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公开(公告)号:CN114002493A
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202111284571.9
申请日:2021-11-01
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G01R19/175
Abstract: 本申请提供了一种电机的中性点电压检测电路,包括:中性点电压内建单元以及电容采样转移单元;其中,中性点电压内建单元用于根据电机三相的端电压,构建出电机的中性点电压;电容采样转移单元用于根据采样信号和保持信号,控制自身中相应的高压开关单元依次不交叠导通,以电容采样转移的方式将中性点电压进行输出;其中,采样信号和保持信号分别控制电容采样转移单元中相应的高压开关单元通断;也即,本申请提供的电机的中性点电压检测电路,能够以电容采样转移的方式,将根据电机三相的端电压,构建得到电机的中性点电压进行输出,提高了中性点电压的检测精度,解决了现有通过电阻分压方式检测得到的中性点电压偏低的问题。
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公开(公告)号:CN113849964A
公开(公告)日:2021-12-28
申请号:CN202111023023.0
申请日:2021-09-01
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请提供一种极紫外光刻中掩模缺陷控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。其中方法包括:获取极紫外光刻掩模主体图形;确定在所述掩模主体图形边缘添加冗余图形的区域;基于遗传算法在所述区域中确定所述冗余图形的添加方式;根据所述冗余图形的添加方式在所述区域中添加冗余图形。相较于现有技术,通过本方案可以快速地挑选出符合要求的一组或几组冗余图形的添加方式,能够快速对极紫外光刻中掩模缺陷进行更细微的调节及改善,节省了人力物力。
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公开(公告)号:CN113473756A
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN202110595119.8
申请日:2021-05-28
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请涉及电机控制器技术领域,具体来说,本申请涉及一种单管功率模块组件与应用其的电机控制器及纯电汽车。包括驱动板、屏蔽罩组件、负向转接铜排组件、金属化薄膜电容、三相铜排组件、单管组件、绝缘塑料件和PINFIN散热板,所述驱动板固定安装在所述屏蔽罩组件上,所述驱动板与所述单管组件的信号引脚PIN焊接,所述单管组件固定连接到安装所述绝缘塑料件的所述PINFIN散热板上,所述金属化薄膜电容分别与所述单管组件、所述负向转接铜排组件连接,所述单管组件还与三相铜排组件相连。本申请所述的单管功率模块组件克服了单管折弯工艺所带来的工艺复杂及不良率的问题,使整机结构相对简单而紧凑,易于安装,节省了工艺成本,整机方案便于模块化设计。
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公开(公告)号:CN113276079A
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN202110549250.0
申请日:2021-05-20
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: B25J5/00 , B25J19/04 , B25J19/00 , B25J13/00 , H04N13/122 , H04N13/204
Abstract: 本发明公开了一种移动机器人,所述移动机器人包括:可移动平台;机械臂,设置于所述可移动平台上;第一深度相机,设置于所述机械臂的末端,用于识别所述目标物体,以获取所述目标物体的深度数据;数据处理模块,与所述第一深度相机连接,用于接收所述深度数据,并根据图像识别算法对所述深度数据进行3D重建,以生成包含所述目标物体的边界范围及相对坐标位置的抓取数据;主控板,与所述数据处理模块连接,用于根据所述抓取数据控制所述机械臂抓取所述目标物体。使用第一深度相机和数据处理模块替代传统使用大量的单线雷达或多线程雷达,节约移动机器人的造价成本;不受使用场景的限制,移动机器人能够在狭小的空间内精确地抓取到目标物体。
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公开(公告)号:CN113255705A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202110798574.8
申请日:2021-07-15
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开了一种保护色动物智能识别装置,其可判断周围环境内是否有保护色动物,同时可实现周围环境内保护色动物的准确识别,其包括图像采集模块、控制模块、通信模块、电源模块、定位模块,图像采集模块与控制模块连接,控制模块通过通信模块与外部终端设备连接,图像采集模块包括红外摄像头、可见光摄像头,定位模块、红外摄像头、可见光摄像头均与控制模块连接,保护色动物识别方法包括:通过红外摄像头采集周围环境的热成像信息,通过可见光摄像头采集周围环境的图像信息,通过定位模块对图像采集模块的拍摄位置进行定位,通过控制模块对热成像信息、图像信息进行处理、判断,通过通信模块将位置信息、识别结果发送给外部终端设备。
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公开(公告)号:CN113192970A
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN202110287639.2
申请日:2021-03-17
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/12 , H01L23/48 , H01L21/762 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种多层绝缘体上硅衬底及其制备方法、应用。一种多层绝缘体上硅衬底,包括由下至上依次堆叠的背衬硅层、第一绝缘层、第一硅层;第一硅层上交替垂直堆叠n层第二绝缘层和n层第二硅层,并且靠近第一硅层的是所述第二绝缘层;其中,n为1以上的正整数;所述第二绝缘层设有使底部相邻层裸露的凹槽,所述第二硅层充满所述凹槽并且覆盖所述第二绝缘层的上表面。本发明可用于形成3D垂直堆叠全耗尽晶体管结构,有利于减小器件的短沟道效应(decrease short channel effect),同时多层沟道结构有利于提升器件的开态电流(Improve Ion),在小尺寸半导体器件的制备中有望得到应用。
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公开(公告)号:CN113031388A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN202110218077.6
申请日:2021-02-26
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 澳芯集成电路技术(广东)有限公司
Abstract: 本申请涉及集成电路设计领域,具体涉及一种光学邻近效应修正中散射条的嵌入方法,包括以下步骤:获取集成电路上主图形的数据;根据所述数据依次插入虚拟图形以及散射条;根据所述散射条的长度和宽度筛选出产生多余图形的散射条;将筛选出的所述散射条截断成若干散射条段;执行光学邻近效应修正的步骤。通过将产生多余图形的散射条进行截断,大大降低了多余图形的曝出率,同时还提高了主图形的分辨率,提高了产品的良率。
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公开(公告)号:CN112953339A
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN202110076442.4
申请日:2021-01-20
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开了一种旋转变压器的软解码系统、方法以及存储介质,系统包括:电机、电路模块和微控制器;其中,电路模块分别与电机、和微控制器电连接;其中,电机内部设置有旋转变压器,用于接收电信号和输出电信号;其中,微控制器对旋转变压器输出的连续正余弦信号顶点位置处的数据进行采集,并根据采集的正余弦信号数据计算电机的转轴角的位置信息。因此,采用本申请实施例,由于本申请通过对旋转变压器输出的正余弦信号数据进行采样,以实现生成仅包含转轴角位置信息的正余弦信号,用于电机的转轴角的位置信息进行解算,从而避免使用硬件解码芯片,极大降低电驱系统的成本,进而提升了解算精度。
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公开(公告)号:CN112926821A
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN202110065960.6
申请日:2021-01-18
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 澳芯集成电路技术(广东)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于制程能力指数预测晶圆良率的方法,具体包括以下步骤:S1:定义参数:定义线上量测参数制程能力指数(Inline CPK)、定义晶圆特性参数制程能力指数(WAT CPK)、定义缺陷参数制程能力指数(Defect CPK);S2:取得晶圆生产周期(Cycle Time);S3:计算参数指数:计算线上量测参数指数(Inline index)、计算晶圆特性参数指数(WAT index)、计算缺陷参数指数(Defect index);S4:建立良率预测模型:用逻辑回归分析(Logistic RegressionAnalysis)来建立良率预测模型(Yield Forecast Model);S5:验证预测模型(Verify Model);S6:得到最后良率预测结果(Yield Prediction)。与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:利用数学演算法来预测晶圆良率,提高了预测精度,方便工作人员及时掌握晶圆生产过程的状况,并及时调整生产机台机况,以提升晶圆良率,增加生产效率。
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公开(公告)号:CN112818629A
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN202011632476.9
申请日:2020-12-31
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 澳芯集成电路技术(广东)有限公司
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明涉及一种平面晶体管的设计准则及平面晶体管,包括:使用优先方法将关键的设计准则进行评估并划分成4个级别;对所述设计准则优先级排序的第一级别为:新规则;对所述设计准则优先级排序的第二级别为:区域关键规则;对所述设计准则优先级排序的第三级别为:设计关键规则;对所述设计准则优先级排序的第四级别为:产量关键规则;所述第一级别的优先级最高,所述第四级别的优先级最低;使用优先方法评估所述设计准则以及所述设计准则设计的创新的设计布局,将所述平面晶体管的设计准则和设计架构达到最佳化。
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