公开(公告)号：CN101310039B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200780000130.3

申请日：2007-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·K·英格尔 ,  Z·袁 ,  P·基 ,  K·萨普瑞

IPC: C23C16/40

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31612

Abstract: 本文描述将氧化硅层沉积于基材上的方法。所述方法可包括将基材提供至沉积室、在沉积室外产生氧原子前驱物以及将氧原子前驱物引入沉积室中的多个步骤。所述方法亦可包括将硅前驱物引入至沉积室中，其中硅前驱物和氧原子前驱物先在沉积室内混合。硅前驱物与氧原子前驱物反应而将氧化硅层形成于基材上，所沉积的氧化硅层可被退火。本文亦描述用来将氧化硅层沉积于基材上的系统。

公开(公告)号：CN117153656A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311109376.1

申请日：2016-12-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： C·偌德瑞格 ,  张景春 ,  纪丽丽 ,  王安川 ,  N·K·英格尔

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开提供了用于在基板蚀刻之后清洗腔室部件的方法。在一个例子中，一种用于清洗的方法包括以下步骤：使用等离子体活化蚀刻气体混合物，以产生活化的蚀刻气体混合物，蚀刻气体混合物包含含氢前体和含氟前体；及将活化的蚀刻气体混合物输送到工艺腔室的处理区域，工艺腔室具有位于其中的边缘环，边缘环包含催化剂和抗催化材料，其中活化的气体从边缘环移除抗催化材料。

公开(公告)号：CN116848619A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280013270.9

申请日：2022-01-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王佳良 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/285

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括将含碳前驱物与含氢前驱物递送至半导体处理腔室的处理区。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区内产生含碳前驱物与含氢前驱物的等离子体。所述方法可包括在定位在半导体处理腔室的处理区内的基板上形成石墨烯层。基板可维持在低于或约600℃的温度。所述方法可包括在以含氢前驱物维持等离子体的同时，停止含碳前驱物的流动。

公开(公告)号：CN116348993A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180055191.X

申请日：2021-08-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  T·越泽 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/321

Abstract: 本技术的示例包括用于在半导体结构中形成针对锗的扩散阻挡层的半导体处理方法。所述方法可包括从多对Si与SiGe层形成半导体层堆叠。可通过形成硅层，然后形成硅层的锗阻挡层来形成Si与SiGe层对。在一些实施例中，锗阻挡层可以是小于或约硅锗层可形成在锗阻挡层上，以完成Si与SiGe层对的形成。在一些实施例中，硅层可以是非晶硅层，而SiGe层可特征在于大于或约5原子％的锗。本技术的示例还包括半导体结构，所述半导体结构包括硅锗层、锗阻挡层和硅层。

公开(公告)号：CN107810546A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201680023572.9

申请日：2016-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘杰 ,  S·朴 ,  A·王 ,  Z·崔 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 描述了一种自通孔移除非晶硅/氧化硅膜堆叠的方法。该方法可涉及包含氟的远程等离子体及包含氟及远程等离子体中未激发的含氮与氢的前驱物的局部等离子体以移除氧化硅。该方法可随后涉及惰性物种的局部等离子体以潜在地移除任何薄碳层(光阻剂的残留物)并且处理非晶硅层，以为移除作准备。该方法可随后涉及利用相同基板处理区域内可能的若干选项移除经处理的非晶硅层。通孔的底部可随后具有已暴露的单晶硅，此已暴露的单晶硅有益于外延单晶硅膜生长。本文所呈现的方法可特别适用于三维NAND(例如，VNAND)装置形成。

公开(公告)号：CN106463362A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580025098.9

申请日：2015-04-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·可罕 ,  S·文卡特拉曼 ,  J·D·平森三世 ,  J-G·杨 ,  N·K·英格尔 ,  梁奇伟

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。

公开(公告)号：CN104838479A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380048686.5

申请日：2013-08-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈智君 ,  张景春 ,  王安川 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/76802

Abstract: 兹描述蚀刻图案化异质结构上曝露的含-硅-氮-和-碳材料的方法，该方法包括由含氟前驱物和含氧前驱物形成的远程等离子体蚀刻。来自远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在基板处理区域该等离子体流出物与含-硅-氮-和-碳材料的曝露区域反应。该等离子体流出物与该图案化异质结构反应，以选择性地从该曝露的含-硅-氮-和-碳材料区域去除含-硅-氮-和-碳材料，同时非常缓慢地去除选定的其他曝露材料。该含-硅-氮-和-碳材料的选择性部分是由位于远程等离子体和基板处理区域之间的离子抑制元件的存在所致。该离子抑制元件控制到达基板的离子性带电物种的数量。可以使用该方法来以比曝露的氧化硅或曝露的氮化硅更快的速率选择性地去除含-硅-氮-和-碳材料。

公开(公告)号：CN103907182A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280051888.0

申请日：2012-09-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·萨普瑞 ,  N·K·英格尔 ,  J·唐

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

Abstract: 在此描述一种在半导体基板中蚀刻凹部的方法。该方法可包含：在基板的沟槽中形成介电衬垫层，其中该衬垫层具有第一密度。该方法也可包含：至少部分位在该沟槽中于该衬垫层上沉积第二介电层。该第二介电层在沉积后最初为可流动，并且有第二密度，该第二密度低于该衬垫的第一密度。该方法可进一步包括：将该基板暴露至干式蚀刻剂，其中该蚀刻剂移除该第一衬垫层与该第二介电层的一部分而形成凹部，其中该干式蚀刻剂包括含氟化合物与分子氢，且其中移除该第一介电衬垫层与移除该第二介电层的蚀刻速率比为约1:1.2至约1:1。

公开(公告)号：CN103765562A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280041735.8

申请日：2012-08-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·王 ,  A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明描述了一种抑制对图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的蚀刻速率的方法，且所述方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。相对于氮化硅及含硅与氮的其他材料，使用本方法可增加硅的蚀刻选择性。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氮材料上形成保护性固态副产物。第一阶段的等离子体流出物由前驱物（包括三氟化氮及氢气（H2））的组合的远端等离子体形成。远端等离子体蚀刻的第二阶段亦将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以选择性地移除缺乏保护性固态副产物的材料。第二阶段的等离子体流出物由含氟前驱物的远端等离子体形成。

公开(公告)号：CN103748666A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280040443.2

申请日：2012-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·王 ,  A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32137

Abstract: 描述了一种在图案化异质结构上抑制对暴露的含硅与氧材料的蚀刻速率的方法，且该方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。使用本文的技术增加选择性的材料的范例包括氮化硅及硅。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氧材料上形成保护性固态副产物。第一阶段的等离子体流出物由前体组合的远端等离子体形成，前体组合包括含氮前体及含氢前体。远端等离子体蚀刻的第二阶段亦将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以选择性地移除缺乏保护性固态副产物的材料。第二阶段的等离子体流出物由含氟前体的远端等离子体形成。