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公开(公告)号：CN112201650A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011094769.6
申请日：2020-10-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/46 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种mini‑LED芯片及其制作方法，通过设置隔离层、欧姆接触层以及反射镜，其中，所述隔离层设置于所述外延叠层的一侧侧壁；在所述外延叠层的一侧侧壁设置隔离层；所述欧姆接触层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面，并延伸至所述隔离层的表面；所述反射镜层叠于所述欧姆接触层背离所述第二型半导体层的一侧表面；同时，第二电极位于侧壁且与位于侧壁的欧姆接触层连接；第一电极位于另一侧侧壁且其底面与所述第一型半导体层形成欧姆接触。从而实现了侧壁电极的结构设计，避免电极挡光，使LED芯片的发光面积增大；同时，通过开孔从衬底背面沉积形成第一电极和第二电极，有利于电极打线时的精准对位控制。
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公开(公告)号：CN111969087A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010881721.3
申请日：2020-08-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于透明衬底的LED芯片及其制备方法，将所述外延叠层通过键合层键合形成于所述透明衬底的表面，且在所述外延叠层朝向所述键合层的一侧表面设有第一扩展电极层；所述第一电极沉积于贯穿所述外延叠层的电极贯穿孔，并与所述第一扩展电极层形成电接触；所述第二电极与所述金属电极层形成电接触。即，本申请在所述外延叠层的两个对立表面均可以较好地实现电流的均匀扩展，且使通过第一型半导体层和第二型半导体层注入到有源区的电流为垂直注入，类似垂直结构LED芯片，可以有效改善LED芯片的电流阻塞效应；此外，本申请所提供的LED芯片的结构具备很好的兼容性，可实现透明衬底在不同色系LED芯片的应用。
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公开(公告)号：CN110112274B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910428186.3
申请日：2019-05-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构芯片及制作方法，涉及光电子技术领域，垂直结构芯片包括导电基板、P面金属层、外延层、透明导电层以及金属电极，其中，外延层通过P面金属层固定在导电基板的一面，外延层沿背离导电基板的方向依次包括P型半导体、有源层以及N型半导体，透明导电层和金属电极均固定在N型半导体背离导电基板的一面，且金属电极同时与透明导电层和N型半导体电连接。缓解了现有技术中的垂直结构芯片中N型金属电极容易影响外量子效率的技术问题。
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公开(公告)号：CN119653938A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411831996.0
申请日：2024-12-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/815 , H10H20/84 , H10H20/01
Abstract: 本发明提供了一种LED外延片及其制作与分离方法，其中，LED外延片在蓝宝石衬底和外延叠层之间设有第一牺牲层和U型GaN层，其中，第一牺牲层设置于蓝宝石衬底的部分表面，U型GaN层通过层叠于蓝宝石衬底表面的方式覆盖第一牺牲层，由于U型GaN层可吸收激光能量，能被激光分解，为形成间隙通道使腐蚀溶液通过间隙通道溶解第一牺牲层提供条件，可高效、低成本的实现蓝宝石衬底的无损剥离，使蓝宝石衬底可重复回收利用，还可避免现有剥离工艺破坏外延叠层而造成漏电率增加，良率较低等问题，进而提高LED芯片可靠性及良率。
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公开(公告)号：CN119050234A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411318844.0
申请日：2024-09-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘层、欧姆接触层、反射结构以及外延叠层；其中，在介质膜层背离外延叠层的一侧表面设有图形化的粘附结构，且粘附结构同时还与金属反射层及欧姆接触层形成连接，图形化的粘附结构可在不影响出光效果的同时能提高介质膜层、金属反射层及欧姆接触层三者之间的粘附效果,避免因金属反射镜与介质膜层之间的粘附性差造成外延脱落的问题，可用来提高芯片的可靠性和稳定性，进而提高LED芯片良率，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118472133A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410201658.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将第一发光外延至第N发光外延沿第一方向上叠层设置，由此使得高压LED芯片的整体面积与单个发光外延的面积的差异相差较小，进而在将所有发光外延串联电连接而实现高压LED芯片的功能基础上，有效减小了高压LED芯片的面积，利于高压LED芯片的集成封装。同时，本发明提供的第一发光外延至第N发光外延可以进行相同发光颜色的设计，以实现高压LED芯片的发光强度的提升。或者第一发光外延至第N发光外延还可以设计为至少一个发光颜色与其他不同以实现混光，从而实现更加丰富的出光效果。
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公开(公告)号：CN118033979A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410357080.X
申请日：2024-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G03F7/09
Abstract: 本发明提供一种复合膜层、光刻方法及系统、LED芯片及其制造方法，本发明的复合膜层通过在光刻胶层内部或者至少一侧表面设置图形化的波长转换部，用第一光源照射波长转换部后，波长转换部激发形成比第一光源波长更短的第二光源对光刻胶层进行图案化曝光，不仅在曝光光刻胶层时可以免去掩模版的使用，而且波长转换部吸收第一光源激发出波长更短的第二光源曝光光刻胶层，能够提高光刻精度。光刻方法及系统采用上述的复合膜层实现光刻胶层的图案化。LED芯片及其制造方法采用上述光刻系统实现光刻胶层的图案化。
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公开(公告)号：CN117153985A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310469186.4
申请日：2023-04-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率；同时，通过嵌入所述集成金属层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，并通过蚀刻的方式裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。
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公开(公告)号：CN116504893A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310700041.0
申请日：2023-06-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种抗静电的垂直结构LED芯片及其制作方法，通过设置非故意掺杂层，减少垂直结构LED芯片的晶格失配，并利用其具有高电阻及背景载流子的特性，由导电基板、金属键合层、第一型半导体层、非故意掺杂层以及第一电极构成静电释放通道，用于垂直结构LED芯片反向电压保护，来提高垂直结构LED芯片的抗静电能力，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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公开(公告)号：CN115939282A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211741516.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：在所述基板与所述外延叠层之间设有金属键合层、绝缘层、金属连接层、粘附层、金属反射层、介质层；所述介质层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，并延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；且，所述介质层具有裸露所述第二型半导体层的介质孔；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，形成于所述外延叠层的水平表面；所述粘附层设置于所述金属反射层的边缘；所述金属连接层通过覆盖所述粘附层的方式，与所述金属反射层形成接触。从而，实现了在所述金属反射层边缘的上下表面都具有限制效果的材料层，可避免化学试剂侵蚀所述金属反射层，以很好地保护金属反射层与介质层在边缘处的图形完整性。
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