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公开(公告)号：CN101286465A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810100340.6
申请日：2008-04-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在步骤(S101)中，利用溅射法形成TiW膜，以覆盖在半导体元件的表面上形成的表面保护膜及焊盘电极。接着，在TiW膜上形成Au膜。在步骤(S103)中，使用Au膜作为电镀用电极，在Au膜上形成Au凸起。在步骤(S105)中，去除不需要的Au膜，在步骤(S106)中，去除不需要的TiW膜。在步骤(S107)中，去除残留在去除了需要TiW膜的区域的碘。
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公开(公告)号：CN1535331A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN02814891.6
申请日：2002-07-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C25D17/00
CPC classification number: H01L24/11 , C25D17/02 , H01L21/2885 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2224/0401
Abstract: 在电镀处理装置中，用在使上述除去剂进行作用的情况下按相同的条件测定时表面粗糙度变化率比树脂低的材料形成与电镀液接触的部分的至少一部分。例如，用硬质玻璃或石英玻璃形成存储槽(1)、电镀处理槽(2)、缓冲槽(3)及管道(9)。能抑制电镀处理时在电镀处理槽的壁面等上面产生的作为异物的电镀物质的析出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105097909A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510218776.5
申请日：2015-04-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/747
Abstract: 本发明提供一种能够应用于高电流容量的SSR的双向光敏晶闸管芯片。该双向光敏晶闸管芯片(40)在一个半导体芯片的表面搭载有多个单元(42)，各单元(42)包括彼此分离形成的第一光敏晶闸管部(42a)和第二光敏晶闸管部(42b)，各光敏晶闸管部(42a、42b)具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向上延伸并且具有N型和P型中的一种导电型的阳极扩散区域(43)；具有N型和P型中的另一种导电型的衬底(41)；与阳极扩散区域(43)相对的具有上述一种导电型的控制极扩散区域(44)；在该控制极扩散区域(44)内与阳极扩散区域(43)相对形成并且具有上述另一种导电型的阴极扩散区域(45)。
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公开(公告)号：CN104952889A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510130205.6
申请日：2015-03-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/144 , H01L31/111
Abstract: 本发明提供具有横向结构的PNPN元件并且能够实现高电流化的双向光控晶闸管芯片、触发型耦合器和固态继电器。双向光控晶闸管芯片中，1个半导体芯片的表面上的第一光控晶闸管部(42a)和第二光控晶闸管部(42b)具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向延伸的阳极扩散区域(43)；衬底；控制极扩散区域(44)；和在控制极扩散区域(44)内形成的阴极扩散区域(45)，阳极扩散区域(43)和控制极扩散区域(44)的相互相对的两个侧边、以及阴极扩散区域(45)的与阳极扩散区域(43)相对的侧边(45a)中的至少任一个侧边的平面形状，形成为使从阳极扩散区域(43)向控制极扩散区域(44)和阴极扩散区域(45)供给的电流向一个方向的中央部的集中缓和的形状。
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公开(公告)号：CN101800180B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910260610.4
申请日：2009-12-17
Applicant: 夏普株式会社 , 日本电镀工程师株式会社
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供以低成本简化了的突起电极的形成方法、及其中使用的置换镀金液。本发明涉及的凸块(2)的形成方法包含将电极(12)上形成的导电性的芯(21)的表面使用含有亚硫酸钾和聚乙烯亚胺或其衍生物的置换镀金液被覆的被覆工序，在一次的被覆工序中，在芯(21)的表面形成厚度0.1μm以上0.5μm以下的金膜(22)。由此，为了形成用于形成凸块(2)所需充分膜厚的金膜(22)，无需反复进行被覆处理。结果，可简化制造工序，降低成本。
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公开(公告)号：CN101800180A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910260610.4
申请日：2009-12-17
Applicant: 夏普株式会社 , 日本电镀工程师株式会社
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供以低成本简化了的突起电极的形成方法、及其中使用的置换镀金液。本发明涉及的凸块(2)的形成方法包含将电极(12)上形成的导电性的芯(21)的表面使用含有亚硫酸钾和聚乙烯亚胺或其衍生物的置换镀金液被覆的被覆工序，在一次的被覆工序中，在芯(21)的表面形成厚度0.1μm以上0.5μm以下的金膜(22)。由此，为了形成用于形成凸块(2)所需充分膜厚的金膜(22)，无需反复进行被覆处理。结果，可简化制造工序，降低成本。
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公开(公告)号：CN1292099C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN02814891.6
申请日：2002-07-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C25D17/00
CPC classification number: H01L24/11 , C25D17/02 , H01L21/2885 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2224/0401
Abstract: 在电镀处理装置中，用在使上述除去剂进行作用的情况下按相同的条件测定时表面粗糙度变化率比树脂低的材料形成与电镀液接触的部分的至少一部分。例如，用硬质玻璃或石英玻璃形成存储槽(1)、电镀处理槽(2)、缓冲槽(3)及管道(9)。能抑制电镀处理时在电镀处理槽的壁面等上面产生的作为异物的电镀物质的析出。
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