公开(公告)号：CN110854101A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201911094700.0

申请日：2014-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹荣志 ,  洪奇成 ,  王喻生 ,  张世杰 ,  李文熙 ,  王英郎

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括位于第一开口内的第一层上方的铜填料。第一层包括钴和钨。包括钴和钨的第三层位于铜填料和第一层的上方。包括钴和钨的第一层比不具有钴或钨的第一层具有更光滑的侧壁。更光滑的侧壁降低了铜填料内的缺陷，从而增强了铜填料的导电性。第一层和第三层相较于不包括这样层的半导体器件降低了铜填料中的铜扩散。

公开(公告)号：CN109841680A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201810783518.5

申请日：2018-07-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沙哈吉·B·摩尔 ,  关恕 ,  李承翰 ,  张世杰 ,  杨怀德

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在这些实施例中，半导体装置包括具有n型掺杂的阱结构的基板，以及形成于基板上的外延硅锗鳍状物。外延硅锗鳍状物具有下侧部分与上侧部分。下侧部分的锗含量小于上侧部分的锗含量。通道由外延硅锗鳍状物所形成。栅极形成于外延硅锗鳍状物上。掺杂的源极/漏极形成于靠近通道处。

公开(公告)号：CN109427590A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810907957.2

申请日：2018-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俊杰 ,  潘正扬 ,  张世杰 ,  李承翰 ,  杨怀德 ,  沙哈吉·B·摩尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开实施例提供鳍式场效晶体管装置及其形成方法，此方法包含形成栅极介电层以及沉积金属氧化物层于栅极介电层上。此方法也包含将栅极介电层和金属氧化物层退火，使得离子从金属氧化物层扩散至栅极介电层，以形成掺杂的栅极介电层。此方法还包含形成功函数层于掺杂的栅极介电层上，以及形成栅极电极于功函数层上。

公开(公告)号：CN109427587A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810077949.X

申请日：2018-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沙哈吉·B·摩尔 ,  李承翰 ,  潘正扬 ,  张世杰 ,  王俊杰

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

Abstract: 栅极介电材料的形成方法包括：形成高介电常数的介电材料于基板上的第一区中，其中形成高介电常数的介电材料的步骤包括：形成第一介电层于基板上，且第一介电层包括铪；以及形成第二介电层于第一介电层上，且第二介电层包括镧。

公开(公告)号：CN108695189A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710236854.3

申请日：2017-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林剑锋 ,  杨怀德 ,  张世杰 ,  张家睿 ,  林礽豪

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67011 ,  H01L21/67103 ,  H01L2221/67

Abstract: 本发明实施例提供一种晶圆加工装置及加工半导体晶圆的方法。上述方法包括提供一晶圆加工装置。晶圆加工装置包括一腔体以及一基台设置于腔体中。基台用于支撑半导体晶圆。上述方法亦包括加热一位于该基台径向外侧的预热组件。上述预热组件包括多个由相邻两个凸肋结构所定义的流道。上述方法还包括经由上述流道对上述半导体晶圆提供一加工气体。

公开(公告)号：CN108122777A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711181814.X

申请日：2017-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄翊铭 ,  张世杰 ,  杨怀德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种鳍状场效晶体管装置与其形成方法。方法包括蚀刻凹陷于栅极堆叠两侧上的基板中。方法亦包括外延成长源极/漏极区于每一凹陷中，其中每一源极/漏极区包括沿着个别源极/漏极区的上表面的盖层，且每一源极/漏极区中的第一材料在盖层与下方外延层的界面具有最高浓度。方法亦包括沉积多个金属层于源极/漏极区上，且金属层接触源极/漏极区。方法亦包括进行回火，且在回火后形成金属硅化物区于每一源极/漏极区中，其中每一金属硅化物区延伸穿过盖层并止于盖层与下方外延层的界面。

公开(公告)号：CN105206743B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201410392613.4

申请日：2014-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张鼎张 ,  张冠张 ,  蔡宗鸣 ,  潘致宏 ,  王英郎 ,  陈科维 ,  张世杰 ,  孔德明

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/146 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种电阻式存储器单元。电阻式存储器单元包括一对电极和设置在这对电极之间的多层电阻切换网络。多层电阻切换网络包括一对碳掺杂层和设置在这对碳掺杂层之间的IV族元素掺杂层。每个碳掺杂层均包括掺杂有碳的氧化硅。IV族元素掺杂层包括掺杂有IV族元素的氧化硅。本发明也公开了一种制造电阻式存储器单元的方法。该方法包括：使用溅射在第一电极上形成第一碳掺杂层，使用溅射在第一碳掺杂层上形成IV族元素掺杂层，使用溅射在IV族元素掺杂层上形成第二碳掺杂层，以及使用溅射在第二碳掺杂层上形成第二电极。本发明涉及具有多层器件结构的电阻式随机存取存储器(RRAM)。

公开(公告)号：CN102732157A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210003774.0

申请日：2012-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈科维 ,  魏国修 ,  张世杰 ,  王英郎

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种金属抛光液包括化学溶液和磨料，该磨料的特征为颗粒尺寸的双峰式分布或者其他多峰式分布或者普遍存在两种或者更多种颗粒尺寸或者颗粒尺寸的范围。还提供了一种用于在CMP抛光操作中使用抛光液的方法和系统。

公开(公告)号：CN113314418B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202110061249.3

申请日：2021-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 关恕 ,  沙哈吉·B·摩尔 ,  林千 ,  李承翰 ,  张世杰

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

公开(公告)号：CN110957221B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201910307034.8

申请日：2019-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马志宇 ,  什哈吉·B·摩尔 ,  黄翊铭 ,  张世杰

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种器件包括从衬底延伸的鳍、在鳍的侧壁上方并沿着鳍的侧壁的栅极堆叠件，沿着栅极堆叠件的侧壁的栅极间隔件、以及在鳍中并且与栅极间隔件相邻的外延源极/漏极区。外延源极/漏极区包括在鳍上的第一外延层，第一外延层包括硅、锗和砷，以及在第一外延层上的第二外延层，第二外延层包括硅和磷，第一外延层将第二外延层与鳍隔开。外延源极/漏极区还包括在第二外延层上的第三外延层，第三外延层包括硅、锗和磷。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。