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公开(公告)号：CN110491975A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910831715.4
申请日：2019-09-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED外延片及其制作方法和半导体器件，在第一N型半导体层和第二N型半导体层之间嵌入有N型电子阻挡层，且N型电子阻挡层为N型AlInGaN/GaN层，由于N型AlInGaN/GaN层中AlInGaN和GaN晶格失配较小，通过应力调制，减小了量子阱区域的极化电场，进而能够降低效率骤降带来的不利影响，同时还增加了LED外延片侧向电流扩展能力，使得半导体器件具有良好的电流扩展能力。以及，本发明通过的LED外延片移除了P型电子阻挡层，进而能够增加空穴注入，并缓解了载流子在量子阱中的不均匀分布，使多量子阱有源层发光更加均匀，提高了LED外延片的发光效率，且提高了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN107731978B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710919143.6
申请日：2017-09-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种LED的外延结构及其制作方法，该制作方法包括：提供一图形化的衬底，所述衬底具有一用于形成氮化物外延层的第一表面，所述第一表面具有平面区域以及凸起区域；形成覆盖所述第一表面的牺牲层；去除位于所述平面区域的所述牺牲层；形成覆盖所述牺牲层以及所述平面区域的氮化物缓冲层；在位于所述凸起区域顶部的所述氮化物缓冲层形成开口，露出位于所述凸起区域顶部的所述牺牲层；去除覆盖所述凸起区域的所述牺牲层，去除位于所述凸起区域浮离的所述氮化物缓冲层，仅保留位于所述平面区域的氮化物缓冲层；以位于所述平面区域的所述氮化物缓冲层为基核沉积氮化物外延层。本发明技术方案提高了LED的外延结构的均匀性以及可靠性。
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公开(公告)号：CN108922946A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810777949.0
申请日：2018-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明实施例公开了一种LED结构及其制作方法，该方法包括：提供图形化的衬底；利用物理气相沉积工艺，在所述衬底表面形成的缓冲层，所述缓冲层包括含氢的氮化铝缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成外延结构，从而解决现有LED结构制作方法中，所述氮化铝缓冲层形成后，反应室中仍然存在较多的铝残留，影响后续形成的外延结构的晶体质量，导致所述LED器件的光电性能降低的问题，还可以改善衬底与外延结构之间的晶格应力，使得所述LED的外延结构表面温场均匀，LED结构出射光线的波长的均匀性得到很大提升，同时，减小量子阱受到的量子约束斯塔克效应，使得最后形成的LED的发光性能提升，亮度增加，漏电流减小。
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公开(公告)号：CN108110104A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810048032.7
申请日：2018-01-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管将传统结构中多量子阱层的最后一层量子垒层和电子阻挡层替换为包括多个第一类超晶格层和多个第二类超晶格层的超晶格结构，该超晶格结构减少了最后一层量子垒层的极化电场强度，增加了其电子空穴波函数交迭程度，有利于其辐射复合发光，并且超晶格结构不仅降低了发光二极管的制备难度，而且使得生长高质量的超晶格结构和第二型接触层成为可能。另外，超晶格结构的存在还使得整个第二型结构层的导带电子势垒高度进一步提升，大大减少了电子泄露，同时降低了价带空穴的势垒高度，促进了空穴的传输，极大提升了多量子阱层的内量子效率，减少效率骤降，大幅提升了发光二极管的整体发光功率。
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公开(公告)号：CN107275454A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710601402.0
申请日：2017-07-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种发光二极管的外延生长方法，其包括：提供衬底；在所述衬底上外延生长非故意掺杂GaN层；其中，所述非故意掺杂GaN层外延生长若干个生长周期，每个生长周期包括：第一生长阶段和第二生长阶段；在所述第一生长阶段，镓前驱源的流量为第一流量，在所述第二生长阶段，镓前驱源的流量为第二流量，所述第一流量大于所述第二流量。该方法通过镓前驱源的流量高低交替变化的方式实现生长速率呈高低速交替变化的方式生长GaN层，从而实现了提高发光二极管的生长速率的同时，使得外延氮化镓晶体质量不会变差的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103500784A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310443689.0
申请日：2013-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , C30B25/02 , H01L33/0062
Abstract: 本发明公开一种近红外发光二极管的外延结构，在衬底层上依次生长第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；第二型电流扩展层由第一组成部分及第二组成部分组成，在第一组成部分和第二组成部分之间形成具有漫反射效果的接触界面。本发明还公开所述近红外发光二极管的外延生长工艺。本发明采用该外延生长工艺形成具有漫反射作用的电流扩展层的外延结构，明显地提高了外量子效率，使得近红外发光二极管能达到更大功率。
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公开(公告)号：CN112635626A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110001937.0
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠N型半导体层、消闸层、有源层、P型半导体层，通过外延结构设计，释放多余的电子，有效提高电子浓度，增加电子隧穿几率，提高晶体质量的同时降低LED的工作电压，提高LED的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN110957401B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201911366643.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，本发明提供的发光二极管包括有复合浅量子阱，提高大电流密度下空穴的注入效率。通过第一界面调制层减缓窄阱宽垒超晶格层和窄阱窄垒超晶格层的界面处的能带弯曲，及通过第二界面调制层减缓窄阱窄垒超晶格层和多量子阱发光层的界面处的能带弯曲，降低由此引入的异质势垒高度，进而降低发光二极管的工作电压且提高发光二极管的发光效率。通过位于缺陷覆盖层来覆盖填平多量子阱发光层和复合浅量子阱上形成的V型缺陷，而有效的阻挡电流进入V型缺陷，从而有效减少V型缺陷所形成的漏电通道，使得空穴从非V型缺陷区域进入多量子阱发光层，增大空穴‑电子复合几率，最终提高了发光二极管的可靠性和发光效率。
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公开(公告)号：CN111403563A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010230868.6
申请日：2020-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种PIPN结构的发光二极管及其制备方法，该发光二极管在有源层和N型结构层之间设置了一层P型插入层，P型插入层一方面可作为电子的阻挡层，降低电子传输效率。另一方面由于P型插入层的存在，使得发光二极管由原本的PIN结构变成PIPN结构，这将大大减少整个有源层的内建电场，该内建电场的方向由N型结构层指向P型空穴供给层，即该内建电场对空穴的电场力阻碍了有源层中空穴往N型结构层方向的传输，因此对该内建电场的减弱有利于提高空穴向N型结构层方向的传输。P型插入层在这两方面的作用，可缩小电子和空穴传输效率的差异，从而使得电子和空穴在有源层中可以均匀分布，大大提高了电子和空穴的碰撞几率，进而提升辐射复合效率。
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公开(公告)号：CN110957401A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911366643.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，本发明提供的发光二极管包括有复合浅量子阱，提高大电流密度下空穴的注入效率。通过第一界面调制层减缓窄阱宽垒超晶格层和窄阱窄垒超晶格层的界面处的能带弯曲，及通过第二界面调制层减缓窄阱窄垒超晶格层和多量子阱发光层的界面处的能带弯曲，降低由此引入的异质势垒高度，进而降低发光二极管的工作电压且提高发光二极管的发光效率。通过位于缺陷覆盖层来覆盖填平多量子阱发光层和复合浅量子阱上形成的V型缺陷，而有效的阻挡电流进入V型缺陷，从而有效减少V型缺陷所形成的漏电通道，使得空穴从非V型缺陷区域进入多量子阱发光层，增大空穴-电子复合几率，最终提高了发光二极管的可靠性和发光效率。
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