-
公开(公告)号：CN106684219A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710053641.7
申请日：2017-01-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/005 , H01L33/04 , H01L33/60
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构及其加工方法，该LED芯片结构包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的多量子阱层，所述第一半导体层上逐层设有透明导电层、反射绝缘层和第一电流扩展反射层，所述反射绝缘层上分布有多个第一通孔，所述第一电流扩展反射层具有伸入至所述第一通孔内的第一导电柱结构、与所述透明导电层导电接触。本发明提供的LED芯片结构，其电流扩散效果较好。
-
公开(公告)号：CN106449924A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610770822.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种光热电分离的倒装LED芯片，在衬底上形成缓冲层，在缓冲层上形成N-GaN，在N-GaN上形成有源层，在有源层上形成P-GaN，依次部分蚀刻P-GaN和有源层直至裸露部分N-GaN；在P-GaN上形成金属反射层，在裸露部分N-GaN形成欧姆接触层，在金属反射层和欧姆接触层上形成导热绝缘层，导热绝缘层上形成导热金属层、P电极和N电极，P电极穿过导热绝缘层与金属反射层连接，N电极穿过导热绝缘层与欧姆接触层连接。本发明还公开一种光热电分离的倒装LED芯片制作方法。本发明实现LED芯片光、热及电三重分离，出光面无电极挡光，取光效率高，热量由导热金属层导出，增加芯片可靠性。
-
公开(公告)号：CN106098678A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610425669.4
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/10 , H01L33/00
CPC classification number: H01L25/0756 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明公开一种增加演色性的白光LED结构，包括蓝光外延芯片、红光四元外延芯片及键合层；蓝光外延芯片与红光四元外延芯片之间借助键合层键合；蓝光外延芯片的衬底研磨后蒸镀DBR层，红光四元外延芯片的四元外延层一侧生长GaP外延层，GaP外延层上生长P型欧姆接触层，四元外延层另一侧生长N型欧姆接触层，N型欧姆接触层上生长反射镜，反射镜上生长隔绝层，隔绝层上分别设置与N型欧姆接触层连接的N型电极和与P型欧姆接触层连接的P型电极；键合层一侧与DBR层键合，键合层另一侧与四元外延层的P型欧姆接触层键合。本发明可以减少封装体积和使用的封装面积，提高白光的演色性，且混光效果较好。
-
公开(公告)号：CN105590943A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610103085.5
申请日：2016-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/007 , H01L33/46 , H01L2933/0033
Abstract: 一种高压LED及其制作工艺，涉及LED的制造技术领域。在半制品表面蒸镀DBR层，再通过刻蚀，保留每个元胞的量子阱层侧壁和N-GaN层表面的DBR层，以及在元胞的第二电极区域和相邻的另一元胞的第一电极区域之间的衬底表面、N-GaN层侧壁、量子阱层侧壁、P-GaN层侧壁及P-GaN层表面的DBR层；形成的产品特点：在各元胞的量子阱层侧壁、N-GaN层表面设置DBR绝缘层，在所述元胞的第二电极和相邻的另一元胞的第一电极之间的衬底表面、N-GaN层侧壁、量子阱层侧壁、P-GaN层侧壁及P-GaN层表面设置DBR绝缘层。可减少光损失，在使元胞之间采用DBR绝缘的功能上再提升芯片的亮度。
-
公开(公告)号：CN107680983B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201711042353.8
申请日：2017-10-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L27/15 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种Micro LED阵列器件、拾取装置及相关制作方法、转运方法，该Micro LED阵列器件的生长衬底远离所述发光二极管结构一侧具有磁性材料层，发光二极管结构上方具有粘结层。该Micro LED阵列器件拾取装置包括承载板及其表面的磁电材料层；与磁电材料层电连接的控制电路，位于所述磁电材料层表面上包括多个绝缘窗口和隔离块的绝缘窗口层。本发明由控制电路对拾取装置上的磁电材料层与在Micro LED阵列器件的磁性材料层之间磁性强弱的控制，从而实现Micro LED阵列器件的转移。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108417675B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810256911.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，所述高压发光二极管包括：第一部分和第二部分，其中，第二部分中的发光结构的顶部和底部均设置了隧穿结，通过隧穿结作用，第二部分与第一部分的同侧形成了不同类型的导电层，再通过第一透明导电层，实现两个发光二极管的发光结构不同类型导电层同侧分布且水平桥接；而不同高压发光二极管结构中的第一部分和第二部分通过第二透明导电层连接，同样也是不同类型导电层同侧的水平桥接，解决了传统高压发光二极管在桥接过程中，存在高度差，而造成的高压发光二极管性能较差的问题。
-
公开(公告)号：CN111710768A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010628160.6
申请日：2020-07-01
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片的制作方法，通过设置复合式银/金两层结构的反射镜结构层，在后续的热处理过程中，使银金属层和金属层之间的接触面形成预设厚度的金银合金层，其中，银金属层和金金属层在不同波段均可以实现优良的反射效果，提高LED芯片的发光亮度，并且，形成的金银合金层可以提高反射镜结构层整体的物理和化学稳定特性，进而实现了一种反射率高且稳定性高的LED芯片结构。并且，由于金金属层与相邻其它层的材料连接效果不好，通过该银金属层可以进一步提高反射镜结构层的结构稳定性。
-
公开(公告)号：CN108346722B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710039107.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管，包括有源区，该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成，该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成。本发明还公开一种蓝绿发光二极管的外延方法。本发明可以提高有源区的晶体质量，从而有效提高内量子效率。
-
公开(公告)号：CN108565320A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810029288.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，所述发光二极管的外延结构的第一型导电层包括至少两个子导电层，并且每两个子导电层之间还设置有电流阻挡层，这些子导电层和电流阻挡层堆叠设置，使得子导电层之间具有一定的高度差；另外，所述发光二极管的第一电极包括种类与子导电层相匹配的第一型扩展电极，每类第一型扩展电极通过沟槽实现与一个子导电层的电连接，而由于子导电层之间具有一定的高度差及电阻差，且存在着一定的电流阻挡效果，有效引导流出第一型扩展电极的电流更大范围的横向扩展，有利于引导电流在第一型扩展电极与相邻的第二型扩展电极之间的合理分布，从而降低发光二极管的电流拥挤，从而提升发光二极管发光效率。
-
公开(公告)号：CN106129214B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610557040.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法，P电极由多层金属构成，其中最底层为Al，LED芯片结构包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成ITO透明导电层，ITO透明导电层上形成P电极，其中P电极的最底层为金属Al,Al经加热渗透进ITO透明导电层，使ITO透明导电层和P型层形成肖特基接触。本发明提升了电极的光反射率，提高了LED芯片的亮度，并且使得LED芯片的制作工艺更简单。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
83
records
(took 0.031 seconds)
