公开(公告)号：CN116799067A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310557544.7

申请日：2023-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雅怡 ,  萧圣议 ,  古淑瑗 ,  陈嘉仁 ,  林子敬 ,  林日泽 ,  林益安

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。描述了一种半导体器件结构以及形成这种结构的方法。该结构包括设置在半导体衬底之上的鳍，并且所述鳍具有第一宽度。该结构还包括设置在鳍周围的隔离区域，设置在鳍和隔离区域之上的栅极电极，以及设置在栅极电极中的填充材料。填充材料与半导体衬底的一部分的顶表面接触，顶表面具有包括基本平坦截面的至少一部分，并且顶表面的该部分具有显著大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN220491891U

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202321720766.8

申请日：2023-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雅怡 ,  萧圣议 ,  古淑瑗 ,  陈嘉仁

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置，包括：设置在一主动区内的一晶体管。晶体管包括：一源极/漏极特征部件、一鳍部通道及一包围鳍部通道上的栅极结构。晶体管也包括：设置在主动边缘的绝缘区。主动边缘位于主动区的边界。绝缘区包括一沟槽。沟槽具有一渐细部。位于鳍部通道顶部的沟槽的渐细部的宽度大于位于栅极结构底部的沟槽的渐细部的宽度。