公开(公告)号：CN101604615A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200810168351.8

申请日：2008-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘家助 ,  陈桂顺 ,  张尚文 ,  叶志扬

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C09K13/00 ,  C03C15/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/14 ,  C23F1/16 ,  C23F1/32

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  C09K13/06 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻超薄膜的方法，其步骤为提供衬底，其上有超薄膜；形成光敏层在超薄膜上；图形化光敏层；依照光敏层的图形蚀刻超薄膜；以及移除图形化的光敏层。蚀刻工艺中利用具有抗扩散性质的蚀刻液，以防止蚀刻液中的蚀刻剂扩散至光敏层下面的区域而蚀刻光敏层下面的部分超薄膜。

公开(公告)号：CN114895521A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210044351.7

申请日：2022-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高国璋 ,  王文昀 ,  刘家助 ,  林华泰

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/70 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 一种图案化制程与光罩，图案化制程在半导体晶圆上进行，半导体晶圆涂布有底层、中间层、及具有起始厚度的光阻层。图案化制程包含：进行曝光步骤，曝光步骤包含使用光罩曝光半导体晶圆，光罩包含特征，此特征在目标区域中产生中度曝光，随后处理而依照光罩在光阻层中产生多个开口，以及由于目标区域中的中度曝光而薄化目标区域中的光阻，以在目标区域中留下薄化的光阻；进行中间层蚀刻，以在中间层中形成多个开口对齐光阻层中的开口，其中因薄化的光阻所提供的保护，中间层蚀刻不会去除目标区域中的中间层；以及进行修整蚀刻，以修整目标区域中的中间层。

公开(公告)号：CN103163730B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201210102118.6

申请日：2012-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张雅惠 ,  刘家助

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/2022 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/095 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/203 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0274

Abstract: 描述了一种在衬底上形成图案的方法。该方法包括提供衬底，在衬底上方形成感光层，通过第一掩模使感光层暴露于第一曝光能量，通过第二掩模使感光层暴露于第二曝光能量，烘烤感光层，以及使经曝光的感光层显影。该感光层包括转变成溶于显影液的聚合物、至少一种光生酸剂(PAG)、以及至少一种光生碱剂(PBG)。暴露于第二曝光能量的层的一部分与暴露于第一曝光能量的一部分重叠。本发明提供了利用化学增幅型光刻胶组合物进行小沟槽图案化的方法。

公开(公告)号：CN102332448B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201110199199.1

申请日：2011-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈桂顺 ,  陈孟伟 ,  刘家助 ,  黄建元 ,  林家庆

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/762

CPC classification number: G03F9/7084 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  H01L21/76229

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法。在一实施例中，半导体结构包含具有组件区与对准区的基材；位于对准区中且具有第一深度D1的第一浅沟渠隔离(STI)特征；位于组件区中且具有第二深度D2的第二STI特征；具有图案化特征的对准标记，其中图案化特征是覆盖在对准区中的第一STI特征之上；以及形成在组件区中的主动区之上的栅极堆叠。

公开(公告)号：CN101551603B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200810168204.0

申请日：2008-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆晓慈 ,  陈桂顺 ,  吴小真 ,  张尚文 ,  刘家助

IPC: G03F7/36 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035

Abstract: 一种图案化光敏层的方法包括：提供一个其上形成有第一层的衬底，利用阳离子处理包括所述第一层的衬底，在所述第一层上形成第一光敏层，图案化所述第一光敏层以形成第一图案，利用阳离子处理所述第一图案，在所述已处理第一图案上形成第二光敏层，图案化所述第二光敏层以形成第二图案，以及使用所述第一图案与所述第二图案作为掩膜处理所述第一层。

公开(公告)号：CN101551603A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200810168204.0

申请日：2008-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆晓慈 ,  陈桂顺 ,  吴小真 ,  张尚文 ,  刘家助

IPC: G03F7/36 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035

Abstract: 一种图案化光敏层的方法包括：提供一个其上形成有第一层的衬底，利用阳离子处理包括所述第一层的衬底，在所述第一层上形成第一光敏层，图案化所述第一光敏层以形成第一图案，利用阳离子处理所述第一图案，在所述已处理第一图案上形成第二光敏层，图案化所述第二光敏层以形成第二图案，以及使用所述第一图案与所述第二图案作为掩膜处理所述第一层。