公开(公告)号：CN111211060B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201911112072.4

申请日：2019-11-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村田大辅 ,  吉田博 ,  石桥秀俊

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/043 ,  H01L23/14 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法，其目的在于得到能够高效地散热的半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具备：绝缘基板，其具有有机绝缘层以及设置于该有机绝缘层之上的电路图案；以及半导体芯片，其设置于该电路图案的上表面，该电路图案的厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm。本发明涉及的半导体装置的制造方法在有机绝缘层之上形成厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm的金属层，通过机械加工将该金属层进行图案化而形成电路图案，在该电路图案的上表面设置半导体芯片。

公开(公告)号：CN110235243B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201780084722.1

申请日：2017-01-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 境纪和 ,  吉田博 ,  石桥秀俊 ,  浅地伸洋

IPC: H01L25/07 ,  H05K3/34 ,  B23K1/00 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18

Abstract: 向铜基座板(3)配置金属掩模(51)。在金属掩模(51)的多个开口部(53)填充焊膏(15)，由此，在铜基座板(3)的铜板(5b、5c、5d)的每一者形成焊膏(15)的图案。在焊膏(15)的图案载置半导体元件(9、11)以及导电部件(13)。向铜基座板(3)配置金属掩模(55)。接下来，在金属掩模(55)的多个开口部(57)填充焊膏(17)，由此，形成覆盖半导体元件(9、11)以及导电部件(13)这两者的焊膏(17)的图案。以与对应的焊膏(17)的图案接触的方式配置大容量中继基板(21)。通过在大于或等于200℃的温度条件下进行热处理，功率半导体装置(1)完成。

公开(公告)号：CN111446230B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202010027903.4

申请日：2020-01-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北林拓也 ,  吉田博 ,  石桥秀俊 ,  村田大辅

IPC: H01L23/62

Abstract: 提供用于在半导体装置中以较短时间发挥熔断器功能的技术。半导体装置具有：绝缘基板(2)的上表面处的第2接合材料(6c)；半导体元件(1)的上表面处的第3接合材料(6b)；通孔(100)，其从第1电路图案(3b)起经由芯材(3c)而到达至第2电路图案(3a)；通孔的内壁处的导电性膜(4)；以及隔热材料(5)，其在通孔的内部，在俯视观察时被导电性膜包围，导电性膜使第1电路图案与第2电路图案导通。

公开(公告)号：CN108292642B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201680067437.4

申请日：2016-11-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浅地伸洋 ,  须藤进吾 ,  藤野纯司 ,  吉田博

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 在通过焊料来将电力用半导体元件(2、3)的电极与印刷基板(50)的导体层进行了接合的电力用半导体装置(100)中，还具备与导体层形成为一体的接合部(54)，该接合部具有梳齿形状的切口(60)，且以不位于电力用半导体元件的中心点(21)的方式配置。

公开(公告)号：CN112652543A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011518263.3

申请日：2015-10-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上田哲也 ,  吉田博 ,  冈诚次 ,  坂本健

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/50 ,  H01L25/065 ,  B29C45/14 ,  B29L31/34

Abstract: 目的在于提供能够削减部件个数，并且抑制成本的技术。准备具备半导体元件(13)、多个电极端子(32)和将多个电极端子(32)连接的堤坝杆(33)的构造体，向端子孔(42c)配置构造体的包含多个电极端子(32)的一部分和堤坝杆(33)在内的部分(36)。然后，在端子孔(42c)内，通过可动夹具(71)对构造体的部分(36)进行夹持，并且，将可动夹具(71)的至少一部分嵌合于端子孔(42c)，然后向一对模具的内部空间注入树脂(73)。

公开(公告)号：CN111211060A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201911112072.4

申请日：2019-11-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村田大辅 ,  吉田博 ,  石桥秀俊

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/043 ,  H01L23/14 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法，其目的在于得到能够高效地散热的半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具备：绝缘基板，其具有有机绝缘层以及设置于该有机绝缘层之上的电路图案；以及半导体芯片，其设置于该电路图案的上表面，该电路图案的厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm。本发明涉及的半导体装置的制造方法在有机绝缘层之上形成厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm的金属层，通过机械加工将该金属层进行图案化而形成电路图案，在该电路图案的上表面设置半导体芯片。

公开(公告)号：CN110880488A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910815062.0

申请日：2019-08-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥秀俊 ,  吉田博 ,  村田大辅 ,  北林拓也

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明涉及半导体装置及电力转换装置，目的在于得到能够容易地制造的半导体装置及电力转换装置。该半导体装置具备：多个半导体芯片；中继基板，其设置于多个半导体芯片之上；第1外部电极；以及第2外部电极，中继基板具备：绝缘板，其形成有贯穿孔；下部导体，其设置于绝缘板的下表面，具有与多个半导体芯片的任意者连接的第1下部导体及第2下部导体；上部导体，其设置于绝缘板的上表面；连接部，其设置于贯穿孔，连接第2下部导体和上部导体；以及凸出部，其为第1下部导体及上部导体中的一者的一部分，从绝缘板向外侧凸出，凸出部与第1外部电极连接，第1下部导体及上部导体中的另一者与第2外部电极连接，俯视观察时容纳于绝缘板的内侧。

公开(公告)号：CN105405815B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510575213.1

申请日：2015-09-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大坪义贵 ,  吉田博 ,  藤野纯司 ,  菊池正雄 ,  村井淳一

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/29 ,  H01L21/486 ,  H01L21/52 ,  H01L21/54 ,  H01L23/053 ,  H01L23/13 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/32 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明得到一种半导体装置，其能够实现稳定的绝缘基板的凸形状的翘曲，并且能够确保冷却部件和绝缘基板之间的密接性，具有较高的可靠性。半导体装置具有：绝缘基板(1)；半导体元件(3)，其配置在绝缘基板(1)的第1面上；壳体(51)，其以将半导体元件收容于内侧的方式，与绝缘基板(1)连接；以及树脂(6)，其填充在壳体(51)的内侧，在将绝缘基板(1)的厚度设为t1、将树脂(6)的厚度设为t2、将绝缘基板(1)的线膨胀系数设为α1、将树脂的线膨胀系数设为α2的情况下，满足t2≥t1、以及α2≥α1的关系式，绝缘基板(1)以与第1面相反侧的第2面为凸形状的方式翘曲。

公开(公告)号：CN107546180A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710490908.9

申请日：2017-06-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈诚次 ,  吉田博 ,  石桥秀俊 ,  井本裕儿 ,  村田大辅 ,  中原贤太

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/10

Abstract: 目的是提供可防止由于将外部电极焊接于半导体芯片而产生的问题并减小电流路径的电阻的半导体装置。具备：固定于基板的多个半导体芯片；形成有贯通孔的绝缘板；第1下部导体，其是1个导体，具有形成在该绝缘板下表面的与该多个半导体芯片的任意者电连接的下部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的下部凸出部；第2下部导体，其形成在该绝缘板下表面，与该多个半导体芯片的任意者电连接；上部导体，其是1个导体，具有在该绝缘板上表面形成的上部主体、俯视观察时延伸至该绝缘板外的上部凸出部；连接部，其设置于该贯通孔，连接该上部主体和该第2下部导体；以及树脂，其覆盖该半导体芯片和该绝缘板，该下部凸出部和该上部凸出部延伸至该树脂之外。

公开(公告)号：CN105405815A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510575213.1

申请日：2015-09-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大坪义贵 ,  吉田博 ,  藤野纯司 ,  菊池正雄 ,  村井淳一

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/29 ,  H01L21/486 ,  H01L21/52 ,  H01L21/54 ,  H01L23/053 ,  H01L23/13 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/32 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明得到一种半导体装置，其能够实现稳定的绝缘基板的凸形状的翘曲，并且能够确保冷却部件和绝缘基板之间的密接性，具有较高的可靠性。半导体装置具有：绝缘基板(1)；半导体元件(3)，其配置在绝缘基板(1)的第1面上；壳体(51)，其以将半导体元件收容于内侧的方式，与绝缘基板(1)连接；以及树脂(6)，其填充在壳体(51)的内侧，在将绝缘基板(1)的厚度设为t1、将树脂(6)的厚度设为t2、将绝缘基板(1)的线膨胀系数设为α1、将树脂的线膨胀系数设为α2的情况下，满足t2≥t1、以及α2≥α1的关系式，绝缘基板(1)以与第1面相反侧的第2面为凸形状的方式翘曲。