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公开(公告)号：CN115939250A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211319485.1
申请日：2022-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , G01J1/42
Abstract: 本发明涉及一种面入射型SACM结构雪崩光电探测器。该光电探测器从上至下依次为具有内应力的氮化硅层、第一电极层、光吸收层、场控制层、倍增层、第二电极层、具有内应力的氮化硅层以及衬底层。该光电探测器引入氮化硅作为应力源改变了锗材料的能带结构，提高了器件的光吸收率，可以在扩展探测波长的同时保持高响应度。
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