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公开(公告)号：CN113897674A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111187818.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长领域，具体公开了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构包括：反应室本体、快拆装置、平移机构和控制器，控制器用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态，还用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动；该反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间。
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公开(公告)号：CN113718333A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111020536.6
申请日：2021-09-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体明公开了一种外延炉的匀气盒及气体输送组件，其中，匀气盒，用于朝外延炉的反应室输送反应气体，包括：用于朝外延炉的反应室输送反应气体，包括：盒体，盒体长度为10‑30cm，盒体内设有若干沿其长度方向设置的气孔，若干气孔包括若干小孔和若干大孔，若干大孔对称分设于小孔两侧；该匀气盒长度为10‑30cm，能使反应气体沿着气孔在盒体中进行输送从而形成若干道平行流动的反应气体气流，确保匀气盒输出的反应气体稳定不紊乱，使得晶体生长更均匀，同时采将气孔布置为中间小、两侧大的形式，使得两侧边缘气流的流速高于传统导气筒导出的两侧边缘气流的流速，从而解决衬底边缘的温度均匀性差的问题。
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公开(公告)号：CN114540800B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210171589.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备，用于在反应前对衬底进行预热，包括：预热装置、反应装置、移动装置、控制器，控制器与预热装置、反应装置和移动装置电性连接，用于获取预热装置内的第一温度信息和反应装置内的第二温度信息，还用于调节预热装置的温度和反应装置的温度，在反应装置需要装入新的衬底时，控制预热装置升温和反应装置降温，并在第一温度信息大于或等于第二温度信息时，同时控制预热装置停止升温和反应装置停止降温，并控制移动装置将预热装置内新的衬底转移至反应装置中，本申请通过上述系统，实现衬底从预热装置移动到反应装置的动态控制，提高了衬底的预热效率。
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公开(公告)号：CN116623296A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310419900.9
申请日：2023-04-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种有效降低碳化硅外延片缺陷密度的方法，属于半导体加工领域，将生长外延层的步骤分成了若干个周期，每个周期内依次包括高速生长过程、气氛修正过程和低速生长过程，气氛修正过程中的硅源流量小于低速生长过程的硅源流量，且碳源流量为零。气氛修正过程避免外延层长期处于富碳环境中，能够周期性地修正反应室中的气氛，全程不会完全中断生长源气流，对台阶流生长模式的影响小，有利于降低外延片缺陷密度，低速生长过程在不中断生长源气流的前提下起到刻蚀作用和退火作用相结合的综合效果，有利于修复衬底表面缺陷、提升外延层的结晶质量，从而为下一轮高速生长过程提供良好表面作为基础，能进一步减少外延片缺陷。
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公开(公告)号：CN114507900B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210205878.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法，用于保护外延设备的反应腔的内表面，所述反应腔内表面保护装置包括：石墨纸、第一转轴和第二转轴，所述第一转轴和所述第二转轴分别安装在所述反应腔的进气端和出气端，所述石墨纸两端分别套接在所述第一转轴与所述第二转轴上，所述石墨纸在所述反应腔的内顶部具有水平段，且能在所述第一转轴以及所述第二转轴的转动作用下在所述反应腔的内顶部沿单一方向水平输送，通过在反应腔内表面设置保护装置，石墨纸持续工作带走石墨纸上的结晶，防止结晶掉落在衬底上，且无需对反应腔内表面频繁清洗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113897674B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202111187818.5
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长领域，具体公开了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构，其中，反应室机构包括：反应室本体、快拆装置、平移机构和控制器，控制器用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态，还用于在所述快拆装置处于打开状态时，控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动；该反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构，使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态，反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构，使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作，从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间。
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公开(公告)号：CN114182341B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202111581945.3
申请日：2021-12-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，特别涉及一种高纯度晶体生长系统及方法，其包括：真空腔；反应室，其包括腔体和顶盖；加热组件；第一升降组件，与上述顶盖固定连接，用于驱动上述顶盖升降；供气组件，安装在上述真空腔上，用于使上述真空腔内产生自上向下的气流；控制器，与上述加热组件、上述第一升降组件和上述供气组件电性连接，用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度，还用于在上述反应室内的温度达到除杂温度时，控制上述供气组件产生自上向下的气流和控制上述第一升降组件驱动上述顶盖上升，还用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度至晶体生长温度以进行晶体生长；在晶体生长前先对反应粉料进行除杂，有效地提高晶体的纯度。
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公开(公告)号：CN114990691A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210794117.6
申请日：2022-07-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延反应加热控制方法、系统、电子设备及存储介质，外延反应加热控制方法用于外延反应设备，包括以下步骤：输出最大加热功率信息以使外延反应设备的外延腔迅速升温至预设的第一温度信息；根据第一温度信息、预设的第二温度信息以及第二温度信息对应的起始加热功率信息生成加热功率曲线；根据加热功率曲线调节并输出加热功率信息以使外延腔逐渐升温，直至加热功率信息下降至起始加热功率信息；对外延腔进行PID控制加热使外延腔升温至预设的外延反应温度信息所对应的温度，本申请通过上述方法使外延腔在加热过程中不会因为加热功率突变而导致温度产生波动，从而提高加热效率及加热稳定性。
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公开(公告)号：CN114934263A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210711263.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/52 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C16/56 , C03C17/245 , H05K9/00
Abstract: 本申请涉及真空镀膜技术领域，具体提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，其包括：准备并清洗基板玻璃；对所述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜；根据至少一种刻划图案对所述透明导电氧化膜进行刻划处理，以使所述透明导电氧化膜的透光率大于等于预设透光率；在刻划后的所述透明导电氧化膜上设置引出电极；利用封装胶膜及盖板玻璃封装所有所述透明导电氧化膜，以制成所述观察窗；该方法制造的观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
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公开(公告)号：CN114540800A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210171589.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备，用于在反应前对衬底进行预热，包括：预热装置、反应装置、移动装置、控制器，控制器与预热装置、反应装置和移动装置电性连接，用于获取预热装置内的第一温度信息和反应装置内的第二温度信息，还用于调节预热装置的温度和反应装置的温度，在反应装置需要装入新的衬底时，控制预热装置升温和反应装置降温，并在第一温度信息大于或等于第二温度信息时，同时控制预热装置停止升温和反应装置停止降温，并控制移动装置将预热装置内新的衬底转移至反应装置中，本申请通过上述系统，实现衬底从预热装置移动到反应装置的动态控制，提高了衬底的预热效率。
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