公开(公告)号：CN1300846C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200310114993.7

申请日：2003-11-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 赤川正文 ,  堀尾正弘

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备形成多条配线的导体层和在与导体层的多条配线重叠的区域中被形成的焊片。配线的一部分与焊接合，另一方面，在配线的其它部分和焊片之间形成绝缘性的保护膜。至少与焊片重叠的区域内的上述配线上的保护膜与相邻的配线上的保护膜架桥。这样，由于配线上的保护膜变成桥接形状，因此，在保护膜的下部难以产生裂缝。另外，由于在架桥的部分的下面被形成的空孔部分作为空气弹簧而起作用，因此能防止损伤在保护膜的下面所形成的配线等构成要素。另外，由于不需要作为冲击缓冲材料的聚酰亚胺膜，因此能防止作业效率的下降和芯片成本的上升。

公开(公告)号：CN101286465A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810100340.6

申请日：2008-04-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 二江则充 ,  堀尾正弘 ,  泽井敬一 ,  渡边裕二 ,  小山康弘 ,  川上克二

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在步骤(S101)中，利用溅射法形成TiW膜，以覆盖在半导体元件的表面上形成的表面保护膜及焊盘电极。接着，在TiW膜上形成Au膜。在步骤(S103)中，使用Au膜作为电镀用电极，在Au膜上形成Au凸起。在步骤(S105)中，去除不需要的Au膜，在步骤(S106)中，去除不需要的TiW膜。在步骤(S107)中，去除残留在去除了需要TiW膜的区域的碘。

公开(公告)号：CN1501487A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114993.7

申请日：2003-11-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 赤川正文 ,  堀尾正弘

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备形成多条配线的导体层和在与导体层的多条配线重叠的区域中被形成的焊片。配线的一部分与焊接合，另一方面，在配线的其它部分和焊片之间形成绝缘性的保护膜。至少与焊片重叠的区域内的上述配线上的保护膜与相邻的配线上的保护膜架桥。这样，由于配线上的保护膜变成桥接形状，因此，在保护膜的下部难以产生裂缝。另外，由于在架桥的部分的下面被形成的空孔部分作为空气弹簧而起作用，因此能防止损伤在保护膜的下面所形成的配线等构成要素。另外，由于不需要作为冲击缓冲材料的聚酰亚胺膜，因此能防止作业效率的下降和芯片成本的上升。