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公开(公告)号：CN102918664B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201180026204.7
申请日：2011-06-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L33/38 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/13099 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/1703 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是将正电极（6）的上面位于比负电极（5）的上面高的位置的LED芯片（1）组装到陶瓷基板（9）的组装方法，具有：在负电极（5）和正电极（6）上层积保护层（16），在保护层（16）上形成开口部（16a，16b）的开口部形成步骤；在开口部（16a，16b）内分别形成突起（11，12）的突起形成步骤；去除保护层（16）的保护层去除步骤；以及将突起（11，12）接合到陶瓷基板（9）上的接合步骤，而且，开口部（16a）的截面积比开口部（16b）的截面积大。
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公开(公告)号：CN1292099C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN02814891.6
申请日：2002-07-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C25D17/00
CPC classification number: H01L24/11 , C25D17/02 , H01L21/2885 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2224/0401
Abstract: 在电镀处理装置中，用在使上述除去剂进行作用的情况下按相同的条件测定时表面粗糙度变化率比树脂低的材料形成与电镀液接触的部分的至少一部分。例如，用硬质玻璃或石英玻璃形成存储槽(1)、电镀处理槽(2)、缓冲槽(3)及管道(9)。能抑制电镀处理时在电镀处理槽的壁面等上面产生的作为异物的电镀物质的析出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102918664A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026204.7
申请日：2011-06-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L33/38 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/13099 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/1703 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是将正电极（6）的上面位于比负电极（5）的上面高的位置的LED芯片（1）组装到陶瓷基板（9）的组装方法，具有：在负电极（5）和正电极（6）上层积保护层（16），在保护层（16）上形成开口部（16a，16b）的开口部形成步骤；在开口部（16a，16b）内分别形成突起（11，12）的突起形成步骤；去除保护层（16）的保护层去除步骤；以及将突起（11，12）接合到陶瓷基板（9）上的接合步骤，而且，开口部（16a）的截面积比开口部（16b）的截面积大。
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公开(公告)号：CN102856458B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210088419.8
申请日：2012-03-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供光半导体元件以及光半导体元件的制造方法。光半导体元件(10)包括：第1半导体层(12)，由第1导电型的半导体组成；第2半导体层(13)，由第2导电型的半导体组成，并且在第1半导体层的上面的一部分上形成；第1电极(14a)，在第1半导体层的上面中的另一部分上形成；第2电极(14b)，在第2半导体层的上面形成，并且具有位于比第1电极的上面还要高的位置的上面；第1连接电极(52)，在第1电极的上面形成；第2连接电极(51)，在第2电极的上面形成；以及保护膜(15)，是覆盖第1半导体层的表面和第2半导体层的表面的绝缘性的保护膜，并且具有使第1半导体层的表面的一部分露出的开口部(21)。
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公开(公告)号：CN102856458A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210088419.8
申请日：2012-03-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供光半导体元件以及光半导体元件的制造方法。光半导体元件(10)包括：第1半导体层(12)，由第1导电型的半导体组成；第2半导体层(13)，由第2导电型的半导体组成，并且在第1半导体层的上面的一部分上形成；第1电极(14a)，在第1半导体层的上面中的另一部分上形成；第2电极(14b)，在第2半导体层的上面形成，并且具有位于比第1电极的上面还要高的位置的上面；第1连接电极(52)，在第1电极的上面形成；第2连接电极(51)，在第2电极的上面形成；以及保护膜(15)，是覆盖第1半导体层的表面和第2半导体层的表面的绝缘性的保护膜，并且具有使第1半导体层的表面的一部分露出的开口部(21)。
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公开(公告)号：CN101286465A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810100340.6
申请日：2008-04-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在步骤(S101)中，利用溅射法形成TiW膜，以覆盖在半导体元件的表面上形成的表面保护膜及焊盘电极。接着，在TiW膜上形成Au膜。在步骤(S103)中，使用Au膜作为电镀用电极，在Au膜上形成Au凸起。在步骤(S105)中，去除不需要的Au膜，在步骤(S106)中，去除不需要的TiW膜。在步骤(S107)中，去除残留在去除了需要TiW膜的区域的碘。
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公开(公告)号：CN1535331A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN02814891.6
申请日：2002-07-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C25D17/00
CPC classification number: H01L24/11 , C25D17/02 , H01L21/2885 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2224/0401
Abstract: 在电镀处理装置中，用在使上述除去剂进行作用的情况下按相同的条件测定时表面粗糙度变化率比树脂低的材料形成与电镀液接触的部分的至少一部分。例如，用硬质玻璃或石英玻璃形成存储槽(1)、电镀处理槽(2)、缓冲槽(3)及管道(9)。能抑制电镀处理时在电镀处理槽的壁面等上面产生的作为异物的电镀物质的析出。
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