公开(公告)号：CN114270495A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080036748.0

申请日：2020-05-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尤适 ,  任河 ,  梅裕尔·奈克 ,  徐翼 ,  陈枫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于形成于基板上的互连结构的方法及装置及在该基板上形成该互连结构的方法。在实施方式中，所述方法包括以下步骤：蚀刻穿过设置在低k介电层的顶部上的硬质掩模，以形成穿过该低k介电层的通孔及暴露导电表面；将该导电表面与稀释的氢氟酸接触以从该导电表面移除污染物；移除设置在该低k介电层的顶部上的该硬质掩模；及向该导电表面施用远程氢等离子体以形成该导电表面的暴露部分。

公开(公告)号：CN113811988A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080032724.8

申请日：2020-05-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  姜浩 ,  梅裕尔·奈克

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 描述了形成连接在两个方向上延伸的两条金属线的完全对准的过孔的方法。完全对准的过孔沿着两个方向与第一金属线和第二金属线对准。在与第一金属层电接触的第二金属层的顶部上图案化第三金属层。图案化的第三金属层与第二金属层的顶部未对准。使第二金属层凹陷以暴露第二金属层的侧面并移除未对准第三金属层的侧面的部分。

公开(公告)号：CN106463396B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201580006488.1

申请日：2015-01-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  M·B·奈克 ,  曹勇 ,  石美仪 ,  程亚娜 ,  S·R·V·克萨普拉嘎达

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

Abstract: 描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形成在所述金属层和所述低k电介质层上方。

公开(公告)号：CN110444509A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910748960.9

申请日：2015-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  M·B·奈克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/764

Abstract: 本文所述的实施例涉及形成气隙互连的方法。将金属间隔垫层共形地沉积在其上形成有心轴结构的基板上。蚀刻金属间隔垫层以形成间隔垫特征并从基板移除心轴结构。可执行多种其他电介质沉积、图案化与蚀刻步骤以期望地图案化基板上存在的材料。最终，在相邻的间隔垫特征之间形成沟槽并在沟槽上沉积盖层以在相邻的间隔垫特征之间形成气隙。为了封装目的，互连通孔可配置成接触邻近气隙的间隔垫特征中的至少一者。

公开(公告)号：CN109196634A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780032897.8

申请日：2017-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 贝纳切克·梅巴克 ,  肖恩·S·康 ,  基思·塔特森·王 ,  任河 ,  梅裕尔·B·奈克 ,  怡利·Y·叶 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开内容的方面包括处理基板以移除来自形成在基板上的互连的空隙、缝和晶界中的一种或多种的方法。所述方法包括在加压至过大气压力的环境中加热基板。在一个例子中，可在含氢气氛中加热所述基板。

公开(公告)号：CN106537576A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580022152.4

申请日：2015-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  M·B·奈克

IPC: H01L21/764

Abstract: 本文所述的实施例涉及形成气隙互连的方法。将金属间隔垫层共形地沉积在其上形成有心轴结构的基板上。蚀刻金属间隔垫层以形成间隔垫特征并从基板移除心轴结构。可执行多种其他电介质沉积、图案化与蚀刻步骤以期望地图案化基板上存在的材料。最终，在相邻的间隔垫特征之间形成沟槽并在沟槽上沉积盖层以在相邻的间隔垫特征之间形成气隙。为了封装目的，互连通孔可配置成接触邻近气隙的间隔垫特征中的至少一者。

公开(公告)号：CN112640065B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201980057814.X

申请日：2019-10-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜浩 ,  任河 ,  陈浩 ,  梅裕尔·B·奈克

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开内容的实施方式提供用于形成和图案化设置在基板上的膜堆叠中的特征的方法和设备。在一个实施方式中，一种用于图案化基板上的导电层的方法包括以下步骤：以第一流量供应包括含氯气体的第一气体混合物，以蚀刻设置在所述基板上的第一导电层；将第一气体混合物中的所述含氯气体降低到低于所述第一流量的第二流量，以继续蚀刻所述第一导电层；和将所述第一气体混合物中的所述含氯气体增加到大于所述第二流量的第三流量，以从所述基板移除所述第一导电层。

公开(公告)号：CN107408491B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201680011676.8

申请日：2016-02-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·帕德希 ,  S·古格吉拉 ,  A·T·迪莫斯 ,  B·库玛 ,  任河 ,  P·达舍

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 描述一种在电介质层中形成特征的方法。通孔、沟槽或双镶嵌结构可以在沉积共形氮化铝层前存在于电介质层中。共形氮化铝层被配置成用作阻挡层以便防止跨阻挡层的扩散。形成氮化铝层的方法包括交替地暴露于两个前驱物处理(如ALD)以便实现高共形度。氮化铝阻挡层的高共形度使得厚度减小和后续的填隙金属层的有效导电率增大。

公开(公告)号：CN110709964A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880036646.1

申请日：2018-06-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  于敏锐 ,  梅裕尔·B·奈克

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本文描述在形成互连中使用的用于沉积低电阻率硅化镍层的方法和使用所述方法形成的电子装置。在一个实施方式中，一种用于沉积层的方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上，所述处理腔室具有设置在所述处理腔室中的镍靶材和硅靶材，所述镍靶材和硅靶材的面向基板部分各自具有从基板的面向靶材表面的在约10度与约50度之间的角度；使气体流动到处理腔室中；向镍靶材施加射频功率并且同时向硅靶材施加直流功率；分别从硅靶材和镍靶材同时地溅射硅和镍；并且在基板上沉积NixSi1-x层，其中x在约0.01与约0.99之间。

公开(公告)号：CN105917440B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201480073342.4

申请日：2014-12-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  C-L·高 ,  S·S·康 ,  J·T·彭德 ,  S·D·耐马尼 ,  M·B·奈克

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供了用于消除双镶嵌结构中的传导层的早期暴露且用于蚀刻双镶嵌结构中的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中，用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括下列步骤：将硬掩模层用作蚀刻掩模来图案化基板，所述基板具有设置在电介质阻挡层上的电介质块状绝缘层，所述硬掩模层设置在电介质块状绝缘层上；在去除未由所述硬掩模层覆盖的所述电介质块状绝缘层之后，暴露电介质阻挡层的部分；从所述基板中去除所述硬掩模层；以及后续蚀刻由所述电介质块状绝缘层暴露的电介质阻挡层。