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公开(公告)号：CN106847729B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610862566.4
申请日：2013-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供基板清洗装置以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。
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公开(公告)号：CN110270558A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910393879.3
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。能够抑制基底膜被侵蚀并去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序和剥离处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，向表面具有亲水性的基板供给含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使该处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。
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公开(公告)号：CN104624561B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201410639940.5
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。能够抑制基底膜被侵蚀并去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序和剥离处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，向表面具有亲水性的基板供给含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使该处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。
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公开(公告)号：CN104637784B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201410641257.5
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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公开(公告)号：CN104624561A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410639940.5
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。能够抑制基底膜被侵蚀并去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序和剥离处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，向表面具有亲水性的基板供给含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使该处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100395872C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610057724.5
申请日：2006-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及一种除去基板附着物的基板表面处理方法，其具有：用药液清洗上述基板的药液清洗步骤；在规定压力下，将所述附着物暴露在含有氨和氟化氢的混合气体氛围中的附着物暴露步骤；和将暴露在所述混合气体氛围中的所述附着物加热至规定温度的附着物加热步骤。
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公开(公告)号：CN100367473C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN02822052.8
申请日：2002-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置及基片处理方法，在基片的表面形成氧化膜时，能够以均匀的膜厚形成比以往薄的氧化膜。作为向基片(W)供给处理液而进行处理的基片处理装置(12)，具有对所说处理液的温度进行调整的温度调整装置(133)、以及、对接近于所说晶片(W)的背面配置的下盘(77)的温度进行调节的下盘温度调节机构(115)。
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公开(公告)号：CN1965395A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018436.2
申请日：2005-04-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B1/04 , H01L21/67046
Abstract: 本发明提供一种基板清洁装置和基板清洁方法。使刷子(3)在旋转的同时与基板W接触，并使刷子(3)的清洁位置相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动。通过双流体喷嘴(5)将由液滴和气体组成的处理液喷射到基板W上，使双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动，而刷子(3)的清洁位置Sb从中心部向周边部移动，双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn定位成比刷子(3)的清洁位置Sb更靠近中心P0。由于可以防止刷子上的污染物传递到晶片上，因此能够避免污染晶片。
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公开(公告)号：CN110504165B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910375455.4
申请日：2019-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于，在对基板上的含硅膜进行蚀刻时，减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度；和/或，在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时，使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置，其具备如下给气部(12)：对上述含硅膜供给至少包含F2气的第一含氟气体和至少包含ClF3气体、IF7气体、IF5气体或SF6气体的第二含氟气体两者。
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公开(公告)号：CN110462794B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201880020478.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)，其以规定的供给压力供给用于生成气体团簇的气体，将该气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使该气体团簇化；以及压力控制部(15)，其设置于质量流量控制器(14)与团簇喷嘴(11)的之间的配管(12)，并且具有对用于生成气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器(17)。
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