-
公开(公告)号：CN111403304B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010223888.0
申请日：2014-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成封装件的迹线上凸块(BOT)的方法和半导体结构。该方法包括：在衬底上形成接合迹线，在平面视图中，接合迹线具有第一部分，第二部分和将第一部分连接至第二部分的第三部分，第一部分的第一侧壁与第二部分的第一侧壁共线，第一部分的第二侧壁与第二部分的第二侧壁和第三部分的第二侧壁共线，在平面视图中，第三部分的第一侧壁具有朝着第三部分的第二侧壁凹进的一个或多个第一凹槽，第三部分的第二侧壁整体是平坦的侧壁；将导电柱置放在接合迹线的第三部分上方，使得导电柱至少部分地覆盖接合迹线的第三部分中的一个或多个第一凹槽；以及将接合迹线电连接至导电柱。
-
公开(公告)号：CN112018061A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010155641.X
申请日：2020-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/768
Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN110010628A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811384924.0
申请日：2018-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例针对锚定结构和用于形成锚定结构的方法，从而使得平坦化和晶圆接合可以是均匀的。锚定结构可以包括形成在介电层表面上的锚定层和形成在锚定层中和介电层表面上的锚定焊盘。锚定层材料可以选择为使得锚定层、锚定焊盘和互连材料的平坦化选择性可以彼此基本相同。锚定焊盘可以提供具有相同或类似材料的均匀密度的结构。本发明实施例涉及用于均匀晶圆平坦化和接合的锚定结构和方法。
-
公开(公告)号：CN109585476A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811147275.2
申请日：2018-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及CMOS图像传感器以及相关的形成方法。在一些实施例中，CMOS图像传感器包括设置在衬底内且位于传输栅极的一侧处的浮置扩散区域以及设置在衬底内且位于传输栅极的与浮置扩散区域相对的另一侧处的光电探测列。光电探测列包括掺杂类型与衬底的掺杂类型相反的掺杂感测层。光电探测列和衬底在包括一个或多个凹进部分的结界面处彼此接触。通过形成具有凹进部分的结界面，与没有凹进部分的先前p-n结界面相比，扩大了结界面，并且因此改进了光电二极管结构的满阱容量。
-
公开(公告)号：CN109216494A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810698562.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 一种光电探测器包括：具有第一掺杂类型的衬底；具有第二掺杂类型的第一半导体区，第一半导体区从衬底的前侧延伸到衬底中；以及具有第一掺杂类型的第二半导体区，第二半导体区进一步从第一半导体区的底部边界延伸到衬底中，其中，当光电探测器在盖革模式下工作时，第二半导体区完全耗尽以吸收从衬底的背侧所接收的辐射源。本发明还提供了新型单光子雪崩二极管、光电探测器的制造方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102903689B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210020460.1
申请日：2012-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L24/16 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05599 , H01L2224/10145 , H01L2224/13012 , H01L2224/13015 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , Y10T428/12493 , Y10T428/24479 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 凸块和凸块导线直连(BOT)结构的实施例提供了凸块，该凸块具有用于填充回流焊料的凹进区域。凹进区域位于回流焊料最可能突出的凸块区域中。凹进区域降低凸块与迹线短路的风险。因此，可以提高成品率。本发明还提供了一种新凸块结构。
-
公开(公告)号：CN119835948A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411884922.3
申请日：2024-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D1/68 , H01L23/522
Abstract: 一种电容器及其制造方法及具有包含电容器的互连结构的半导体装置，互连结构可包括指定结构的电容器及/或包围电容器的保护环。电容器可包括具有扩展宽度的弓形区，弓形区准许包含含有空气或另一气体的孔隙。可替代地，电容器可为金属‑绝缘体‑金属电容器或具有垂直沟槽及水平板材且由保形层形成的金属‑绝缘体‑金属‑绝缘体‑金属电容器。保护环降低了可能损坏电容器的杂讯。这三个特征的任何组合皆可用于提高电容及可靠性。
-
公开(公告)号：CN119443020A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411403686.9
申请日：2024-10-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/39
Abstract: 提供了一种设计半导体结构的方法。该方法包括判定接触结构图的第一热点区域。该方法包括根据第一预定义扩大轮廓来扩大该第一热点区域，以判定该接触结构图的第一扩大区域。该方法包括判定该第一扩大区域的第一部分与功能组件的功能区域重叠。该方法包括判定该接触结构图的不包括该第一扩大区域的该第一部分的裁切区域。该方法包括基于该裁切区域来更新第一图案化氧化物层图，以产生更新的图案化氧化物层图。上述的方法达成了减少量的保留在半导体装置中的该组接触结构上的残留物，诸如金属残留物。减少的残留物量达成了半导体装置的改良的操作、减少的损失、增加的产量、改良的生产效率等中的至少一者。
-
公开(公告)号：CN119108401A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411111634.4
申请日：2024-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L21/8238
Abstract: 本申请的实施例公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括与衬底中的第二阱区横向分离的第一阱区，在衬底中横向位于第一阱区和第二阱区之间的浅沟槽隔离(STI)结构，与衬底中的第一阱区的掺杂剂类型相反的掺杂剂类型、垂直地低于STI结构并且横向位于第一阱区与STI结构的横向中心之间的第一注入区、和与衬底中的第二阱区的掺杂剂类型相反的掺杂剂类型、垂直地低于STI结构并且横向位于第二阱区和STI结构的横向中心之间的第二注入区。
-
公开(公告)号：CN115863350A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210964167.4
申请日：2022-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 半导体器件包括第一硅层。半导体器件包括嵌入在第一硅层中的多个第一埋氧层。半导体器件包括设置在多个第一埋氧层上方的第二硅层。多个第一埋氧层和第二硅层之间的垂直距离分别不同。本申请的实施例还涉及用于制造半导体器件的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
68
records
(took 0.032 seconds)
