公开(公告)号：CN104900611A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510312334.7

申请日：2015-06-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 苏梅英 ,  郭学平 ,  万里兮 ,  曹立强 ,  周云燕 ,  侯峰泽 ,  王启东

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: 本发明公开了一种基于柔性基板的三维封装散热结构及其制备方法，该三维封装散热结构具有一石墨烯散热片，该石墨烯散热片直接接触于封装体内各芯片的表面，从而在封装体内增加了一条直接通向外部的散热通道。本发明是在基于柔性基板的三维封装过程中，在封装体内埋入超薄且柔韧性较好的石墨烯散热片，从而在封装体内增加了一条直接通向外部的散热通道，利用石墨烯面内超高导热性能，使热量能迅速沿着石墨烯散热片进行面传递，进而使封装体内部芯片产生的热量能够迅速传递出去，提高了封装体内部芯片的散热效率，大大优化了散热效果，增加了器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN102683265A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201110061489.X

申请日：2011-03-15

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 曹立强 ,  戴风伟 ,  王启东 ,  万里兮

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种将碳纳米管束通过转移的方式填充到硅转接板的TSV中的方法。该方法是将碳纳米管束生长在普通硅基底上，然后通过转移的方法将碳纳米管束填充到硅转接板的TSV中。此方法的优势在于碳纳米管束的生长不受温度限制，可以得到任意所需长度的碳纳米管束，不受TSV径和深宽比的限制，通过转移可以使碳纳米管束两端被很好的固定。碳纳米管束填充TSV作为互连不但具有更低的电阻率而且可以避免铜互连电迁移问题。

公开(公告)号：CN119340295A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411520757.3

申请日：2024-10-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 陈钏 ,  付融 ,  王启东 ,  曹立强

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明公开了一种流道结构、冷却装置及电子设备，流道结构包括流道本体，所述流道本体具有相背的第一面及第二面，所述流道本体具有流道槽，所述流道槽的开口位于所述第一面，所述流道槽具有依次连接的第一流段、第二流段及第三流段；所述第一流段远离所述第三流段的一端为进口端，所述第三流段远离所述第一流段的一端为出口端；其中，所述第二流段包括能够引导所述流体旋转的引导结构，由所述第一流段流向所述第二流段的流体流经所述第二流段时发生旋转后流入所述第三流段。本发明提供的流道结构，由于流体能够在引导结构的引导下旋转，使得位于第二流段内不同位置的流体混合，进而使得流体的温度更均匀，进而提高冷却能力。

公开(公告)号：CN119230437A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202310784968.7

申请日：2023-06-29

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 丁飞 ,  王启东 ,  张宇

IPC: H01L21/67 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明涉及一种用于混合键合的晶圆表面介质层改性和图形控制方法，所述的方法包括如下步骤：将晶圆表面介质层进行第一CMP工艺处理，使金属层相对于表面介质层呈凸出形貌；在经过第一CMP工艺处理的表面介质层上进行PECVD工艺处理，沉积一层改性介质层；在所述的改性介质层上进行第二CMP工艺处理，使金属层的上表面与改性介质层上表面齐平，露出金属层上表面；将露出的金属层上表面进行第三CMP工艺处理，使得金属层相对于所述的改性介质层上表面呈凹陷形貌。本发明的方法简化了工艺的处理流程，同时本发明的方法可以提高混合键合的键合强度，键合强度可由之前的1.5‑1.8J/m2提高到2.2‑2.5J/m2。

公开(公告)号：CN118738018A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410951887.6

申请日：2024-07-16

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 陈钏 ,  于中尧 ,  王启东 ,  侯峰泽 ,  尤祥安 ,  刘云婷

IPC: H01L23/498 ,  H05K1/02 ,  H05K1/18 ,  H05K3/00 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供了一种具有高效导热功能的埋置芯片结构及制备方法，涉及半导体结构技术领域。该埋置芯片结构位于芯片结构底部的介质层设计为弯折形式，即底部弯折介质层具有多个第一弯折端和多个第二弯折端，所述第一弯折端相邻所述载板设置，所述第二弯折端远离所述载板设置，以此增加芯片结构底部介质层导热的面积，相当于降低了介质层的热阻，在满足绝缘的情况下，实现了更高效的导热。

公开(公告)号：CN118299364A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410465400.3

申请日：2024-04-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 于中尧 ,  方志丹 ,  杨芳 ,  武晓萌 ,  王启东

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/13

Abstract: 本发明公开一种低翘曲硅桥的基板结构，涉及半导体封装领域，以解决基板内嵌硅桥钻孔加工难度大的问题。基板结构包括：第一布线层和第二布线层均与芯板连接，且相对芯板对称分布；第一ABF布线层的第一面设有第一凸点，且开设底部裸露第一布线层表面铜箔的凹槽，第一ABF布线层与第一布线层连接；第二ABF布线层与第二布线层远离芯板一面连接；硅桥位于凹槽内，其下表面与凹槽底部的铜箔键合。将第一ABF布线层开设的凹槽内贴入硅桥，使得硅桥与凹槽底部裸露的铜箔键合，在硅桥表面无布线层结构覆盖，无需钻孔，方便对基板结构的加工。

公开(公告)号：CN113643986B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202110912826.5

申请日：2021-08-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨杰 ,  王启东

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供了一种提高嵌入式硅桥与芯片间互联精度的结构的制作方法，包括：提供一基础结构，所述基础结构至少包括：封装基板，以及设置在所述封装基板一侧的至少两个高密度焊盘区；对所述封装基板背离所述高密度焊盘区的一侧表面进行开槽处理，以暴露出所述高密度焊盘区；采用TCB工艺将硅桥与所述高密度焊盘区进行倒装互联。该制作方法中硅桥和芯片的互联精度仅仅由TCB工艺带来的精度决定，相比较现有技术的方法而言，可极大程度的提高芯片与硅桥的键合互联精度。

公开(公告)号：CN117174633A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202210584506.6

申请日：2022-05-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 丁飞 ,  王启东 ,  戴风伟 ,  曹立强

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了一种拾取贴片吸头和制备方法、混合键合方法，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中微型芯片直接接触拾取无法保证洁净度、所需空间较大、非接触拾取无法用于微型芯片的问题。吸头包括吸盘以及分体设置的基体和盖体，基体上开设进气通道、配气型腔、气旋通道和气旋型腔；气旋通道的出气方向与气旋型腔的径向的角度大于0°且小于等于90°。制备方法包括加工基体和盖体，密封连接。混合键合方法包括采用拾取贴片吸头对微型芯片的正面进行拾取；将微型芯片的背面放置于接触吸头上；将微型芯片的正面与晶圆接触进行加压贴片。拾取贴片吸头和制备方法、混合键合方法可用于微型芯片的贴片。

公开(公告)号：CN115910809A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202111107815.6

申请日：2021-09-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 丁飞 ,  戴风伟 ,  王启东 ,  曹立强

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种芯片至晶圆直接混合键合方法和三维堆叠集成器件，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中无法采用完整成熟的工艺流程实现芯片至晶圆直接混合键合的问题。该方法为在待划片晶圆正面涂覆保护胶层，加热固化；对待划片晶圆反面进行减薄和贴承载膜；对待划片晶圆进行一次划片和清洗，得到多个待激活芯片；对待激活芯片以及目标晶圆进行激活等离子激活，得到激活芯片和激活目标晶圆；对激活芯片和承载膜进行减键合和倒装预键合，得到待处理器件；对待处理器件依次进行退火和二次划片。本发明的芯片至晶圆直接混合键合方法和三维堆叠集成器件可实现芯片至晶圆直接混合键合。

公开(公告)号：CN115763419A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211599771.8

申请日：2022-12-12

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 葛宏林 ,  侯峰泽 ,  周云燕 ,  尤祥安 ,  王启东

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14

Abstract: 本申请公开一种纳米金属低温烧结结构及其制备方法，涉及半导体功率器件封装领域。纳米金属低温烧结结构包括：具有至少两个功率芯片放置孔的载板、至少两个功率芯片、金属化层、烧结金属层、支撑结构和具有多个通孔的基板；功率芯片设置在功率芯片放置孔，金属化层和烧结金属层依次设置在功率芯片上；支撑结构设置于载板两侧，支撑结构用于承载基板；通孔在载板上的正投影和功率芯片在载板上的正投影具有重合区域，支撑结构让功率芯片不再受力于整个基板，通过基板与功率芯片倒置的结构可以避免烧结金属层的纳米焊膏大量流入基板的通孔中，由于通孔的存在使充分发挥烧结金属性能的同时也可以实现烧结金属层中的纳米焊膏的低温烧结。