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公开(公告)号：CN109179342B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201810851488.7
申请日：2018-07-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明涉及一种高纯二碲化钼的制备方法，其包括S1、混合物料；S2、加热合成；S3、低真空度挥发除碲。本二碲化钼的生产方法，工艺简单，生产流程短，处理量大，可实现产业化；合成反应过程采用通流动保护气流的低压生产方式，在大批量生产时能很好地控制碲的蒸汽压，防止爆管，做到安全生产；采用低真空度系统，对设备整体结构要求简单，产品纯度高；对挥发的碲进行收集回收，综合降低生产成本，保护环境。
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公开(公告)号：CN111472047B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010413756.4
申请日：2020-05-15
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种磷化铟晶体的生长方法，所述生长方法，先后包括多晶合成过程和单晶生长过程；所述多晶合成过程中，In与P的摩尔比不低于3:1。本申请中磷化铟晶体的生长方法，对现有的晶体生长法进行了改进，通过控制In与P的摩尔比，无需使用高压多晶合成炉和高压晶体生长炉，而在大气压多晶合成炉和大气压晶体生长炉中实现晶体的多晶合成和单晶生长，大大降低所生长的晶体的成本，而且更加安全可靠；同时，所得磷化铟单晶中位错密度低，没有铟夹杂、空洞、孪晶等缺陷。
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公开(公告)号：CN110629284B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201911047773.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓晶体的生长方法，包括以下步骤：(1)在玻璃基板上沉积金属薄膜，然后高温退火，得到已沉积金属薄膜的玻璃基板；(2)将步骤(1)所得的已沉积金属薄膜的玻璃基板置于晶体生长炉内，在晶体生长炉内通入酸性气体腐蚀，然后通入吹扫气体吹扫；(3)吹扫结束后通入氨气和氯化镓气体，并在金属薄膜上沉积氮化镓晶体，晶体生长完成后，将已沉积氮化镓晶体和金属薄膜的玻璃基板置于腐蚀液中，将金属薄膜腐蚀，得到氮化镓晶体。本发明的生长方法制备得到的氮化镓晶体结晶性能良好，无多晶等缺陷；且该生长方法成本低，适合大规模产业化。
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公开(公告)号：CN110763344B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201911047766.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种GaN基光热探测薄膜元件，所述薄膜元件包括单晶衬底、[p‑GaN/n‑GaN]N超晶格、金属电极、引线、吸收层、减反射保护层、导热胶和热沉，所述单晶衬底为(00l)取向并沿c轴斜切，所述[p‑GaN/n‑GaN]N超晶格交替外延生长在单晶衬底上，以p‑GaN面截止并刻蚀梯形台面，所述金属电极设置在[p‑GaN/n‑GaN]N超晶格和单晶衬底的c轴倾斜方向的两侧，形成欧姆接触，所述金属电极由所述引线导出并与信号输入端连接，所述吸收层覆盖在[p‑GaN/n‑GaN]N超晶格的有效探测表面，所述减反射保护层覆盖在吸收层上，所述热沉通过导热胶与单晶衬底连接固定。本发明的薄膜探测元件体积小、灵敏度高、破坏阈值大、响应速度快，适用于大批量规模生产，能同时实现宽光谱探测和热辐射探测。
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公开(公告)号：CN111485283A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010417703.X
申请日：2020-05-15
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶体的生长装置，包括相互独立的外坩埚和内坩埚，所述内坩埚的直径小于所述外坩埚的直径；所述内坩埚底部设有使熔体流入或流出的小孔，所述内坩埚顶部设有坩埚盖，所述坩埚盖上设有内坩埚固定杆，所述内坩埚固定杆的底部固定在所述坩埚盖上，所述内坩埚固定杆的顶部与炉体相连接；所述外坩埚底部设有控制外坩埚升降的坩埚支撑杆。同时，本发明还公开了利用所述装置生长晶体的方法。本发明的生长装置及生长方法所制备得到的晶体无开裂、气泡、夹杂、散射等缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111223983A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010126941.5
申请日：2020-02-28
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明提出一种宽禁带薄膜激光探测元件，所述激光探测元件包括Al1-xGaxN梯度薄膜，Al1-xGaxN梯度薄膜作为光热敏感层。与现有技术相比，本发明的有益效果为：（1）本发明的宽禁带薄膜激光探测元件兼顾表面敏感层的响应率和薄膜/衬底界面的高导热性，高能量密度、大功率激光探测无需制冷；（2）本发明的宽禁带薄膜激光探测元件探测短波极限范围宽、线性度好；（3）本发明的宽禁带薄膜激光探测元件适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN110820043A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810900366.2
申请日：2018-08-09
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种晶体生长装置，其包括一石英炉、一底座、一顶盖、一提拉机构以及一籽晶；底座和顶盖分别固定于石英炉的下表面和上表面；石英炉包括一坩埚、包覆坩埚的保温材料、围绕坩埚的一加热器、一进气管、一波纹管、一籽晶杆、一出气管；坩埚内置有熔体，籽晶与熔体的液面相接；保温材料上部开设有上下贯穿的第一通孔，顶盖开设有上下贯穿的第二通孔，波纹管连接于顶盖和提拉机构之间，石英炉、顶盖、波纹管、提拉机构共同形成一炉腔，籽晶杆上下贯穿第一通孔、第二通孔，且籽晶杆两端分别连接籽晶和提拉机构；进气管贯穿底座而与炉腔连通；出气管贯穿顶盖，出气管的一端与炉腔连通。本发明同时涉及一种晶体生长方法。
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公开(公告)号：CN106757305A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611063024.7
申请日：2016-11-25
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种二氧化碲单晶体的生长方法，包括以下步骤：原料预处理、装料密封、加热熔料和晶体生长。本发明中，采用坩埚旋转加速技术在移动加热炉体中生长多种方向单晶体，得到的晶体在弱氧气氛下退火，可消除晶体内部的残余应力，减少缺陷并均匀组分。根据本发明提供的方法，得到的二氧化碲单晶体缺陷密度低、纯度高、质量好，且晶体产量高，成本低。
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公开(公告)号：CN205850468U
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201620534778.5
申请日：2016-06-03
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: B01D47/02
Abstract: 本实用新型提供一种含磷烟尘的处理装置，包括箱体、入水口、出水口、吸气管、排气管与真空泵，所述入水口设置于所述箱体的顶端；所述出水口设置于所述箱体侧面的底端；所述吸气管与所述箱体连通，且所述吸气管的一端设置于箱体内部的底端，所述吸气管的另一端设置于箱体的外部；所述排气管与所述箱体连通，且所述排气管的一端设置于箱体内部的顶端，所述排气管的另一端与所述真空泵的出口相连。通过本申请的处理装置，含磷烟尘中的明火熄灭，白磷在水中冷凝沉淀下来，五氧化二磷溶于水中，剩余高温气体得到冷却后由排气管排出，从而将含磷烟尘中的白磷和五氧化二磷等物质去除。
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公开(公告)号：CN206052210U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201621070322.4
申请日：2016-09-21
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种含磷晶体生长的检测装置，包括：水箱；所述水箱包括进气口与出水口；所述水箱的进气口与晶体生长炉相连通；所述水箱的出水口与红磷探测器相连通。与现有技术相比，本实用新型通过将晶体生长炉内气体通入水箱内的水中，然后检测水中总磷含量即可判断晶体生长炉内石英管是否发生裂管的现象，取代了目前采用的依靠操作者经验判断的方法，设计简单。操作简便，可靠程度高，污染少，且可实现在线检测。
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