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公开(公告)号：CN117542932A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311789095.5
申请日：2023-12-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，其可通过溶液腐蚀或干法刻蚀或激光切割或图形化电镀工艺，以实现所述导电衬底在晶圆端的预先分割。基于此，在后续制备出子半导体单元阵列后，无需再进行切割和劈裂，进而避免了后续导电衬底切割过程中机台昂贵、切割效率低下、晶圆翘曲、切边拉丝、金属颗粒污染等一系列问题。
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公开(公告)号：CN117012875A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310946636.4
申请日：2023-07-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：在所述导电基板的表面依次设置导电型键合层、金属反射层、介质层、第二欧姆接触层以及外延叠层；其中，所述介质层具有若干个通孔，且在所述通孔内设有第一欧姆接触层；所述第二欧姆接触层与所述第一欧姆接触层形成接触。从而，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率；同时，通过所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层和通孔的配合接触，在保证金属反射层与外延叠层的半导体材料接触的同时，可横向阻挡所述金属反射层和电极的金属扩散。
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公开(公告)号：CN111883552B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010771244.5
申请日：2020-08-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成式LED芯片模组及其制作、测试、切割方法，其LED阵列单元通过交叉沟槽隔离形成于所述基板表面；所述绝缘层覆盖所有所述LED阵列单元及沟槽，且所述绝缘层具有裸露各所述LED阵列单元表面的缺口；所述电极引线平铺于所述沟槽上方且相互间隔设置，并通过所述绝缘层与所述LED阵列单元和/或基板隔离设置；所述子电极沉积于所述缺口并延伸至所述绝缘层的表面与所述电极引线形成电连接；基于本发明所提供的技术方案，可利用测试电极做打线金球，从而避免在LED阵列单元表面打线引起的遮光问题；同时，可通过将测试电极与外部控制电路连接，实现LED阵列单元的独立控制，并降低控制电路与各LED阵列单元的连接难度。
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公开(公告)号：CN115732622A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211555098.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过将介质层延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，嵌入所述介质孔与所述第二型半导体层形成接触，并延伸至所述通孔的侧壁；所述金属连接层层叠于所述金属反射层背离所述介质层的一侧表面，且所述金属连接层在朝向所述外延叠层的一侧表面具有裸露面；所述绝缘层通过覆盖所述金属连接层及金属反射层的方式，延伸至所述通孔的侧壁。从而，实现了将金属反射层延伸到通孔内部，提高了通孔内部的反射率的同时，可以实现将通孔内部的热量从台面传导，以提高芯片的散热能力，可以很好地解决通孔型垂直结构LED芯片因为空洞的存在导致热量无法及时散去的问题。
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公开(公告)号：CN115548181A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211201174.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将所述发光结构通过分割道形成相互独立的第一发光结构和第二发光结构，且所述第一发光结构和所述第二发光结构分别具有裸露对应所述第一型半导体层部分表面的通孔；并通过导电衬底、电极连通层和第一电极的设置，使所述第一、第二发光结构分别形成通孔型的垂直LED芯片；其次，通过第二绝缘层的设置，使所述电极连通层与所述第二电极层在所述分割道上方连接，从而实现了所述两发光结构的串联。如此，使第一发光结构和第二发光结构无需通过台阶即可在平坦的分割道上方实现桥接串联，大大提升了高压LED芯片的可靠性；同时，由于桥接区域分布于两发光结构的分割道，不占据发光面积，可提高芯片的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114628561A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210442069.4
申请日：2022-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。同时，在所述外延叠层的侧壁设有用于保护LED芯片的钝化层，且基于该结构，所述钝化层与所述绝缘层可在同道光刻及刻蚀工艺中图形化，即可同步实现LED芯片的侧壁钝化以及PAD的制作。
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公开(公告)号：CN113809219A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111148515.2
申请日：2021-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有光转换功能的发光结构LED芯片及制备方法，通过将光转换材料植入外延叠层内部，实现了初步的光转换发光结构。在此基础上制作的LED芯片，在后续封装过程中，可以免除光转换材料覆盖的过程，有利于减少工序。同时，本技术方案避免了光转换材料容易受温度、湿度、环境杂质等影响而出现性能退化，进而影响光转换效率和出光效率的风险；同时，降低了整体灯珠的热阻，从而提高LED芯片的寿命。
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公开(公告)号：CN112349819A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011214208.5
申请日：2020-11-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种通孔填充式LED芯片及其制作方法，其所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔，所述通孔内设有填充结构；所述填充结构通过不同实施方式呈现。在保证接触的前提下，减少了由于开孔导致的表面高度差以及由此产生的空洞，进而解决因其导致的应力失配、热量聚集及电流分布不均匀的技术问题。
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公开(公告)号：CN120035281A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510340467.9
申请日：2025-03-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/821 , H10H20/01 , H10H20/84 , H10H20/831 , H10H29/14
Abstract: 本发明提供一种单面发光LED芯片及其制作方法、显示器件，该单面发光LED芯片包括：在基板一侧的第二接触电极和外延叠层，其中，第二接触电极朝向外延叠层的一侧表面具有显露的第一台面，第一台面环绕外延叠层，且外延叠层背离基板的一侧表面为发光台面；第一接触电极，其通过间隔绝缘层的方式覆盖外延叠层的侧壁及第一台面，且，在部分第一台面设有绝缘材质的挡光层，用于覆盖绝缘层的侧壁，并与第一接触电极接合；其中，挡光层、第一接触电极以及第二接触电极构成的挡光结构可避免LED芯片侧面出光和光波导效应导致的杂光出现，使LED芯片发出的光从发光台面出射，以实现LED芯片的单面出光。
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公开(公告)号：CN119092615A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411374124.6
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括导电衬底、键合层、外延结构、第一电极焊盘和第二电极焊盘。外延结构设有朝向导电衬底的第一表面和开口于第一表面的切割槽和导通槽；切割槽沿第一方向延伸并至少贯穿第二型半导体层，导通槽暴露第二型半导体层的部分表面；第一方向垂直于导电衬底并由导电衬底指向外延结构。键合层键合连接导电衬底和外延结构，所述键合层嵌入切割槽和导通槽内的部分与外延结构绝缘设置。在外延结构上设置切割槽和导通槽两个槽，使得键合层两边都嵌入槽内，减小键合层两边的高度差，减小键合空洞率，增加芯片的可靠性。
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