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公开(公告)号：CN116520492A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310438860.2
申请日：2023-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种定向耦合装置。该定向耦合装置包括第一波导，所述第一波导包括依次连接的第一传输部、第一耦合部和第二传输部；第二波导，所述第二波导包括依次连接的第二耦合部和第四传输部；所述第一耦合部、第二耦合部为弯曲波导，两者组成耦合结构；所述第一耦合部的曲率半径与所述第二耦合部的曲率半径互不相同且在各自弯曲耦合部分上恒定。本发明在结构简单易于制造的同时降低了耦合装置对输入光波长和偏振的敏感度。
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公开(公告)号：CN115939250A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211319485.1
申请日：2022-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , G01J1/42
Abstract: 本发明涉及一种面入射型SACM结构雪崩光电探测器。该光电探测器从上至下依次为具有内应力的氮化硅层、第一电极层、光吸收层、场控制层、倍增层、第二电极层、具有内应力的氮化硅层以及衬底层。该光电探测器引入氮化硅作为应力源改变了锗材料的能带结构，提高了器件的光吸收率，可以在扩展探测波长的同时保持高响应度。
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公开(公告)号：CN115308833A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210821104.3
申请日：2022-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于桥型电磁线圈的集总型折叠迈克尔逊电光调制器，包括光波导部分和电极部分，所述光波导部分包括：多模干涉耦合器、生长在第一平板区上的第一波导、生长在第二平板区上的第二波导；其中，第一波导和第二波导均至少有一个折弯并形成U型区域；电极部分包括上金属层、下金属层和桥型电磁线圈，下金属层布置在第二波导外侧以及第二波导形成的U型区域之间，并通过第一连接与第二平板区连接；上金属层位于下金属层上方，并通过第二连接与下金属层连接；上金属层还与桥型电磁线圈相连，桥型电磁线圈一端与信号输入端相连，另一端与终端电阻一端连接，终端电阻的另一端与上金属层连接。本发明能够减小尺寸，并且提高器件的带宽性能。
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公开(公告)号：CN113568100A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110786320.4
申请日：2021-07-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于中红外波段的悬空型偏振分束器，包括条形硅波导和亚波长光栅平板波导结构，所述条形硅波导包括第一波导、第二波导和第三波导，所述亚波长光栅平板波导结构作为支撑结构，用于支撑所述第一波导、第二波导和第三波导；所述第二波导位于第一波导和第三波导之间，且分别与所述第一波导的耦合区域和第三波导的耦合区域耦合；所述第三波导的第一端作为所述悬空型偏振分束器的输入端，第二端作为所述悬空型偏振分束器的直通端；所述第一波导的第二端作为所述悬空型偏振分束器的交叉端。本发明可以降低二氧化硅衬底的吸收损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112305667B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910689392.X
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种光波导器件及其制备方法。制备方法包括：形成图形化的复合衬底，其自下而上依次包括底部半导体层、绝缘层及顶部半导体层；复合衬底内形成有凹槽，凹槽贯穿绝缘层且被顶部半导体层所覆盖；对凹槽上方的顶部半导体层进行光刻刻蚀以形成光波导；对光波导进行第一浓度的离子注入以于光波导中形成第一P型注入区和与第一P型注入区相邻的第一N型注入区；对光波导外围的顶部半导体层进行第二浓度的离子注入以分别形成第二P型注入区和第二N型注入区；于第二P型注入区及所述第二N型注入区表面形成金属电极。本发明有利于简化光波导器件的制备工艺和降低生产成本，有助于提高器件性能。
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公开(公告)号：CN113376772A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110697341.9
申请日：2021-06-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于锗硅电吸收调制器的硅光收发模块，包括电芯片部分和光芯片部分，所述光芯片部分包括发射模块和接收模块；所述发射模块包括激光器、锗硅电吸收调制器、第一转换器和第一耦合器；所述锗硅电吸收调制器与所述电芯片部分相连，用于将所述激光器发出激光加载上经过所述电芯片部分的电信号成为光信号，所述光信号依次通过所述第一转换器和第一耦合器进入光传输部分；所述接收模块包括锗硅探测器、第二转换器和第二耦合器；所述锗硅探测器与所述电芯片部分相连，用于探测依次经过第二耦合器和第二转换器的光信号，并将所述光信号转换为电信号；所述锗硅电吸收调制器和所述锗硅探测器采用相同的垂直结构。本发明能够降低制造成本。
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公开(公告)号：CN111679364A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010487984.6
申请日：2020-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及一种应用于中红外波段的悬空型边缘耦合器，包括三端口倒锥形耦合器(1)、悬空脊型波导(2)和悬梁臂支撑结构(3)。本发明通过独特的结构设计增大了耦合效率，同时增大了工艺容差，也为测试带来了极大的方便，解决了中红外波段波导-光纤耦合损耗大的问题，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119596539A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411572671.5
申请日：2024-11-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种光学相控阵非等周期排布的优化方法，包括以下步骤：获取光学相控阵的远场光强分布表达式；设定所述光学相控阵中各通道的间距构成的序列为待优化向量；以所述待优化向量为免疫个体，使用免疫优化算法求解获得最优的各通道间距，使得所述光学相控阵在预设扫描范围内有最低的栅瓣抑制比。本发明能够实现在大的波导间距下的栅瓣抑制，同时提高发射孔径，降低光束发散角。
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公开(公告)号：CN119535821A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411528559.1
申请日：2024-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于电吸收调制器的2.5D/3D光电共封装装置及其制备方法，包括锗硅电吸收调制器(1)。本发明通过面向高性能计算的光互连架构设计、利用波分复用技术拓宽单光纤通道数、多波长下稳定工作的高性能锗硅电吸收调制器设计、带有高质量选择性外延生长的单晶锗硅材料的有源转接板工艺开发，实现面向光IO的高速率、大带宽、小体积的TSV有源硅转接板2.5D/3D光引擎。
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