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公开(公告)号：CN116487412A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310279200.4
申请日：2023-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L27/088 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种半导体装置，此处提供在形成外延层于鳍状场效晶体管的源极/漏极区中之前，形成绝缘层于半导体基板之中或之上的一些技术与设备。外延层可形成于绝缘层上，以减少鳍状场效晶体管的源极/漏极区之间的电子穿隧。在此方式中，可减少流动至鳍状场效晶体管的半导体基板中及/或源极/漏极区之间的漏电流。
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公开(公告)号：CN107978637B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201710202281.2
申请日：2017-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体结构，其中半导体结构包含阶状的结晶基板，其具有较高阶状物、较低阶状物、与阶状隆起。第一鳍状物包含具有第一晶格常数的结晶结构。第一鳍状物形成于较低阶状物上。第二鳍状物包含具有第二晶格常数的结晶结构，且第二晶格常数不同于第一晶格常数。第二鳍状物可形成于较高阶状物上，并与第一鳍状物分隔。第二结晶结构可形成于结晶结构上，且鳍状物的顶部对齐。第一鳍状物与第二鳍状物之组成可为相同材料(具有不同高度及不同通道应力值)。第一鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的n型金氧半鳍状物，而第二鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的p型金氧半鳍状物。
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公开(公告)号：CN110957221B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201910307034.8
申请日：2019-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种器件包括从衬底延伸的鳍、在鳍的侧壁上方并沿着鳍的侧壁的栅极堆叠件，沿着栅极堆叠件的侧壁的栅极间隔件、以及在鳍中并且与栅极间隔件相邻的外延源极/漏极区。外延源极/漏极区包括在鳍上的第一外延层，第一外延层包括硅、锗和砷，以及在第一外延层上的第二外延层，第二外延层包括硅和磷，第一外延层将第二外延层与鳍隔开。外延源极/漏极区还包括在第二外延层上的第三外延层，第三外延层包括硅、锗和磷。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107068608B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201611157626.9
申请日：2016-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明的实施例提供一种在半导体制造中的晶圆支撑结构、以及器件和用于制造半导体的方法。根据本发明的一些实施例，在半导体制造中的晶圆支撑结构包括透明环和至少两个臂。臂连接至透明环。
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公开(公告)号：CN109216195B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201711283937.4
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明实施例提供一种鳍状场效晶体管装置及其形成方法，鳍状场效晶体管装置的形成方法包括提供基板，其具有栅极结构于基板的第一侧上；形成凹陷，且凹陷与栅极结构相邻；以及形成具有掺杂的第一半导体层于凹陷中，第一半导体层为非顺应性，且第一半导体层衬垫凹陷并自凹陷底部延伸至凹陷顶部。此方法亦包括形成具有掺杂的第二半导体层于凹陷中及第一半导体层上，且第二半导体层中掺杂的第二浓度大于第一半导体层中掺杂的第一浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110957221A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910307034.8
申请日：2019-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种器件包括从衬底延伸的鳍、在鳍的侧壁上方并沿着鳍的侧壁的栅极堆叠件，沿着栅极堆叠件的侧壁的栅极间隔件、以及在鳍中并且与栅极间隔件相邻的外延源极/漏极区。外延源极/漏极区包括在鳍上的第一外延层，第一外延层包括硅、锗和砷，以及在第一外延层上的第二外延层，第二外延层包括硅和磷，第一外延层将第二外延层与鳍隔开。外延源极/漏极区还包括在第二外延层上的第三外延层，第三外延层包括硅、锗和磷。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN108122978A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710352130.5
申请日：2017-05-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种可增加半导体装置如晶体管其源极/漏极区中的掺质。半导体装置可包含第一材料的掺杂外延，其具有多个促进层埋置其中。促进层可为第二材料，且第一材料与第二材料不同。另一装置可包含晶体管的源极/漏极结构。源极/漏极结构包含掺杂的源极/漏极材料与一或多个分开的埋置促进层。方法包含成长促进层于基板的凹陷中，其中促进层实质上不含掺质。方法亦包含成长掺杂的外延层于凹陷中的促进层上。
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公开(公告)号：CN107978637A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710202281.2
申请日：2017-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/823821 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02532 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/823807 , H01L27/0924 , H01L29/7849 , H01L29/7851 , H01L29/785 , H01L29/04
Abstract: 本申请公开一种半导体结构，其中半导体结构包含阶状的结晶基板，其具有较高阶状物、较低阶状物、与阶状隆起。第一鳍状物包含具有第一晶格常数的结晶结构。第一鳍状物形成于较低阶状物上。第二鳍状物包含具有第二晶格常数的结晶结构，且第二晶格常数不同于第一晶格常数。第二鳍状物可形成于较高阶状物上，并与第一鳍状物分隔。第二结晶结构可形成于结晶结构上，且鳍状物的顶部对齐。第一鳍状物与第二鳍状物之组成可为相同材料(具有不同高度及不同通道应力值)。第一鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的n型金氧半鳍状物，而第二鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的p型金氧半鳍状物。
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公开(公告)号：CN107068608A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611157626.9
申请日：2016-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明的实施例提供一种在半导体制造中的晶圆支撑结构、以及器件和用于制造半导体的方法。根据本发明的一些实施例，在半导体制造中的晶圆支撑结构包括透明环和至少两个臂。臂连接至透明环。
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公开(公告)号：CN114975438A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110756401.X
申请日：2021-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体元件及其制造方法，本揭示内容的多个实施方式提供自两个或更多的鳍式结构中形成合并的源极/漏极特征的方法。根据本揭示内容的合并的源极/漏极特征具有合并部分，合并部分相对于源极/漏极特征的总高度，具有提升的高度百分比。提升的高度百分比，提供源极/漏极触点特征提升的着陆范围，因此，降低源极/漏极特征以及源极/漏极触点特征之间的连接阻抗。在一些实施方式中，合并的源极/漏极特征包括在合并部分内形成的一或多个孔隙。
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