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公开(公告)号：CN113257700A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110479251.2
申请日：2021-04-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种氯化氢高温蚀刻设备校准方法，属于设备校准领域，具体包括提供第一硅片与第二硅片；将第一硅片放入已校准设备进行氯化氢高温蚀刻，得到第一待测硅片；将第二硅片放入待校准设备进行与第一硅片工艺相同的氯化氢高温蚀刻，得到第二待测硅片；比较第一待测硅片的第一校验参数和第二待测硅片的第二校验参数，判断是否满足预设条件，当判定不满足预设条件，则调校待校准设备，当判定满足预设条件时，判定待校准设备的工艺能力已校准至已校准设备的工艺能力同一水平。通过本申请的处理方案，对生产同批次硅片的设备进行校准，使得生产的硅片缺陷表征准确性和一致性高。
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公开(公告)号：CN113035767A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110184460.4
申请日：2021-02-10
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种外延基座，包括边缘侧墙和片坑，所述边缘侧墙位于所述片坑的外围，所述片坑用于盛放硅片，所述片坑沿径向由外至内依次包括：支撑台，用于支撑硅片；外围区域，所述外围区域上表面不高于所述支撑台上表面；以及中心区域，所述中心区域上表面不高于所述外围区域上表面；其中，所述中心区域的曲率半径小于所述外围区域的曲率半径。根据本发明提供的外延基座，采用分段曲率设计，使中心区域的曲率半径小于所述外围区域的曲率半径，避免了硅片在载入/取出过程中撞击产生的应力和缺陷，提高了产品良率。
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公开(公告)号：CN112378546A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011075003.3
申请日：2020-10-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01K13/00
Abstract: 本发明公开了一种检测高温腔体温度的方法，在高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；对所述硅片进行抛光和清洗；在所述高温腔体内对抛光和清洗后的硅片再次进行指定温度的高温处理，得到高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；计算前后两次高温处理中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到所述高温腔体的实际温度差值。本发明提高了高温腔体温度检测的效率与准确率，减少了硅片厚度、电阻率的波动；提高了硅片利用率，减少了成本。
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公开(公告)号：CN112002639A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010706607.7
申请日：2020-07-21
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/683 , H01L29/04
Abstract: 本发明提供一种外延晶圆的制造方法和外延晶圆。所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底晶圆，对所述衬底晶圆进行外延工艺以在所述衬底晶圆表面形成外延层；步骤S2：对所述衬底晶圆进行热处理，以消除所述外延层的雾状图案。根据本发明的外延晶圆制造方法和外延晶圆，在外延工艺之后对衬底晶圆进行热处理，促进晶圆表层原子朝向最小能量取向位置排列，使晶圆表面的外延层中原子排列堆积一致，从而消除了晶圆表面的雾状图案。
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公开(公告)号：CN107604437A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201610543465.0
申请日：2016-07-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种在石英坩埚中制备硅熔融体的方法，所述方法包括：将钡掺杂的硅片与多晶硅原料放入石英坩埚中进行熔合形成熔融体，在熔融的过程中，所述钡作为促进剂使得所述石英坩埚与熔融体接触的界面形成不透明的二氧化硅层，以降低熔融体以及后续生长的硅晶锭中的杂质浓度。本发明采用多晶硅与钡掺杂的硅晶片熔化而形成熔融物质混合，能在与熔融体接触的石英坩埚的底部及侧壁上形成不透明的二氧化硅层。在晶体生长过程中，形成于坩埚内表面上不透明的二氧化硅层可以降低熔融体以及已经生长的晶体杂质水平。另外，本发明通过离子注的方式入对硅片进行钡掺杂，可以简便且精确地控制钡离子的掺杂量，大大的拓展了本发明的实用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115458446A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211250724.2
申请日：2022-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种用于外延设备的支撑组件及外延设备，所述支撑组件包括：基座，所述基座用于承载晶圆；支撑件，所述支撑件包括支撑轴和多个连接杆，所述连接杆的第一端连接于所述基座远离所述晶圆的一侧，所述连接杆的第二端连接于所述支撑轴；石英挡板，设置于所述支撑轴和/或所述连接杆上，用于改变所述基座的温度分布。根据本申请的用于外延设备的支撑组件及外延设备，能够改变基座的温度分布，提升外延层的厚度均匀性和电阻率均匀性。
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公开(公告)号：CN114999949A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210368791.8
申请日：2022-04-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种电阻率测试的标准片的制备方法、标准片及校准方法，所述制备方法包括：提供一硅衬底，硅衬底具有第一导电类型；形成反型外延层，反型外延层具有第二导电类型；形成目标外延层，目标外延层具有第一导电类型；利用四探针法对目标外延层执行电阻率测试，并以测试结果作为标准片的标准电阻率值。本发明中，通过在硅衬底上先后形成反型外延层及目标外延层，利用反型外延层在硅衬底和目标外延层之间形成电性隔离，并使目标外延层的电阻率大于50欧姆每厘米，再采用四探针法获取目标外延层的电阻率以作为标准片的电阻率，从而实现以较低成本且便捷的方法制备具有较高电阻率的标准片。
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公开(公告)号：CN110592665A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910734324.0
申请日：2019-08-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体薄膜平坦度改善的方法，所述方法包括:提供晶圆；执行气相沉积，以在所述晶圆的表面形成外延层；其中，在所述气相沉积过程中加入抑制所述外延层的生长的气体，以调节位于所述晶圆的边缘区域的所述外延层的厚度，提高所述外延层的平坦度。根据本发明提供的半导体薄膜平坦度改善的方法，通过在执行气相沉积时通入抑制所述外延层生长的气体，以调节位于所述晶圆的边缘区域的所述外延层的厚度，抑制了边缘外延层的生长，改善了边缘处的形貌，减少了SFQR值，改善了外延层的平坦度。
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公开(公告)号：CN110578166A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910979234.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延生长设备和一种外延生长方法。所述外延生长设备的腔体上设置有第一进气口和第二进气口，第一进气口允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入腔体，第二进气口允许用于阻止外延层的沉积的刻蚀气体进入腔体，当晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时，在外延过程中，随着晶片的旋转，第二进气口在较快区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率大于在较慢区旋转经过时提供的刻蚀气体的进气速率，从而刻蚀气体对于较快区的外延层的去除效率更大，可以对较快区和较慢区的外延生长进行调节，有助于提高外延层的厚度均一性，降低局部平直度，提高外延晶片的质量。
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公开(公告)号：CN110189991A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910363973.4
申请日：2019-04-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , C30B25/02
Abstract: 本发明提供一种外延片的制造方法，所述制造方法包括：提供外延衬底；测试所述外延衬底的平坦度；对平坦度不符合标准的所述外延衬底执行气相刻蚀处理，以改善所述外延衬底的平坦度；在经过所述气相刻蚀处理后的所述外延衬底上生长外延层。本发明提供的外延片的制造方法通过气相刻蚀调整外延衬底的平坦度，相比传统的返工抛光方法而言，流程简单快速，可以节省产线产能。
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