公开(公告)号：CN101552186A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910129588.X

申请日：2009-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  中山博之 ,  佐藤学

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其能够使用电容耦合型的等离子体蚀刻装置任意且精密地控制蚀刻形状。在该电容耦合型等离子体蚀刻装置中，向基座(12)分别施加来自第一和第二高频电源(30、32)的等离子体生成用的第一高频、离子引入用的第一高频。从可变直流电源(74)输出的可变的直流电压VDC通过导通/断开切换开关(76)和滤波器(82)施加在上部电极(60)上。在控制部(80)中使用的软件中编入有用于根据蚀刻工艺的种类、内容、条件而对直流电压VDC时时刻刻地连续地进行可变控制的程序。

公开(公告)号：CN1956155A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610137154.0

申请日：2006-10-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 北村彰规 ,  本田昌伸 ,  平井希 ,  中村昌洋 ,  杉本达也

IPC: H01L21/311 ,  G05B19/02

Abstract: 以光致抗蚀剂膜作为掩模，在光致抗蚀剂膜上，有选择地等离子体蚀刻SiO2膜，形成通孔。在等离子体蚀刻中，使用包含用CxFyO(x为4或5，y为整数，y/x为1～1.5)表示的含有不饱和氧的碳氟化合物气体的蚀刻气体。作为含有不饱和氧的碳氟化合物气体，使用例如C4F4O气体和C4F6O气体。

公开(公告)号：CN119816786A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380053980.9

申请日：2023-06-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中根由太 ,  小野健太 ,  熊仓翔 ,  西冢哲也 ,  本田昌伸

IPC: G03F7/36 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法。基板处理方法包括以下工序：(a)在处理腔室内的基板支撑部上提供具有基底膜及设置于该基底膜上且由含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的基板，在该工序中，该含金属抗蚀剂具有第1区域及第2区域。基板处理方法还包括以下工序：(b)向处理腔室内供给包含羧酸的处理气体，使基板暴露于该羧酸，并相对于第1区域选择性地去除第2区域，从而对抗蚀剂膜进行干式显影。在(b)中，羧酸的压力或分压为0.3Torr(40Pa)以上且小于100Torr(13332Pa)。

公开(公告)号：CN119585843A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380054380.4

申请日：2023-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西塚哲也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供了一种调节显影图案形状的技术。本公开中的基板处理方法包括：(a)提供具有底膜和所述底膜上的抗蚀剂膜的基板的工序，所述抗蚀剂膜具有第一区域和第二区域；(b)除去所述第二区域的至少一部分，使所述第一区域的侧面的至少一部分露出的工序；(c)在所述第一区域的至少上面形成沉积膜的工序；和(d)除去所述沉积膜的至少一部分和所述第二区域的至少一个的工序。

公开(公告)号：CN117769755A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202280052235.8

申请日：2022-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永关一也 ,  茂山和基 ,  桧森慎司 ,  本田昌伸 ,  照内怜

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；在上述基片支承部的上述载置面上形成由液体的层和可变形的固体的层中的至少任一者构成且可变形的、针对上述温度调节对象体的传热层的步骤；和对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤。

公开(公告)号：CN116072538A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211308033.3

申请日：2022-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川慎也 ,  小野健太 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够控制开口尺寸。等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，提供具备蚀刻对象膜和掩模膜的基板，掩模膜形成于蚀刻对象膜的上表面，掩模膜具有在蚀刻对象膜的上表面规定出至少一个开口的侧面和从侧面延伸出到蚀刻对象膜的上表面的至少一部分的延伸部；工序(b)，在掩模膜的至少侧面形成沉积膜；以及工序(c)，使用由第一处理气体生成的等离子体，至少对沉积膜的一部分进行蚀刻来使沉积膜的厚度减少，其中，第一处理气体包含用于对蚀刻对象膜进行蚀刻的气体，执行工序(c)直到在深度方向上蚀刻对象膜的一部分被蚀刻以使得延伸部被去除为止。

公开(公告)号：CN113823559A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110654318.1

申请日：2021-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野健太 ,  石川慎也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种为了对基片进行蚀刻而形成保护膜的技术。所公开的蚀刻方法包括：在基片的表面上形成保护膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和设置在该区域上的掩模。保护膜包含锡原子。蚀刻方法还包括：蚀刻基片内的区域的步骤。

公开(公告)号：CN113270315A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110067048.4

申请日：2021-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  新关智彦 ,  胜沼隆幸 ,  笹川大成 ,  中根由太 ,  石川慎也 ,  小野健太 ,  熊仓翔 ,  泷野裕辅 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN113169066A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980076470.7

申请日：2019-07-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。

公开(公告)号：CN112509920A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202010914258.8

申请日：2020-09-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  本田昌伸 ,  中根由太 ,  石川慎也

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种利用容易与有机膜一起被去除的保护膜，来抑制因有机膜的等离子体蚀刻而导致的弓形歪曲的发生的蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统。在一个例示的实施方式中，提供了一种蚀刻方法。蚀刻方法包括对有机膜执行等离子体蚀刻的步骤(a)。在有机膜上形成有掩模。通过等离子体蚀刻在有机膜形成凹部。蚀刻方法还包括在划分出凹部的有机膜的侧壁面上形成有机保护膜。蚀刻方法还包括在步骤(b)之后执行对有机膜的进一步等离子体蚀刻的步骤(c)。