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公开(公告)号：CN103748671A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280041348.4
申请日：2012-08-16
Applicant: 大日本网屏制造株式会社 , 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/32135 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/6719 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/66833 , H01L29/7926
Abstract: 一种图案形成方法，其能够在基板上形成从层叠有绝缘膜和导电性膜的层叠膜上所形成的孔的内周面开始有选择性且精度优良地使导电性膜后退的图案。一种图案形成方法，其包括：在基板上以交替方式层叠绝缘膜和多晶硅膜，从而形成分别含有至少两层的前述绝缘膜和前述多晶硅膜的层叠膜的工序；在前述层叠膜上形成贯通至少两层的前述绝缘膜和至少两层的前述多晶硅膜的孔的工序；以及，将用非活性气体稀释氟系卤素气体而成的蚀刻气体导入所述孔内进行各向同性蚀刻，由此从所述孔的侧壁开始有选择性地蚀刻所述多晶硅膜的选择蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN104969333A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007116.6
申请日：2014-01-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其为在处理室内蚀刻处理对象物的硅层的干蚀刻方法，从供给源在供给压力为66kPa～0.5MPa的压力范围供给包含七氟化碘的蚀刻气体，将保持在该压力范围的蚀刻气体导入到减压至比前述供给压力低的压力的处理室，蚀刻前述硅层。在该干蚀刻方法中，在温和的压力条件下使蚀刻气体绝热膨胀来蚀刻硅，因此不担心对装置的负担、装置成本的增加，并且，蚀刻量的面内分布均匀性良好。
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公开(公告)号：CN102713009A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080060752.7
申请日：2010-11-30
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种氟气生成装置，其具备：电解槽，其在熔融盐液面上隔离、划分为第1气室和第2气室，在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气为主成分的主产气体被导入该第1气室，在浸渍于熔融盐中的阴极处生成的以氢气为主成分的副产气体被导入该第2气室；以及精制装置，其使用冷却介质，使从电解槽的熔融盐中气化而混入到由阳极生成的主产气体中的氟化氢气体凝固并捕集，从而精制氟气；在精制装置中为了凝固氟化氢气体而被使用并被排出的冷却介质作为氟气生成装置的各处中使用的公用气体再利用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101883623A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880119103.2
申请日：2008-10-24
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: B01D53/68 , B01D53/77 , B01D2251/304 , B01D2251/306 , B01D2251/60 , B01D2257/204 , B01D2258/0216 , C01B7/0706 , C01B7/195
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够将气体中的ClO3F除去的廉价的除去方法。通过使含有ClO3F作为杂质的气体与还原剂反应，能够廉价地除去气体中的杂质ClO3F。或者，通过使用在水溶液中的标准电极电势为-0.092V以下的还原剂、或者将还原剂在水溶液的状态下用于反应，能够廉价地除去气体中的杂质ClO3F。
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公开(公告)号：CN117642843A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202280046166.X
申请日：2022-06-29
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明通过使含卤素气体与沉积或覆盖有MoFx、或MoFx和MoOFx(其中，x表示大于0且小于6的数)的部件接触，从所述部件去除MoFx、或MoFx和MoOFx的去除MoFx、或MoFx和MoOFx的去除方法、以及包括该去除方法的半导体器件的制造方法，提供一种从沉积或覆盖有以杂质的形式混入MoF6中的MoFx、或MoFx和MoOFx的部件去除该沉积物或覆盖物的方法，以及一种半导体器件的制造方法，其包括从沉积或覆盖有MoFx、或MoFx和MoOFx的半导体器件制造装置去除该沉积物或覆盖物的工序，并能够避免所述制造装置的堵塞、污染。
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公开(公告)号：CN115803313A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180048843.7
申请日：2021-08-04
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C07C209/84
Abstract: 本公开的目的在于，提供一种使粗三烷基胺中的二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺、乙基异丙基胺的浓度降低的新型的方法。本公开为一种三烷基胺的纯化方法，其特征在于，使包含选自由二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺和乙基异丙基胺组成的组中的至少一种作为杂质的粗三烷基胺与沸石接触，使上述粗三烷基胺中的选自由二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺和乙基异丙基胺组成的组中的至少一种的浓度比上述沸石接触前降低。
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公开(公告)号：CN104969333B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201480007116.6
申请日：2014-01-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其为在处理室内蚀刻处理对象物的硅层的干蚀刻方法，从供给源在供给压力为66kPa～0.5MPa的压力范围供给包含七氟化碘的蚀刻气体，将保持在该压力范围的蚀刻气体导入到减压至比前述供给压力低的压力的处理室，蚀刻前述硅层。在该干蚀刻方法中，在温和的压力条件下使蚀刻气体绝热膨胀来蚀刻硅，因此不担心对装置的负担、装置成本的增加，并且，蚀刻量的面内分布均匀性良好。
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