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公开(公告)号：CN100377317C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200480011043.4
申请日：2004-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器(18)内，去除形成在被处理体(W)表面的硅氧化膜，使用HF气体与NH3气体的混合气体去除所述硅氧化膜。通过如此使用HF气体与NH3气体的混合气体可有效地去除形成在被处理体表面的硅氧化膜。
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公开(公告)号：CN100347823C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200380102592.8
申请日：2003-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/67253 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的热处理装置配备：保持多个基板的保持器；搬入所述保持器的反应容器；把处理气体供给所述反应容器的处理气体供给机构；和在所述处理气体供给时，对所述反应容器加热，对基板施以成膜处理的加热机构，使在一批量处理中预定处理的基板枚数数据与所述处理气体的流量参数目标值数据对应的流量参数表数据储存在流量参数表数据存储部内。控制机构根据在一批量处理中预定处理的基板实际枚数，基于在所述流量参数表数据存储部内储存的流量参数表数据，得到所述处理气体流量参数目标值数据，并遵从该目标数据，控制所述处理气体供给机构。所述流量参数目标值数据按照如下方式决定：使在预定处理的基板枚数相互各异的批量处理间成膜速度一致。
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公开(公告)号：CN1908228A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610108370.2
申请日：2006-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: 这本发明提供一种成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体；含有选自氮化气体、氧氮化气体和氧化气体中的气体的第二处理气体；和吹扫气体的处理区域内，利用CVD，在被处理基板上形成含有硅的绝缘膜，其交互地具有第一～第四工序。在第一、第二、第三和第四工序中，分别供给第一处理气体、吹扫气体、第二处理气体以及吹扫气体，停止剩下的两种气体的供给。在第一工序至第四工序，通过配置开度调整用阀的排气通路继续给处理区域内真空排气。将第一工序的阀开度设定为第二和第四工序的阀开度的5～95％。
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公开(公告)号：CN1777980A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480011043.4
申请日：2004-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器(18)内，去除形成在被处理体(W)表面的硅氧化膜，使用HF气体与NH3气体的混合气体去除所述硅氧化膜。通过如此使用HF气体与NH3气体的混合气体可有效地去除形成在被处理体表面的硅氧化膜。
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公开(公告)号：CN113302723B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080007255.4
申请日：2020-02-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/321 , H01L21/768 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法，包括：平坦化工序、层叠工序、孔形成工序、埋入工序以及去除工序。在平坦化工序中，通过使在第一孔埋入有导电材料的基板的表面平坦化，使被埋入至第一孔的导电材料露出，其中，形成该第一孔的区域是在层叠在基板上的绝缘膜上的区域且是被隔离膜包围的区域内。在层叠工序中，在基板的表面层叠掩模膜。在孔形成工序中，以使被埋入至第一孔的导电材料的上表面的至少一部分露出的方式，在掩模膜形成第二孔。在第二埋入工序中，在第二孔埋入导电材料。在去除工序中，去除掩模膜。
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公开(公告)号：CN110233096B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201910142632.4
申请日：2019-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。
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公开(公告)号：CN111560601B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010081889.6
申请日：2020-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供提高含金属膜的连续性的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法具备如下工序：准备基板的工序；将载置所述基板的载物台的温度加热到第1温度，向所述基板供给第1原料气体而在所述基板的表面形成晶种层的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到第2温度，向形成了所述晶种层的所述基板供给第2原料气体和第1还原气体而使含金属膜成膜的工序。
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公开(公告)号：CN109778140B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201811346299.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/06 , C23C16/24 , C23C16/42 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种能够防止氟混入膜中的清洁方法和成膜方法。一个实施方式的清洁方法是一种执行成膜处理的成膜装置的清洁方法，在成膜处理中，在处理容器内对搭载于基板保持器具的基板形成硅膜、锗膜或硅锗膜，所述清洁方法包括清洁工序，在该清洁工序中，在将所述成膜处理之后被保管在进行了露点管理的气氛中且没有搭载所述基板的所述基板保持器具收容在所述处理容器内的状态下，向所述处理容器内供给不含氟的含卤气体，来对附着在包含所述基板保持器具的所述处理容器内的所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜进行蚀刻，以将所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜去除。
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公开(公告)号：CN110189982A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910126154.8
申请日：2019-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及膜形成方法和基板处理装置。[课题]提供能形成具有良好的表面粗糙度的膜的膜形成方法。[解决方案]一实施方式的膜形成方法具备如下工序：有机物去除工序，向基底供给含氢气体和含氧气体，将有机物去除，所述有机物附着于在前述基底的表面产生的氧化膜；氧化膜去除工序，在前述有机物去除工序后，向前述基底供给含卤素气体和碱性气体，将形成于前述基底的表面的氧化膜去除；和，成膜工序，在前述氧化膜去除工序后，在前述基底的表面成膜为规定的膜。
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公开(公告)号：CN105369212B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201510494158.3
申请日：2015-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈田充弘
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C16/0272 , C23C16/029 , C23C16/22 , C23C16/45578 , C23C16/52 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供锗膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法用于在被处理体的被处理面上形成锗膜，其中，该锗膜的成膜方法包括：工序一，向容纳有所述被处理体的处理室内供给氨基硅烷系气体；工序二，向所述处理室内供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体；以及工序三，向所述处理室内供给锗源气体，使所述工序三中的处理温度为所述锗源气体产生热分解的温度以上且300℃以下。
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