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公开(公告)号：CN120048727A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510100174.3
申请日：2019-03-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , B·阿夫扎尔 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , V·卡尔塞卡尔 , S·托卡奇丘 , 爱德华四世·P·哈蒙德
IPC: H01L21/033 , C23C16/50 , C23C16/26 , C23C16/04 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311
Abstract: 在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些示例中，温度在从约300℃至约700℃的范围内，并且RF功率大于3kW至约7kW。方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN111463146B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN201911327919.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·S·C·帕里米 , Z·黄 , J·李 , S·拉达克里什南 , 程睿 , D·N·凯德拉亚 , J·C·罗查 , U·M·科尔卡 , K·杰纳基拉曼 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔 , B·S·权
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
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公开(公告)号：CN118448237A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410624390.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
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公开(公告)号：CN112106169B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201980029768.2
申请日：2019-04-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
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公开(公告)号：CN117981067A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280063649.0
申请日：2022-08-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 示例性基板处理系统可包括限定传送区域的腔室主体。系统可包括安置在腔室主体上的盖板。盖板可限定第一多个孔和第二多个孔。系统可包括与第一多个孔的数量相等的多个盖堆叠。每个盖堆叠可包括扼流板，所述扼流板沿着扼流板的第一表面安置在盖板上。扼流板可限定与第一多个孔中的相关联孔轴向对齐的第一孔。扼流板可限定与第二多个孔中的相关联孔轴向对齐的第二孔。扼流板可限定从扼流板的顶表面和底表面中的每一者延伸的突出部，所述突出部围绕第一孔基本对称地布置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112106169A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980029768.2
申请日：2019-04-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
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公开(公告)号：CN112041967A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980028076.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , B·阿夫扎尔 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , V·卡尔塞卡尔 , S·托卡奇丘 , 爱德华四世·P·哈蒙德
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311 , H01L21/033
Abstract: 在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些示例中，温度在从约300℃至约700℃的范围内，并且RF功率大于3kW至约7kW。方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN111463146A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201911327919.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·S·C·帕里米 , Z·黄 , J·李 , S·拉达克里什南 , 程睿 , D·N·凯德拉亚 , J·C·罗查 , U·M·科尔卡 , K·杰纳基拉曼 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔 , B·S·权
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
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公开(公告)号：CN111434799A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN202010041965.0
申请日：2020-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/513
Abstract: 本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。
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公开(公告)号：CN212199413U
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202020083218.9
申请日：2020-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/513
Abstract: 本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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