公开(公告)号：CN109427777B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201810513503.7

申请日：2018-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雅怡 ,  賴俊良 ,  古淑瑗 ,  陈嘉仁 ,  张铭庆

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括衬底，从衬底向外突出的第一鳍和第二鳍以及分别设置在第一鳍和第二鳍上方的第一和第二高k金属栅极(HK MG)。从俯视图看，第一鳍和第二鳍沿第一方向纵向布置，第一和第二HK MG沿着垂直于第一方向的第二方向纵向布置，并且第一和第二HK MG沿着第二方向对准。在沿着第二方向切割的截面图中，第一HK MG具有从顶部至底部朝向第二HK MG倾斜的第一侧壁，并且第二HK MG具有从顶部至底部朝向第一HK MG倾斜的第二侧壁。也公开了用于生产这种半导体器件的方法。本发明实施例涉及具有倾斜侧壁的切割金属栅极。

公开(公告)号：CN113113362A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110080777.3

申请日：2021-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宜群 ,  蔡雅怡 ,  杨宜伟 ,  古淑瑗 ,  陈嘉仁

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置与其形成方法。方法包括进行一系列的蚀刻工艺，以形成沟槽穿过金属栅极与隔离区至半导体基板中。沟槽切穿并分开金属栅极成第一金属栅极与第二金属栅极，并形成凹陷于半导体基板中。一旦形成沟槽，可沉积介电插塞材料至沟槽中以形成切割金属栅极插塞，其锚定于半导体基板的凹陷中并分开第一金属栅极与第二金属栅极。如此一来，锚定的切割金属栅极插塞可提供高电阻，以在操作时减少半导体装置中的漏电流，并可改善半导体装置的电压触发效能。

公开(公告)号：CN221057428U

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202322432440.1

申请日：2023-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 ,  吴昀铮 ,  赖俊良 ,  蔡雅怡 ,  杨舜惠 ,  古淑瑗

IPC: H01L27/02

Abstract: 半导体装置包括第一通道区与第二通道区形成于基板上。第一通道区与第二通道区延伸于第一横向方向中并彼此平行。半导体装置包括介电结构，沿着第二横向方向夹设于第一通道区与第二通道区之间，且第二横向方向垂直于第一横向方向。半导体装置包括第一隔离结构，与第一通道区的下侧部分相邻。半导体装置包括第二隔离结构，与第二通道区的下侧部分相邻。第一隔离结构与第二隔离结构具有高度。介电结构的一部分夹设于第一隔离结构与第二隔离结构之间。第一隔离结构与第二隔离结构各自的上侧部分的最大凹陷距离，与高度的第一比例小于约0.1。

公开(公告)号：CN220491891U

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202321720766.8

申请日：2023-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雅怡 ,  萧圣议 ,  古淑瑗 ,  陈嘉仁

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置，包括：设置在一主动区内的一晶体管。晶体管包括：一源极/漏极特征部件、一鳍部通道及一包围鳍部通道上的栅极结构。晶体管也包括：设置在主动边缘的绝缘区。主动边缘位于主动区的边界。绝缘区包括一沟槽。沟槽具有一渐细部。位于鳍部通道顶部的沟槽的渐细部的宽度大于位于栅极结构底部的沟槽的渐细部的宽度。