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公开(公告)号：CN111029266A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911154978.2
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明适用于倒装芯片技术领域，提供了一种制备钉头凸点的方法及钉头凸点。其中，所述方法包括：在金属丝的尾端熔出第一金属球；将所述第一金属球焊接在载体上的预设位置，形成第一凸点；在所述金属丝与所述第一凸点的连接处熔出第二金属球，并将所述第二金属球焊接在所述第一凸点上，形成第二凸点；断开所述金属丝与所述第二凸点的连接，在所述载体上的预设位置处形成包含所述第一凸点和所述第二凸点的钉头凸点。通过本发明所提供的方法制备的钉头凸点具备一定的高度，使得钉头凸点在高频芯片3D堆叠集成方面也可以得到较好的应用，从而扩展了钉头凸点的应用范围。
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公开(公告)号：CN111394776B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010265703.2
申请日：2020-04-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种晶圆双面电镀自锁紧挂具，属于半导体电镀领域，包括承载片、用于将晶圆压紧固定在承载片上的压紧片、以及设置在承载片与压紧片之间的锁紧机构，承载片上设置有用于容纳晶圆的圆形凹槽，圆形凹槽的底部还设置有用于将晶圆与外部电路连通的导电环，压紧片上设置有与圆形凹槽适配的压紧凸起，圆形凹槽的底部设置有贯穿承载片的第一让位孔，压紧片上设置有贯穿压紧片与压紧凸起的第二让位孔。本发明提供的晶圆双面电镀自锁紧挂具，通过设置第一让位孔与第二让位孔使晶圆的两侧面均可以接触到电镀液，使晶圆在电镀过程中可以实现双面同时电镀，提高了晶圆电镀的工作效率。
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公开(公告)号：CN111276443B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010084967.8
申请日：2020-02-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及微电子领域，特别涉及一种微波薄膜混合集成电路的制备方法。该方法包括：在衬底上打孔形成通孔；在器件正面和背面沉积种子层；其中，所述种子层覆盖器件正面、器件背面和通孔；通过临时填充层填充所述通孔；通过真空吸附的方法将器件固定，并在器件正面旋涂光刻胶；对器件正面进行光刻，在器件正面的预设区域形成光刻胶掩膜；其中，所述预设区域以外的区域所对应的种子层为电路图形；去除所述临时填充层；对器件进行电镀加厚处理，使所述电路图形加厚；去除所述光刻胶掩膜；去除预设区域的种子层。上述方法可以在涂覆光刻胶的步骤中使用真空吸附的方法固定器件，降低了工艺难度，且提高了成片的质量。
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公开(公告)号：CN114721098A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210164043.8
申请日：2022-02-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G02B6/42 , H01L31/0232 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种光电耦合器件，包括管壳基板、光芯片、光学元件和连接支架，连接支架位于管壳基板和光学元件之间。其明热塑性粘固材料受热熔化变形过程中，光学元件的偏移量较小，偏移量可控性更强，继而实现精准耦合。本发明还提供一种光电耦合器件制造方法，能实现精准耦合，同时，相比于传统的光电耦合中采用激光焊接等方式，该方法操作简单，相较于其他光电耦合过程，操作难度更低，操作过程中的参数少且易控制，重复性较好，有利于实现自动化生产，生产效率较高。
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公开(公告)号：CN114695129A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210148236.4
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L23/053 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种表面凹槽金属化热沉结构陶瓷管壳的制备方法及陶瓷管壳，属于陶瓷管壳制备技术领域，包括：在陶瓷基板的正面和/或背面刻蚀凹槽；在陶瓷基板的正面和背面气相沉积金属种子层；在金属种子层上粘附n层光敏材料；在光敏材料上进行预设图形的曝光和显影，形成线路图案；在显露出的金属种子层上面沉积金属形成金属化图形，在凹槽内沉积金属形成热沉金属块；通过物理打磨将金属化图形减薄；去除陶瓷基板上剩余的光敏材料；刻蚀露出的金属种子层在非图形区域上制备镍钯金金属层。本发明在接触芯片的陶瓷表面开槽，生长热沉金属块，热沉金属块将芯片产生的热量带走并散发出去，芯片周围温度较低，工作稳定性大幅提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113913876A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111050628.9
申请日：2021-09-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种金属内部高精度加工成型方法，所述金属内部高精度加工成型方法首先加工出与需要成型的零件的内孔结构相同的芯体，然后对芯体进行电镀，使得芯体外包裹一定厚度的电镀层，再然后通过加工电镀层，加工出需要成型的零件的外部结构，最后通过腐蚀液将芯体腐蚀，但是电镀层不与腐蚀液反应，加工出需要成型的零件的内孔。本发明提供的金属内部高精度加工成型方法只需要电镀设备及加工机床等常规加工设备便能实现不规则内孔类零件的加工成型，无需购买昂贵的3D打印设备。
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公开(公告)号：CN112687617A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011551776.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种绝缘子针的制备方法及绝缘子针，该方法包括：分别在上基板和下基板上制备阵列方式排列的多个过孔，并在上基板和下基板的表面以及过孔内溅射种子层；通过逐层电镀的方式，在溅射种子层的上基板和下基板的过孔内、上下表面电镀预设高度的金属；刻蚀掉电镀后的上基板和下基板上未电镀区域的种子层；在刻蚀后的上基板和下基板的金属表面制备保护层；将制备保护层的上基板的第一围墙和制备保护层的下基板的第三围墙对应键合，形成空气同轴绝缘子针。本发明绝缘子针的针间距一体化设计，可以提高金属管壳高密度互联的需求，且在绝缘子针表面形成安装面，使射频端就近接地隔离，损耗小且高频特性好。
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公开(公告)号：CN112378716A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011059961.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种CBGA器件的可焊性试验制样方法，属于表面贴装技术领域，包括以下步骤：在CBGA器件的各个锡球的顶部均匀施加锡膏；将施加了锡膏的CBGA器件的锡球朝上进行加热至锡膏熔化；在熔化的锡膏静置冷却后对CBGA器件进行气相清洗，获得试验样品。本发明提供的一种CBGA器件的可焊性试验制样方法，操作简单，锡膏施加效率高，且在CBGA器件的各个锡球上施加的锡膏均匀性好，能够根据获得的试验样品方便准确的判断CBGA器件的可焊性。
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公开(公告)号：CN112018066A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010734470.6
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/66
Abstract: 本发明提供了一种基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构，属于微波器件技术领域，包括陶瓷基板、射频信号背面引脚焊盘、射频信号正面引脚焊盘、接地正面引脚焊盘、接地背面引脚焊盘、背面接地区、芯片安装区、顶层封口环和垂直接地孔组，射频信号正面引脚焊盘通过射频信号侧面垂直过渡半孔与射频信号背面引脚焊盘垂直互联；接地正面引脚焊盘通过接地侧面垂直过渡半孔与接地背面引脚焊盘垂直互联；背面接地区设置于第三层陶瓷阶梯的背面；芯片安装区设置于第三层陶瓷阶梯的正面；垂直接地孔组垂直贯穿陶瓷基板。本发明提供的基于HTCC的高频垂直互联结构，寄生电感小，能够提高在高频时的传输性能，满足高频封装的需求。
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公开(公告)号：CN111029310A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911155010.1
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种气密封装器件及气密封装方法，气密封装器件包括：封装外壳，采用陶瓷基板作为封装底板，陶瓷基板设有贯穿陶瓷基板的上表面和下表面的第一通孔，陶瓷基板的第一通孔内部填充金属，第一通孔内的金属记为第一金属柱；至少两个第一芯片，安装在所述封装外壳的内部、且设置在所述陶瓷基板上，第一芯片的焊盘通过键合线与陶瓷基板上的第一金属柱连接；隔离墙，设置在封装外壳内将封装外壳分成不同的气密腔，需要隔离的第一芯片设置在不同的气密腔中。本发明通过在封装外壳内设置隔离墙，隔离墙将需要隔离的芯片隔离，是芯片之间互不干扰，提高了气密封装器件的隔离度，进而提升了气密封装器件的性能。
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