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公开(公告)号：CN100347823C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200380102592.8
申请日：2003-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/67253 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的热处理装置配备：保持多个基板的保持器；搬入所述保持器的反应容器；把处理气体供给所述反应容器的处理气体供给机构；和在所述处理气体供给时，对所述反应容器加热，对基板施以成膜处理的加热机构，使在一批量处理中预定处理的基板枚数数据与所述处理气体的流量参数目标值数据对应的流量参数表数据储存在流量参数表数据存储部内。控制机构根据在一批量处理中预定处理的基板实际枚数，基于在所述流量参数表数据存储部内储存的流量参数表数据，得到所述处理气体流量参数目标值数据，并遵从该目标数据，控制所述处理气体供给机构。所述流量参数目标值数据按照如下方式决定：使在预定处理的基板枚数相互各异的批量处理间成膜速度一致。
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公开(公告)号：CN1260785C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02811742.5
申请日：2002-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/67259 , H01L21/67253 , H01L21/68 , H01L22/20 , Y10S414/135 , Y10S414/136
Abstract: 一种半导体处理的系统(10)包含测定部(40)、信息处理部(51)以及控制部(52)。测定部(40)测定实施过半导体处理的被处理基板(W)上的试验对象膜的特性。信息处理部(51)根据试验对象膜上的多个位置的由测定部(40)测定的特性的值，算出使特性的面内均匀性提高所必要的被处理基板(W)的位置修正量。控制部(52)在为了进行半导体处理而将接下来的被处理基板(W)通过移载装置(30)向支持部件(17)移载时，根据位置修正量控制移载装置(30)的驱动部(30A、32A)。
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公开(公告)号：CN1515028A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN02811742.5
申请日：2002-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/67259 , H01L21/67253 , H01L21/68 , H01L22/20 , Y10S414/135 , Y10S414/136
Abstract: 一种半导体处理的系统(10)包含测定部(40)、信息处理部(51)以及控制部(52)。测定部(40)测定实施过半导体处理的被处理基板(W)上的试验对象膜的特性。信息处理部(51)根据试验对象膜上的多个位置的由测定部(40)测定的特性的值，算出使特性的面内均匀性提高所必要的被处理基板(W)的位置修正量。控制部(52)在为了进行半导体处理而将接下来的被处理基板(W)通过移载装置(30)向支持部件(17)移载时，根据位置修正量控制移载装置(30)的驱动部(30A、32A)。
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公开(公告)号：CN1298028C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN02819922.7
申请日：2002-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67253 , F27D19/00 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , Y10T29/41
Abstract: 一种热处理方法，在对比被处理体保持件的最大能够处理数少的数量的被处理体进行热处理的情况下，从以比被处理体保持件的最大能够处理数少的基准数量为最大值而设定的1个或2个以上的被处理体数量范围，指定要处理的被处理体的数量所属的被处理体数量范围。按照对应该指定的被处理体数量范围而设定的载置模式来载置被处理体。按照对应该载置模式而预先设定的处理条件来进行热处理。热处理装置备有用于实行上述热处理方法的控制装置而成。
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公开(公告)号：CN1565050A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN02819922.7
申请日：2002-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67253 , F27D19/00 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , Y10T29/41
Abstract: 一种热处理方法，在对比被处理体保持件的最大能够处理数少的数量的被处理体进行热处理的情况下，从以比被处理体保持件的最大能够处理数少的基准数量为最大值而设定的1个或2个以上的被处理体数量范围，指定要处理的被处理体的数量所属的被处理体数量范围。按照对应该指定的被处理体数量范围而设定的载置模式来载置被处理体。按照对应该载置模式而预先设定的处理条件来进行热处理。热处理装置备有用于实行上述热处理方法的控制装置而成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112041968B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201980024973.X
申请日：2019-04-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 【技术问题】在对被处理体供给药液来进行处理时，防止在处理中产生异常，或者检测药液流路中的含有聚合物的药液相对于其他药液是否为希望的比例。【技术手段】本发明的装置包括：含有聚合物的药液所流动的药液流路；对所述药液流路照射激光的激光照射部；接收从所述药液流路供给来的光的受光元件；和检测部，其基于从所述受光元件输出的信号，检测所述药液所含的聚合物中的过半数存在的聚合物的状态异常，或者检测所述药液流路中的含有该聚合物
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公开(公告)号：CN100536076C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200580045356.6
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
Abstract: 为了检测半导体制造装置的异常，准备了从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数选择两个监视对象参数分别作为第一轴和第二轴而成的二轴坐标系。选择例如在成膜装置中实施的过去的成膜处理的累积膜厚和用于控制反应容器内的压力而设置在真空排气线路上的压力调整阀的开度作为监视对象参数。将过去在半导体制造装置正常运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出。在标绘点组的周围设定正常状态和异常状态。将半导体制造装置当前运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出，基于该标绘点和所述边界的位置关系，确定有无异常的发生以及异常的种类。
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公开(公告)号：CN1708833A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102592.8
申请日：2003-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/67253 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的热处理装置配备：保持多个基板的保持器；搬入所述保持器的反应容器；把处理气体供给所述反应容器的处理气体供给机构；和在所述处理气体供给时，对所述反应容器加热，对基板施以成膜处理的加热机构，使在一批量处理中预定处理的基板枚数数据与所述处理气体的流量参数目标值数据对应的流量参数表数据储存在流量参数表数据存储部内。控制机构根据在一批量处理中预定处理的基板实际枚数，基于在所述流量参数表数据存储部内储存的流量参数表数据，得到所述处理气体流量参数目标值数据，并遵从该目标数据，控制所述处理气体供给机构。所述流量参数目标值数据按照如下方式决定：使在预定处理的基板枚数相互各异的批量处理间成膜速度一致。
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公开(公告)号：CN112041968A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980024973.X
申请日：2019-04-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 【技术问题】在对被处理体供给药液来进行处理时，防止在处理中产生异常，或者检测药液流路中的含有聚合物的药液相对于其他药液是否为希望的比例。【技术手段】本发明的装置包括：含有聚合物的药液所流动的药液流路；对所述药液流路照射激光的激光照射部；接收从所述药液流路供给来的光的受光元件；和检测部，其基于从所述受光元件输出的信号，检测所述药液所含的聚合物中的过半数存在的聚合物的状态异常，或者检测所述药液流路中的含有该聚合物的药液与其他药液的比例。
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公开(公告)号：CN101095214A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200580045356.6
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
Abstract: 为了检测半导体制造装置的异常，准备了从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数选择两个监视对象参数分别作为第一轴和第二轴而成的二轴坐标系。选择例如在成膜装置中实施的过去的成膜处理的累积膜厚和用于控制反应容器内的压力而设置在真空排气线路上的压力调整阀的开度作为监视对象参数。将过去在半导体制造装置正常运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出。在标绘点组的周围设定正常状态和异常状态。将半导体制造装置当前运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出，基于该标绘点和所述边界的位置关系，确定有无异常的发生以及异常的种类。
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