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公开(公告)号：CN104952889B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510130205.6
申请日：2015-03-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/144 , H01L31/111
Abstract: 本发明提供具有横向结构的PNPN元件并且能够实现高电流化的双向光控晶闸管芯片、触发型耦合器和固态继电器。双向光控晶闸管芯片中，1个半导体芯片的表面上的第一光控晶闸管部(42a)和第二光控晶闸管部(42b)具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向延伸的阳极扩散区域(43)；衬底；控制极扩散区域(44)；和在控制极扩散区域(44)内形成的阴极扩散区域(45)，阳极扩散区域(43)和控制极扩散区域(44)的相互相对的两个侧边、以及阴极扩散区域(45)的与阳极扩散区域(43)相对的侧边(45a)中的至少任一个侧边的平面形状，形成为使从阳极扩散区域(43)向控制极扩散区域(44)和阴极扩散区域(45)供给的电流向一个方向的中央部的集中缓和的形状。
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公开(公告)号：CN105097909B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510218776.5
申请日：2015-04-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/747
Abstract: 本发明提供一种能够应用于高电流容量的SSR的双向光敏晶闸管芯片。该双向光敏晶闸管芯片(40)在一个半导体芯片的表面搭载有多个单元(42)，各单元(42)包括彼此分离形成的第一光敏晶闸管部(42a)和第二光敏晶闸管部(42b)，各光敏晶闸管部(42a、42b)具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向上延伸并且具有N型和P型中的一种导电型的阳极扩散区域(43)；具有N型和P型中的另一种导电型的衬底(41)；与阳极扩散区域(43)相对的具有上述一种导电型的控制极扩散区域(44)；在该控制极扩散区域(44)内与阳极扩散区域(43)相对形成并且具有上述另一种导电型的阴极扩散区域(45)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106887416A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611165862.5
申请日：2016-12-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种能够防止引线接合时的透明膜的耐湿性降低的半导体芯片。该半导体器件(100、200、300)包括：半导体部(10)；设置在半导体部(10)上的电极部(30)；设置在半导体部(10)上，具有第一贯通孔(41)的透明保护膜(40)；和设置在透明保护膜(40)上，具有第二贯通孔(51)的不透明保护膜(50)，第一贯通孔(41)设置成贯通透明保护膜(40)的上表面和下表面，第二贯通孔(51)设置成贯通不透明保护膜(50)的上表面和下表面，且第二贯通孔(51)开口边缘在俯视时位于第一贯通孔(41)开口边缘的内侧，电极部(30)设置成其至少一部分从第二贯通孔(51)露出。
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公开(公告)号：CN105405876A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510484213.0
申请日：2015-08-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/747
CPC classification number: H01L29/747
Abstract: 本发明提供能够实现品质稳定化和芯片缩小的光耦合双向可控硅元件，其具有在半导体衬底(11)的表面相互分离地形成有第一、第二光敏晶闸管部(12a、12b)的1个半导体芯片，各光敏晶闸管部具有PNPN部，还具有与阳极扩散区域(13)和阴极扩散区域(15)电连接且与控制极扩散区域(14)绝缘的1个接合焊盘，第一、第二光敏晶闸管部(12a、12b)的PNPN部相对于半导体芯片的中心大致点对称地配置，或者相对于通过中心且与一边平行的线段大致线对称地配置，第一光敏晶闸管部(12a)的接合焊盘(18a)和第二光敏晶闸管部(12b)的接合焊盘(18b)相互分离地配置在上述线段的延伸方向一端侧和另一端侧。
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公开(公告)号：CN105097909A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510218776.5
申请日：2015-04-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/747
Abstract: 本发明提供一种能够应用于高电流容量的SSR的双向光敏晶闸管芯片。该双向光敏晶闸管芯片(40)在一个半导体芯片的表面搭载有多个单元(42)，各单元(42)包括彼此分离形成的第一光敏晶闸管部(42a)和第二光敏晶闸管部(42b)，各光敏晶闸管部(42a、42b)具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向上延伸并且具有N型和P型中的一种导电型的阳极扩散区域(43)；具有N型和P型中的另一种导电型的衬底(41)；与阳极扩散区域(43)相对的具有上述一种导电型的控制极扩散区域(44)；在该控制极扩散区域(44)内与阳极扩散区域(43)相对形成并且具有上述另一种导电型的阴极扩散区域(45)。
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公开(公告)号：CN104952889A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510130205.6
申请日：2015-03-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/144 , H01L31/111
Abstract: 本发明提供具有横向结构的PNPN元件并且能够实现高电流化的双向光控晶闸管芯片、触发型耦合器和固态继电器。双向光控晶闸管芯片中，1个半导体芯片的表面上的第一光控晶闸管部(42a)和第二光控晶闸管部(42b)具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向延伸的阳极扩散区域(43)；衬底；控制极扩散区域(44)；和在控制极扩散区域(44)内形成的阴极扩散区域(45)，阳极扩散区域(43)和控制极扩散区域(44)的相互相对的两个侧边、以及阴极扩散区域(45)的与阳极扩散区域(43)相对的侧边(45a)中的至少任一个侧边的平面形状，形成为使从阳极扩散区域(43)向控制极扩散区域(44)和阴极扩散区域(45)供给的电流向一个方向的中央部的集中缓和的形状。
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公开(公告)号：CN105405876B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510484213.0
申请日：2015-08-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/747
Abstract: 本发明提供能够实现品质稳定化和芯片缩小的光耦合双向可控硅元件，其具有在半导体衬底(11)的表面相互分离地形成有第一、第二光敏晶闸管部(12a、12b)的1个半导体芯片，各光敏晶闸管部具有PNPN部，还具有与阳极扩散区域(13)和阴极扩散区域(15)电连接且与控制极扩散区域(14)绝缘的1个接合焊盘，第一、第二光敏晶闸管部(12a、12b)的PNPN部相对于半导体芯片的中心大致点对称地配置，或者相对于通过中心且与一边平行的线段大致线对称地配置，第一光敏晶闸管部(12a)的接合焊盘(18a)和第二光敏晶闸管部(12b)的接合焊盘(18b)相互分离地配置在上述线段的延伸方向一端侧和另一端侧。
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