公开(公告)号：CN101286465A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810100340.6

申请日：2008-04-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 二江则充 ,  堀尾正弘 ,  泽井敬一 ,  渡边裕二 ,  小山康弘 ,  川上克二

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在步骤(S101)中，利用溅射法形成TiW膜，以覆盖在半导体元件的表面上形成的表面保护膜及焊盘电极。接着，在TiW膜上形成Au膜。在步骤(S103)中，使用Au膜作为电镀用电极，在Au膜上形成Au凸起。在步骤(S105)中，去除不需要的Au膜，在步骤(S106)中，去除不需要的TiW膜。在步骤(S107)中，去除残留在去除了需要TiW膜的区域的碘。