)和具有中空层且同半导体基板(2)及侧壁区域(E)一起形成封闭空间的顶板区域(F)构成。

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