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发明公开
一种基于电吸收调制器的2.5D/3D光电共封装装置及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119535821A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411528559.1

申请日：2024-10-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 蔡艳 , 代德华 , 王书晓

IPC: G02F1/015 , G02F1/01 , G02B6/12 , G02B6/136

Abstract: 本发明涉及一种基于电吸收调制器的2.5D/3D光电共封装装置及其制备方法，包括锗硅电吸收调制器(1)。本发明通过面向高性能计算的光互连架构设计、利用波分复用技术拓宽单光纤通道数、多波长下稳定工作的高性能锗硅电吸收调制器设计、带有高质量选择性外延生长的单晶锗硅材料的有源转接板工艺开发，实现面向光IO的高速率、大带宽、小体积的TSV有源硅转接板2.5D/3D光引擎。

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