公开(公告)号：CN102714176A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180006940.6

申请日：2011-02-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  山中贞则 ,  高田朋幸 ,  本城和彦

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/12 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种电子器件，包括：表面为硅结晶的衬底基板、形成于硅结晶上的部分区域的III-V族化合物半导体结晶、包含III-V族化合物半导体结晶的一部分作为活性层的电子元件、形成于衬底基板上并覆盖该电子元件的绝缘膜、形成于绝缘膜上的电极、贯穿绝缘膜且至少部分形成在绝缘膜上将电子元件与电极电接合的第一接合布线、形成于绝缘膜上的无源元件、以及贯穿绝缘膜且至少部分形成于绝缘膜上将电子元件与无源元件电接合的第二接合布线。

公开(公告)号：CN101897004B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN200880119996.0

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/26 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02516 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明利用廉价且散热特性优良的Si基板来得到高质量的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：单晶Si的基板；绝缘层，其形成在基板之上，并具有开口区域；Ge层，其外延生长在开口区域的基板上；以及GaAs层，其外延生长在Ge层上，其中，Ge层是通过将基板导入能够处于超高真空的减压状态的CVD反应室内，以能够热分解原料气体的第一温度来实施第一外延生长，以高于第一温度的第二温度来实施第二外延生长，以未达到Ge熔点的第三温度来对实施了第一和第二外延生长的外延层实施第一退火，以低于第三温度的第四温度来实施第二退火而形成的。

公开(公告)号：CN101952937A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980105610.5

申请日：2009-02-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/16 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其提高化合物半导体装置的转换速度等性能。半导体基板包括：硅基板；形成于硅基板上且具有抵达硅基板的开口部的绝缘膜；形成于开口部的Ge结晶；以Ge结晶为核进行成长而成、且形成为比绝缘膜的表面更凸出的化合物半导体结晶；以及以化合物半导体结晶为晶种面，在绝缘膜上进行横向成长而成的横向成长化合物半导体层。

公开(公告)号：CN100511737C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200580032135.5

申请日：2005-09-21

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐佐木诚 ,  高田朋幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供一种III-V族化合物半导体。所述III-V族化合物半导体包含n-型层，由式InaGabAlcN表示的厚度不小于300nm的p-型层，和存在于n-型层和p-型层之间的多量子阱结构，所述多量子阱结构具有至少两个包括两个阻挡层和位于阻挡层之间的由InxGayAlzN表示的量子阱层的量子肼结构；并且R/α比率不大于42.5%，其中R是通过X射线衍射测量的量子阱层中氮化铟的平均摩尔分数，α是从因电流注入而由III-V族化合物半导体发出的光的波长计算的氮化铟的摩尔分数。

公开(公告)号：CN1879198A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200480033046.8

申请日：2004-11-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 小广健司 ,  高田朋幸

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02461 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种凹状缺陷少的化合物半导体外延基板的制造方法。化合物半导体外延基板的凹状缺陷生成的抑制方法，其包括如下所述工序，即：在InP单结晶基板、或与InP单结晶基板晶格整合的外延层上，在V/III比：10～100、成长温度：630℃～700℃、成长速度：0.6μm/h～2μm/h的条件下，通过外延成长，而形成InGaAs层。

公开(公告)号：CN103367115A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310193940.2

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8258

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。

公开(公告)号：CN102754189A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180009092.4

申请日：2011-02-23

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02543 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，包括：衬底基板、形成于衬底基板上的第一晶体层、覆盖第一晶体层的第二个晶体层、与第二晶体层相接合形成的第三晶体层；第一晶体层具有：面方向与衬底基板中与第一晶体层相接触面相同的第一晶体面，以及具有与第一晶体面不同的面方向的第二晶体面；第二晶体层具有：面方向与第一晶体面相同的第三晶体面，以及面方向与第二晶体面相同的第四晶体面；第三晶体层分别与第三晶体面及第四晶体面的至少一部分相接合；第二晶体层与第二晶体面相接触区域的厚度相对于第二晶体层与第一晶体面相接触区域的厚度的比值大于第三晶体层与第四晶体面相接触区域的厚度相对于第三晶体层与第三晶体面相接触区域的厚度的比值。

公开(公告)号：CN102668029A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080055735.4

申请日：2010-12-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  高田朋幸 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明提供一种在单一的硅基板上使不同种类的半导体结晶层外延生长时，能够提高表面的平坦性，提高半导体器件的可靠性的半导体基板。该半导体基板其具有：在表面形成了第一凹部及第二凹部的硅结晶的基底基板、在第一凹部的内部形成且为露出状态的第一IVB族半导体结晶、在第二凹部的内部形成的第二IVB族半导体结晶、及形成在第二凹部的内部的第二IVB族半导体结晶上且处于露出状态的III-V族化合物半导体结晶。

公开(公告)号：CN101896999B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200880119995.6

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种具有：Si基板；在基板上结晶生长，并形成为孤立的岛状的Ge层；在Ge层上结晶生长，且由含P的3-5族化合物半导体层构成的缓冲层；以及在缓冲层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。

公开(公告)号：CN102171792A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138964.X

申请日：2009-10-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  秦雅彦 ,  山中贞则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02642 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明涉及一种具有用于形成半导体器件的器件用薄膜、包围器件用薄膜且阻挡器件用薄膜的前体结晶生长的阻挡部、通过前体牺牲生长为结晶而形成的牺牲生长部的半导体器件用基板，其具备在器件用薄膜的周边被阻挡部隔开而设置的牺牲生长部和覆盖牺牲生长部的上部且露出器件用薄膜的上部的保护膜。保护膜可以是聚酰亚胺。