组合微机电器件
    21.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217808767U

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202221280850.8

    申请日:2022-05-25

    Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及组合微机电器件。一种用于制造组合微机电器件的方法包括:在半导体材料的管芯中形成至少第一微机电结构和第二微机电结构;执行第一结合阶段以经由结合区域或粘合剂将盖结合到管芯以至少分别在第一微机电结构和第二微机电结构处限定第一腔和第二腔,腔处于受控压力下;形成通过盖的与第一腔流体连通的进入通道,以便关于第二腔内的相应压力值以不同方式来控制第一腔内的压力值;以及执行第二结合阶段,之后,结合区域变形以关于进入通道气密地封闭第一腔。本实用新型的实施例提供了一种制造成本低廉的组合微机电器件。

    MEMS设备
    22.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220766509U

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202321798138.1

    申请日:2023-07-10

    Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS设备。MEMS设备包括:半导体主体,限定主腔,并且形成锚固结构;以及第一可变形结构,沿第一轴具有彼此相对的第一端和第二端,第一可变形结构经由第一端而被固定到锚固结构,以被悬置在主腔之上。第二端被配置为相对于锚固结构,沿第二轴振荡。第一可变形结构包括具有第一外表面和第二外表面的主体,以及在第一外表面之上延伸的压电结构。主体包括沿第二轴界定第一掩埋腔的底部部分和顶部部分,第一掩埋腔沿第二轴与压电结构对准,其中主体的顶部部分沿第二轴的最大厚度小于主体的底部部分沿第二轴的最小厚度。

    压电式微机械超声换能器PMUT器件以及电子系统

    公开(公告)号:CN215902133U

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202120480887.4

    申请日:2021-03-05

    Abstract: 本公开的实施例涉及压电式微机械超声换能器PMUT器件以及电子系统。一种压电式微机械超声换能器PMUT器件,其特征在于,包括:硅基底;膜元件,被配置为通过以共振频率关于平衡位置振荡来生成超声波和接收超声波;锚定部分,将膜元件固定到硅基底,以及压电元件,在膜元件上,压电元件被配置为:当电信号被施加至压电元件时,引起膜元件振荡,以及响应于膜元件的振荡生成电信号,其中,膜元件和锚定部分由单晶硅制成。利用本公开的实施例,在完成的PMUT器件中得到的膜元件的厚度非常精确,并且较少受到工艺失配的影响。

    换能器和MEMS设备
    24.
    实用新型

    公开(公告)号:CN214154836U

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202022312262.5

    申请日:2020-10-16

    Abstract: 公开了一种换能器和MEMS设备。换能器包括支撑体和机械地耦合到支撑体的悬置结构。悬置结构具有沿轴线彼此相对的第一表面和第二表面,并且被配置为在具有与轴线平行的至少一个分量的振荡方向上振荡。第一压电换能器被布置在该悬置结构的第一表面上,并且第二压电换能器被布置在该悬置结构的第二表面上。本公开的换能器和MEMS设备克服了悬置结构的翘曲或偏转的缺陷,提高了可靠性。

    微机电按钮器件、用户接口元件及其电子装置

    公开(公告)号:CN220856393U

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202322141970.0

    申请日:2023-08-10

    Abstract: 本实用新型涉及一种微机电按钮器件、用户接口元件及其电子装置,包括:半导体材料的衬底、掩埋电极、结构层和帽。半导体材料的衬底具有前表面和后表面,前表面和后表面在水平面中具有延伸部,并且沿垂直于水平面的竖直轴线彼此相对;掩埋电极,在衬底上;结构层,包括移动电极,移动电极覆盖衬底,并且以分离距离弹性地悬置在掩埋电极上方以形成检测电容器;以及帽,耦合到结构层,并且具有面对结构层的第一主表面以及沿竖直轴线与第一主表面相对的第二主表面,帽被设计为机械耦合到电子装置的外壳的可变形部分,其中帽在第一主表面上具有致动部分。

    半导体裸片以及电子系统
    26.
    实用新型

    公开(公告)号:CN210030037U

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201920145463.5

    申请日:2019-01-28

    Abstract: 本公开涉及半导体裸片以及电子系统。半导体裸片包括:MEMS设备,包括具有通孔腔体的结构本体、在结构本体的第一侧处悬置在腔体之上的膜;以及过滤模块,在与第一侧相对的第二侧处直接耦合至结构本体,过滤模块的第一部分在腔体之上延伸,并且过滤模块的第二部分无缝地延伸为结构本体的延长部,其中过滤模块的第一部分包括多个通孔开口,多个通孔开口被配置为使腔体与半导体裸片的外部环境进行流体连通,并且同时阻挡污染颗粒从外部环境传到声室。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    声学换能器装置和电子系统

    公开(公告)号:CN208836409U

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201821508057.2

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 本实用新型公开了声学换能器装置和电子系统。所述声学换能器装置包括:封装,具有一起限定所述封装的内部空间的基础衬底和覆盖元件,所述基础衬底具有与所述封装外部的环境声学连通的声音端口;MEMS声学换能器,在所述封装的所述内部空间中,并且具有面向所述声音端口的声学室;以及过滤模块,在所述封装的所述内部空间中,并且被布置在所述MEMS声学换能器与所述声音端口之间,所述过滤模块包括具有与所述声音端口和所述声学室流体连接的多个贯通开口的过滤膜,所述过滤膜由半导体材料制成并且具有小于10μm的厚度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    用于电动致动器的定子
    28.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221009962U

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202321774086.4

    申请日:2023-07-07

    Abstract: 本公开的实施例涉及用于电动致动器的定子。用于电动致动器或电机的定子,包括:固体主体;铁磁芯区域,在半导体层之间,与半导体层电绝缘;多个导电通孔,穿过固体主体;第一多个导电带,在芯之上彼此平行地延伸;以及第二多个导电带,在芯之上彼此平行地延伸并且与第一多个导电带相对;其中第一多个导电带、多个导电通孔以及第二多个导电带形成定子的绕组或线圈。

    微机电遮蔽件与微机电装置

    公开(公告)号:CN220976584U

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202223176757.5

    申请日:2022-11-29

    Abstract: 本公开的实施例涉及微机电遮蔽件与微机电装置。微机电遮蔽件包括:由孔径通过的半导体衬底;第一和第二半导体层,形成固定到衬底的支撑结构;多个可变形结构,每个可变形结构由第一和第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成;多个致动器;多个屏蔽结构,每个屏蔽结构由第一和第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成,屏蔽结构围绕下层孔径成角度布置,以提供对孔径的屏蔽,每个屏蔽结构还经由可变形结构耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制为在第一和第二位置之间平移对应屏蔽结构,从而改变对孔径的屏蔽。利用本公开的实施例有利地减少屏蔽结构之间的重叠面积,从而减少下层主孔径的遮挡。

    微机电系统谐振器设备和谐振器结构

    公开(公告)号:CN213602620U

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN202022198948.6

    申请日:2020-09-29

    Abstract: 本公开的各实施例涉及微机电系统谐振器设备和谐振器结构。微机电谐振器设备具有:主体,具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和第二表面,并且由第一层和第二层制成,第二层被布置在第一层上;盖,具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和相应第二表面,并通过键合元件被耦合到主体;以及由移动元件、压电材料区域和顶部电极形成的压电谐振器结构,移动元件由第一层的谐振器部分构成、相对于第二层中提供的内部腔以悬臂方式悬置并且相对于盖中提供的壳体腔在相对侧悬置;压电材料区域被布置在主体的第一表面上的移动元件上;并且顶部电极被布置在压电材料区域上,移动元件构成压电谐振器结构的底部电极。根据本公开,提供了改进的谐振器。

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