公开(公告)号：CN109427777A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810513503.7

申请日：2018-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雅怡 ,  賴俊良 ,  古淑瑗 ,  陈嘉仁 ,  张铭庆

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括衬底，从衬底向外突出的第一鳍和第二鳍以及分别设置在第一鳍和第二鳍上方的第一和第二高k金属栅极(HK MG)。从俯视图看，第一鳍和第二鳍沿第一方向纵向布置，第一和第二HK MG沿着垂直于第一方向的第二方向纵向布置，并且第一和第二HK MG沿着第二方向对准。在沿着第二方向切割的截面图中，第一HK MG具有从顶部至底部朝向第二HK MG倾斜的第一侧壁，并且第二HK MG具有从顶部至底部朝向第一HK MG倾斜的第二侧壁。也公开了用于生产这种半导体器件的方法。本发明实施例涉及具有倾斜侧壁的切割金属栅极。

公开(公告)号：CN109427777B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201810513503.7

申请日：2018-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雅怡 ,  賴俊良 ,  古淑瑗 ,  陈嘉仁 ,  张铭庆

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括衬底，从衬底向外突出的第一鳍和第二鳍以及分别设置在第一鳍和第二鳍上方的第一和第二高k金属栅极(HK MG)。从俯视图看，第一鳍和第二鳍沿第一方向纵向布置，第一和第二HK MG沿着垂直于第一方向的第二方向纵向布置，并且第一和第二HK MG沿着第二方向对准。在沿着第二方向切割的截面图中，第一HK MG具有从顶部至底部朝向第二HK MG倾斜的第一侧壁，并且第二HK MG具有从顶部至底部朝向第一HK MG倾斜的第二侧壁。也公开了用于生产这种半导体器件的方法。本发明实施例涉及具有倾斜侧壁的切割金属栅极。