公开(公告)号：CN103003925A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180034216.4

申请日：2011-06-24

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 梅崎智典 ,  日比野泰雄 ,  毛利勇 ,  冈本觉 ,  菊池亚纪应

IPC: H01L21/3065 ,  C07C21/18 ,  C09K13/08

CPC classification number: C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明的干蚀刻剂包含(A)1,3,3,3-四氟丙烯、(B)选自由H2、O2、CO、O3、CO2、COCl2、CF3OF、COF2、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、NO、NH3以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)组成的组中的至少1种添加气体和(C)非活性气体。该干蚀刻剂对地球环境的影响小，可以飞跃性地拓宽工艺窗口，还可应对要求侧蚀刻率小、高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。

公开(公告)号：CN102164857A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980138501.3

申请日：2009-10-27

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 梅崎智典 ,  毛利勇 ,  中原启太

IPC: C01G17/04

CPC classification number: C01G17/04

Abstract: 本发明提供四氟化锗的制造方法，其包括以下工序：向填充有金属锗和稀释气体的反应器中供给氟气的工序；使从反应器放出的气体通过冷却捕集器从而捕集作为反应产物的四氟化锗的工序；使通过冷却捕集器的气体再次返回到反应器而使其循环的工序。通过这样使气体在封闭体系中循环，能够安全且高效地制造四氟化锗。

公开(公告)号：CN104024715B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280065306.4

申请日：2012-12-20

Applicant: 中央硝子株式会社 ,  三兴工业株式会社

Inventor： 梅崎智典 ,  毛利勇 ,  川岛忠幸 ,  梅原规正 ,  西谷友二 ,  宫下直也 ,  片山实千惠 ,  松本幸雄

IPC: F16L19/03 ,  F16J15/08 ,  F16L17/06 ,  F17C13/00

CPC classification number: F17C13/04 ,  F16L19/0212 ,  F17C2205/0305 ,  F17C2205/0373 ,  F17C2205/0394

Abstract: 一种气体充填容器用接头(100)，其包含：主体部(1)，其设置于对充填于气体充填容器中的气体的遮断与供给进行切换的容器源阀侧；管塞(2)，其连接于用于向外部引导充填于气体充填容器中的气体的配管(3)；盖构件(4)，其紧固于主体部的外周，用于向主体部按压管塞；及垫片(5)，其在盖构件的紧固力的作用下被压缩而介于主体部与管塞之间；且该气体充填容器用接头利用垫片将设置于主体部中的气体流路(7)与设置于管塞中的气体流路(8)之间密封连接起来；垫片包含：金属制的密封环(51)，其被压缩于主体部与管塞之间；及壳体(52)，其与密封环设为一体且包围密封环的外周。

公开(公告)号：CN103003925B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201180034216.4

申请日：2011-06-24

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 梅崎智典 ,  日比野泰雄 ,  毛利勇 ,  冈本觉 ,  菊池亚纪应

IPC: H01L21/3065 ,  C07C21/18 ,  C09K13/08

CPC classification number: C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明的干蚀刻剂包含(A)1,3,3,3-四氟丙烯、(B)选自由H2、O2、CO、O3、CO2、COCl2、CF3OF、COF2、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、NO、NH3以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)组成的组中的至少1种添加气体和(C)非活性气体。该干蚀刻剂对地球环境的影响小，可以飞跃性地拓宽工艺窗口，还可应对要求侧蚀刻率小、高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。

公开(公告)号：CN103782369A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280043758.2

申请日：2012-08-08

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 梅崎智典 ,  毛利勇

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其在形成于基板上的、具有硅层和绝缘层层叠而成的层状结构的层叠膜中，对于出现于在与基板面垂直的方向上形成的孔或槽的内侧面的硅层，使用蚀刻气体进行蚀刻时，作为蚀刻气体，使用含有选自ClF3、BrF5、BrF3、IF7、IF5中的至少一种气体和F2的气体。由此，能够抑制硅层的干蚀刻深度的不均匀化。

公开(公告)号：CN103748671A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280041348.4

申请日：2012-08-16

Applicant: 大日本网屏制造株式会社 ,  中央硝子株式会社

Inventor： 基村雅洋 ,  梅崎智典 ,  菊池亚纪应

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/6719 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

Abstract: 一种图案形成方法，其能够在基板上形成从层叠有绝缘膜和导电性膜的层叠膜上所形成的孔的内周面开始有选择性且精度优良地使导电性膜后退的图案。一种图案形成方法，其包括：在基板上以交替方式层叠绝缘膜和多晶硅膜，从而形成分别含有至少两层的前述绝缘膜和前述多晶硅膜的层叠膜的工序；在前述层叠膜上形成贯通至少两层的前述绝缘膜和至少两层的前述多晶硅膜的孔的工序；以及，将用非活性气体稀释氟系卤素气体而成的蚀刻气体导入所述孔内进行各向同性蚀刻，由此从所述孔的侧壁开始有选择性地蚀刻所述多晶硅膜的选择蚀刻工序。

公开(公告)号：CN102143793B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN200980134404.7

申请日：2009-11-09

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 梅崎智典 ,  毛利勇

IPC: B01D53/68 ,  B01D53/77

CPC classification number: B01D53/68 ,  B01D53/1406 ,  B01D53/75 ,  B01D53/76 ,  B01D2251/10 ,  B01D2251/108 ,  B01D2257/2027 ,  B01D2257/204

Abstract: 本发明公开了一种除害方法，其特征在于，其是通过湿式涤气器对至少含有三氟化氯和氟气的混合气体进行除害处理的方法，在通过湿式涤气器进行除害处理之前的阶段中，向所述混合气体中添加卤素气体X2(X＝Cl、Br或I。)，使所述混合气体中的氟气与卤素气体X2(X＝Cl，Br或I。)反应，从而减少所述混合气体中的氟气，将在湿式涤气器中生成的过氯酰氟(ClO3F)的生成防止于未然。

公开(公告)号：CN103430290A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280011571.4

申请日：2012-01-19

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 梅崎智典 ,  武田雄太

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: B08B9/027 ,  C23C16/4405

Abstract: 公开一种干洗方法，其使用清洗气体将装置的成膜腔室内或排气配管内所堆积的组成式MgaZnbOHc（0≤a≤1、0≤b≤1、0≤c≤1，并且0.5≤a+b≤1）所表示的组合物去除，所述装置为将组成式MgxZn1-xO（0≤x≤1）所表示的组合物成膜的装置。该方法的特征在于，其使用包含β-二酮的清洗气体，在100℃以上且400℃以下的温度下，使该清洗气体与堆积的该组合物反应，由此将该组合物去除。通过该方法，能够在低温下不打开该装置而将该组合物去除。

公开(公告)号：CN102741987A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180008023.1

申请日：2011-01-25

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 日比野泰雄 ,  梅崎智典 ,  菊池亚纪应 ,  毛利勇 ,  冈本觉

IPC: H01L21/3065 ,  C07C21/22 ,  C09K13/00

CPC classification number: H01L21/31055 ,  C09K13/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136

Abstract: 本发明的干蚀刻剂的特征在于，其包含由化学式CF3C≡CX（其中，X表示H、F、Cl、Br、I、CH3、CFH2或CF2H。）表示的氟化丙炔和下述中的任一者：（B）选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2以及COF2组成的组中的至少一种气体，（C）选自由F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn（式中，Y表示Cl、Br或I。n表示整数，1≦n≦5。）组成的组中的至少一种气体，以及（D）选自由CF4、CHF3、C2F6、C2F5H、C2F4H2、C3F8、C3F4H2、C3ClF3H以及C4F8组成的组中的至少一种气体，所述干蚀刻剂发挥对环境的负担小这一效果，且工艺窗口广，还可应对要求高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。

公开(公告)号：CN102605344A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210015269.8

申请日：2012-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  中央硝子株式会社

Inventor： 军司勋男 ,  井泽友策 ,  伊藤仁 ,  梅崎智典 ,  武田雄太 ,  毛利勇

IPC: C23C16/44 ,  B08B7/00

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序，边将处理腔室内加热，边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。