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公开(公告)号：CN111472047A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010413756.4
申请日：2020-05-15
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种磷化铟晶体的生长方法，所述生长方法，先后包括多晶合成过程和单晶生长过程；所述多晶合成过程中，In与P的摩尔比不低于3:1。本申请中磷化铟晶体的生长方法，对现有的晶体生长法进行了改进，通过控制In与P的摩尔比，无需使用高压多晶合成炉和高压晶体生长炉，而在大气压多晶合成炉和大气压晶体生长炉中实现晶体的多晶合成和单晶生长，大大降低所生长的晶体的成本，而且更加安全可靠；同时，所得磷化铟单晶中位错密度低，没有铟夹杂、空洞、孪晶等缺陷。
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公开(公告)号：CN111472047B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010413756.4
申请日：2020-05-15
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种磷化铟晶体的生长方法，所述生长方法，先后包括多晶合成过程和单晶生长过程；所述多晶合成过程中，In与P的摩尔比不低于3:1。本申请中磷化铟晶体的生长方法，对现有的晶体生长法进行了改进，通过控制In与P的摩尔比，无需使用高压多晶合成炉和高压晶体生长炉，而在大气压多晶合成炉和大气压晶体生长炉中实现晶体的多晶合成和单晶生长，大大降低所生长的晶体的成本，而且更加安全可靠；同时，所得磷化铟单晶中位错密度低，没有铟夹杂、空洞、孪晶等缺陷。
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公开(公告)号：CN111485283A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010417703.X
申请日：2020-05-15
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶体的生长装置，包括相互独立的外坩埚和内坩埚，所述内坩埚的直径小于所述外坩埚的直径；所述内坩埚底部设有使熔体流入或流出的小孔，所述内坩埚顶部设有坩埚盖，所述坩埚盖上设有内坩埚固定杆，所述内坩埚固定杆的底部固定在所述坩埚盖上，所述内坩埚固定杆的顶部与炉体相连接；所述外坩埚底部设有控制外坩埚升降的坩埚支撑杆。同时，本发明还公开了利用所述装置生长晶体的方法。本发明的生长装置及生长方法所制备得到的晶体无开裂、气泡、夹杂、散射等缺陷。
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