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公开(公告)号:CN101086539A
公开(公告)日:2007-12-12
申请号:CN200710110317.0
申请日:2007-06-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/30 , B29D11/0073 , C08K3/22 , C08K7/18 , C09J11/04 , C09J129/04 , C09J2429/00 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02F2202/28 , Y10T428/1041 , Y10T428/25 , Y10T428/28 , Y10T428/2848 , Y10T428/2878
Abstract: 本发明提供一种可以抑制裂点的发生的偏振片用胶粘剂,是用于在偏振镜的至少一面设置透明保护薄膜的偏振片用胶粘剂,其特征在于,上述偏振片用胶粘剂是含有聚乙烯醇系树脂、交联剂及平均粒径1~100nm的金属化合物胶体而成的树脂溶液,而且相对于聚乙烯醇系树脂100重量份,以200重量份以下的比例配合有金属化合物胶体。
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公开(公告)号:CN1993014A
公开(公告)日:2007-07-04
申请号:CN200610142538.1
申请日:2002-07-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G11B5/4853 , G11B5/486 , H05K1/056 , H05K3/28 , H05K3/328 , H05K3/4092
Abstract: 一种具有形成为细引出线的端子部分的布线电路板,此电路板通过简单的结构在露出的导电图形的两面上可以提供导电图形的增强部分,以便有效地防止导电图形的断开。在露出导电图形的两面中形成有细引出线的布线电路板在覆盖层侧开口和基层侧开口的端部和导电图形彼此相交的相交区中包含:(i)形成在导电图形中的加宽部分或(ii)分别在覆盖层和基层中形成的覆盖层侧突起和基层侧突起。
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公开(公告)号:CN1444435A
公开(公告)日:2003-09-24
申请号:CN03120062.1
申请日:2003-03-12
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H05K3/108 , H05K1/056 , H05K3/064 , H05K3/205 , H05K3/44 , H05K2201/09781 , H05K2203/0323 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155 , Y10T29/49158
Abstract: 本发明提供一种不需要特殊去除虚图形步骤并以很低的成本制造出具有厚度变化很小的电路图形的印刷电路板的生产方法。本发明的特征在于在支撑基底(1)的一个表面上形成给定图形的绝缘层(2),在绝缘层(2)上形成电路图形(6)的同时在支撑基底(1)的一个表面上没有绝缘层(2)的区域形成虚图形(7),然后通过溶解去除连同虚图形(7)在内的支撑基底(2)上没有绝缘层(2)和电路图形(6)的不需要部分。
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公开(公告)号:CN105683738B
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201480057429.2
申请日:2014-09-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G01N21/553 , G01N21/251 , G01N21/552 , G01N21/7703 , G01N2021/258 , G01N2201/08
Abstract: 提供了一种传感器元件,其在重复测量时展示出优异的测量精度。根据本发明的光波导(100)装配有包层(11)和芯层(12),所述芯层(12)埋设在所述包层(11)中以致所述芯层(12)的至少一个表面露出。所述包层的表面与所述芯层的露出的所述面的水接触角是80°以上。根据本发明的SPR传感器元件和比色传感器元件包括所述光波导(100)。
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公开(公告)号:CN103155705B
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201180048747.9
申请日:2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/12 , C23C14/562 , H01L51/0008 , H01L51/001
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件的制造方法。有机EL元件的制造方法包括蒸镀工序,在蒸镀工序中,供给基材,使该基材的非电极层侧与驱动而旋转的筒状辊表面相抵接而使该基材移动并自蒸镀源的喷嘴喷出气化的有机层形成材料,在上述基材的电极层侧形成有机层,在有机EL元件的制造方法中,使用能够对距被上述筒状辊支承的上述基材的第1距离进行测量的距离测量部、能够调整上述蒸镀源的喷嘴与上述基材的表面之间的第2距离的位置调整部,根据上述距离测量部的上述第1距离的测量结果一边利用上述位置调整部以使上述第2距离恒定的方式进行控制一边进行上述蒸镀工序。
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公开(公告)号:CN104769752A
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201380057156.7
申请日:2013-11-12
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01M4/604 , H01G11/38 , H01G11/48 , H01M4/137 , H01M4/366 , H01M4/608 , H01M10/052 , H01M2220/30 , Y02E60/13
Abstract: 本发明为具有电解质层和将其夹持而设置的正极和负极的蓄电装置,至少一者的电极为至少包含由离子的嵌入·脱嵌导致导电性变化的噻吩系聚合物(A)和聚羧酸(B)的复合体,且上述聚羧酸(B)被固定于电极内。因此,可以得到每单位重量活性物质的容量密度优异、高速充放电特性优异、高性能的蓄电装置。
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公开(公告)号:CN103875310A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201280050105.7
申请日:2012-08-24
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L51/0008 , C23C14/12 , C23C14/24 , H01L51/001 , H01L51/0081 , H01L51/5008 , H01L51/5012
Abstract: [课题]本发明提供可以较廉价地制造电特性优异的有机EL元件的方法。[解决手段]本发明为一种有机电致发光元件的制造方法,其中,所述有机电致发光元件具有:第1有机层和第2有机层这至少2个有机层、和在前述第1有机层和第2有机层之间的这两个层的形成材料混合而成的混合层,所述制造方法中,使用具备包含前述第1有机层的形成材料的第1蒸镀源(721)、和包含前述第2有机层的形成材料的第2蒸镀源(722)的蒸镀装置(7),使自前述第1蒸镀源(721)气化的第1有机层的形成材料撞击于基板(73)的被处理面而在基板(73)的被处理面上形成第1有机层,然后,在前述第1有机层的形成材料处于迁移状态中时,使自前述第2蒸镀源(722)气化的第2有机层的形成材料向前述第1有机层撞击而进行蒸镀。
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公开(公告)号:CN103493593A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201280020020.4
申请日:2012-04-06
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L51/5012 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/562 , H01L51/0002 , H01L51/0004 , H01L51/56 , H01L2251/55 , H05B33/10
Abstract: 本发明涉及一种有机EL元件的制造方法,其包含如下的蒸镀工序:通过使气化了的有机层形成材料从喷嘴喷出,在相对移动的基材上形成有机层;在该蒸镀工序中,形成由前述有机层构成且具有与基材移动方向垂直的方向上的宽度A(mm)的发光区域,并且在将前述喷嘴的开口部的在与前述基材移动方向垂直的方向上的长度设为W(mm)、将前述开口部与前述基材的距离设为h(mm)时,满足式子W≥A+2×h(其中,h≤5mm。)。
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公开(公告)号:CN102610763A
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN201110430993.2
申请日:2011-12-20
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L51/0011 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/562 , H01L51/0012 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供有机EL元件的制造方法和制造装置。有机EL元件的制造方法具有蒸镀工序,在蒸镀工序中,供给基材,使该基材的非电极层侧与筒辊的表面抵接而使该基材移动,并且自蒸镀源的喷嘴喷出汽化后的有机层形成材料,在上述基材的电极层侧形成有机层,在上述蒸镀工序中,以使具有开口部的荫罩介于上述喷嘴和抵接于上述筒辊的上述基材之间的方式,供给该荫罩,使设在上述基材和上述荫罩上的通孔与设在上述筒辊上的卡合突起部卡合,从而使上述基材和荫罩移动,并且在上述基材的电极层侧形成与上述开口部相对应的有机层。
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公开(公告)号:CN101853793A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN201010149352.5
申请日:2010-03-26
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/6835 , H01L2221/68372 , H01L2224/02319 , H01L2224/0401 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。具有至少布线部和绝缘部的布线电路层(2)以使得该层(2)能够从金属支撑衬底(1)被剥离的方式形成在衬底(1)上,布线电路层的顶表面和底表面(20A,20B)是粘合表面。在布线电路层(2)的第一粘合表面(20A)中暴露第一连接导体部(21),其可与晶片状态的第一半导体元件(3)的电极31连接。在布线电路层(2)层压在并连接到元件(3)后,金属支撑衬底(1)从布线电路层(2)被剥离以产生半导体器件(4)。另一个元件可以连接到剥离后暴露的另一个粘合表面(20B)。
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