公开(公告)号：CN1582489A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02822052.8

申请日：2002-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 折居武彦 ,  天井勝

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明提供一种基片处理装置及基片处理方法，在基片的表面形成氧化膜时，能够以均匀的膜厚形成比以往薄的氧化膜。作为向基片(W)供给处理液而进行处理的基片处理装置(12)，具有对所说处理液的温度进行调整的温度调整装置(133)、以及对接近于所说晶片(W)的背面配置的下盘(77)的温度进行调节的下盘温度调节机构(115)。

公开(公告)号：CN100367473C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN02822052.8

申请日：2002-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 折居武彦 ,  天井勝

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明提供一种基片处理装置及基片处理方法，在基片的表面形成氧化膜时，能够以均匀的膜厚形成比以往薄的氧化膜。作为向基片(W)供给处理液而进行处理的基片处理装置(12)，具有对所说处理液的温度进行调整的温度调整装置(133)、以及、对接近于所说晶片(W)的背面配置的下盘(77)的温度进行调节的下盘温度调节机构(115)。