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公开(公告)号：CN112955760B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202080005984.6
申请日：2020-04-02
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种MIS‑HEMT器件的界面态分析方法及装置，该方法通过建立MIS‑HEMT器件的等效模型，等效模型包括用于表示介质层、势垒层和沟道层的等效电路，通过利用该等效模型能够绘制出来与实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图最能够拟合的一组电容‑频率函数曲线和电导‑频率函数曲线，并将该组作为拟合组函数曲线；根据该拟合组频率函数曲线所对应的一组赋值计算该MIS‑HEMT器件的界面态参数，由于通过该等效模型所拟合的拟合组频率函数曲线能够同时拟合实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图，使得所分析出的界面态参数具有更高的准确性。
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公开(公告)号：CN114008794A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080044170.3
申请日：2020-09-11
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种负电容无结纳米线场效应晶体管及其制造方法，包括无结纳米线(10)，源区(12)的外表面覆盖有源电极层(32)，其中，源电极层(32)和源区(12)的部分表面之间有源电介质层(22)；漏区(13)的外表面覆盖有漏电极层(33)，其中，漏电极层(33)和漏区(13)部分表面之间有漏电介质层(23)；环沟道区(11)的外周表面依次覆盖具有栅电介质层(21)、铁电材料层(50)以及栅电极层(31)。由于基于铁电材料的无结晶体管的负电容特性，当器件工作在积累区的时候，使得器件的驱动电流更大，提高了器件的开启速度；当器件工作在耗尽区时，使得器件的亚阈值斜率和泄漏电流减小，器件的功耗减小，极大地提高了器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN112955760A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202080005984.6
申请日：2020-04-02
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种MIS‑HEMT器件的界面态分析方法及装置，该方法通过建立MIS‑HEMT器件的等效模型，等效模型包括用于表示介质层、势垒层和沟道层的等效电路，通过利用该等效模型能够绘制出来与实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图最能够拟合的一组电容‑频率函数曲线和电导‑频率函数曲线，并将该组作为拟合组函数曲线；根据该拟合组频率函数曲线所对应的一组赋值计算该MIS‑HEMT器件的界面态参数，由于通过该等效模型所拟合的拟合组频率函数曲线能够同时拟合实测的电容‑频率散点图和实测的电导‑频率散点图，使得所分析出的界面态参数具有更高的准确性。
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公开(公告)号：CN109979808A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910194173.4
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种减薄碳化硅片的方法、装置及其应用。本申请的方法包括，沉积步骤，在碳化硅片背面沉积金属层；热反应步骤，在惰性气氛下进行高温热处理；贴膜保护步骤，在碳化硅片正面粘贴保护膜；酸腐蚀步骤，采用酸性溶液对碳化硅片进行浸泡；水洗步骤，对碳化硅片进行水冲洗，干燥；机械磨削步骤，采用磨头对碳化硅片的背面进行磨削；去保护膜步骤，去除粘贴在碳化硅片正面的保护膜。本申请的方法，利用金属层中的金属在高温下与碳化硅中的硅发生互溶反应，改变碳化硅背面表层的物理化学性质，降低表层硬度，使其能正常使用硅圆片减薄设备进行减薄，不仅减薄效果良好，而且极大的降低了碳化硅片产品的生产成本。
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公开(公告)号：CN109742142A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811495340.0
申请日：2018-12-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/778 , H01L29/207 , H01L29/06 , H01L21/265 , H01L21/335
Abstract: 本申请公开了一种GaN基HEMT器件及其制备方法，包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、帽层、源极、栅极和漏极，由于该GaN基HEMT器件在制备过程中应用H等离子体处理技术将帽层制备成高阻态，以优化该GaN基HEMT器件的内部电场分布，降低了表面陷阱对器件性能的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109742141A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811467122.6
申请日：2018-12-03
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 一种GaN基HEMT器件及其制备方法，由于GaN基HEMT器件的栅结构采用三掩膜版结构(3-mask)，即在栅金属层和p-GaN帽层增加一层金属层，可以显著降低栅阻，增加场板设计的灵活性。使得器件在高VDS下减少动态通断，由于栅金属的中含有Al成分，而且刻蚀沉积栅金属时没有影响p-GaN层，所以其栅电阻很小，其栅控能力增强，从而进一步提升器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN109244057A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810770430.X
申请日：2018-07-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种封装基板及基于该基板形成的共源共栅氮化镓器件，该封装基板包括基板本体，基板本体的一个端面印制器件线路铜层，另一个端面印制热排气铜层，器件线路铜层包括第一铜层面和第二铜层面，第一铜层面和第二铜层面之间电气隔离；热排气铜层上设置有若干条延伸到基板边界的间隙。本发明优化了封装基板的结构和器件线路铜层的相对位置，改变封装基板器件线路铜层和硅器件及GaN器件的连线关系，不仅实现了共源共栅氮化镓器件的同侧Gate、Drain、Source顺序的管脚排布，同时，也把其中起主要的作用的共源寄生电感优化到了最小值。
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公开(公告)号：CN109192698A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810771532.3
申请日：2018-07-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/76
Abstract: 本发明公开了一种基于InGaN插入层实现GaN器件隔离的方法，该方法包括：准备GaN外延片，GaN外延片的GaN沟道层和AlGaN势垒层之间形成二维电子气，在GaN外延片的隔离区之间设置InGaN插入层，InGaN插入层设置在AlGaN层外，InGaN插入层与AlGaN势垒层的异质结中诱导出极化负电荷，极化负电荷耗尽二维电子气中的电子以实现不同器件区的隔离。本发明实现了器件的隔离，隔离区稳定性高，平坦化好。本方法避免传统GaN器件隔离工序中因离子注入造成的损伤和不稳定性，同时也避免了刻蚀带来的界面损伤和深槽，保证了器件的平坦化，是基于大尺寸平台量产GaN器件工艺中非常好的技术选择。
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公开(公告)号：CN107768249A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710736915.2
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L29/778 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/401 , H01L29/42316 , H01L29/7783
Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法，其凹栅的形成，是通过在所述第一层薄AlGaN势垒层上栅极区域制作二次外延阻挡层，然后再在所述第一层薄AlGaN势垒层上依次外延第二层AlGaN势垒层和GaN帽层，并去除阻挡层来形成，因此在制作凹栅时不需要经过任何干法和湿法刻蚀工艺，避免了刻蚀对AlGaN势垒层表面的损伤，降低界面太，以保证晶体管栅极优异的性能；另外，由于凹栅是通过AlGaN二次外延实现得，从而使得器件具有双AlGaN势垒层，保证了沟道中充足的电子，以使器件具有较大的导通电流。
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公开(公告)号：CN107578999A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710682026.2
申请日：2017-08-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/778 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种栅极区域图形化的高电子迁移率晶体管器件及其制作方法，该方法包括：准备GaN外延片；在GaN外延片的上表面上形成掩膜层；在掩膜层预设形成栅极的区域上开设多个掩膜层开孔；在GaN外延片上形成图形化栅极区域；去除掩膜层；在GaN外延片的上表面和图形化栅极区域内沉积栅介质层；制作源漏电极和栅电极。本发明的方法通过在GaN外延片上刻蚀纳米级的图形化栅极区域，实现器件增强型操作的同时，有效的保证了栅电极下方的2-DEG浓度，提高了增强型器件的导通电流，降低了导通电阻，可以很好的保证制成器件的稳定性和均匀性。其制作工艺均为Si CMOS工艺兼容，工艺复杂度低，可操作性强，为开发基于Si工艺兼容的增强型GaN HEMT量产方案提供了很好的借鉴。
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