-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102918664B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201180026204.7
申请日：2011-06-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L33/38 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/13099 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/1703 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是将正电极（6）的上面位于比负电极（5）的上面高的位置的LED芯片（1）组装到陶瓷基板（9）的组装方法，具有：在负电极（5）和正电极（6）上层积保护层（16），在保护层（16）上形成开口部（16a，16b）的开口部形成步骤；在开口部（16a，16b）内分别形成突起（11，12）的突起形成步骤；去除保护层（16）的保护层去除步骤；以及将突起（11，12）接合到陶瓷基板（9）上的接合步骤，而且，开口部（16a）的截面积比开口部（16b）的截面积大。
-
公开(公告)号：CN102918664A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026204.7
申请日：2011-06-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L33/38 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/13099 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/1703 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是将正电极（6）的上面位于比负电极（5）的上面高的位置的LED芯片（1）组装到陶瓷基板（9）的组装方法，具有：在负电极（5）和正电极（6）上层积保护层（16），在保护层（16）上形成开口部（16a，16b）的开口部形成步骤；在开口部（16a，16b）内分别形成突起（11，12）的突起形成步骤；去除保护层（16）的保护层去除步骤；以及将突起（11，12）接合到陶瓷基板（9）上的接合步骤，而且，开口部（16a）的截面积比开口部（16b）的截面积大。
-
公开(公告)号：CN103103507A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210450572.0
申请日：2012-11-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C23C18/31
Abstract: 本发明提供液量控制方法和液量控制装置、半导体集成电路的制造方法、控制程序、可读存储介质。其中，抑制水分从镀液蒸发带来的镀液的浓度和各种成分的状态变化，实现镀覆率和镀覆膜厚的稳定化。该装置具有如下：控制处于镀覆处理槽(2)内的处理液的液面上方的气体中的镀覆处理液的蒸气压的、作为蒸气压控制机构的超声波式加湿机(9)；按照使镀覆处理液的液面位置位于规定位置的方式控制作为蒸气压控制机构的超声波式加湿机(9)，且调节处理液量的电装控制单元(11)。
-
公开(公告)号：CN103134456B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210470818.0
申请日：2012-11-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明提供一种膜厚测量方法及膜厚测量装置、半导体集成电路的制造方法、控制程序、可读存储介质。具有：针对由被上下层叠在绝缘膜(1)上的导电层(2、3)(层叠膜、例如Ni层以及其上的Au层)构成的半导体基板的电极，在利用触针测量高低差的情况、或者使用激光等情况下，利用公知方法测量导电层(2、3)的厚度(电极高度)的步骤；和利用四探针法测量电极的表面电阻的步骤，根据由两个步骤获得到的层叠膜的膜厚(电极高度)和表面电阻值，利用计算式算出由上下层叠的导电层(2、3)构成的电极的上部覆膜、即导电层(3)的膜厚。从而，能够以廉价的装置高速地测量电子元件的电极的导电性层叠膜的膜厚。
-
公开(公告)号：CN103134456A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210470818.0
申请日：2012-11-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明提供一种膜厚测量方法及膜厚测量装置、半导体集成电路的制造方法、控制程序、可读存储介质。具有：针对由被上下层叠在绝缘膜(1)上的导电层(2、3)(层叠膜、例如Ni层以及其上的Au层)构成的半导体基板的电极，在利用触针测量高低差的情况、或者使用激光等情况下，利用公知方法测量导电层(2、3)的厚度(电极高度)的步骤；和利用四探针法测量电极的表面电阻的步骤，根据由两个步骤获得到的层叠膜的膜厚(电极高度)和表面电阻值，利用计算式算出由上下层叠的导电层(2、3)构成的电极的上部覆膜、即导电层(3)的膜厚。从而，能够以廉价的装置高速地测量电子元件的电极的导电性层叠膜的膜厚。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.015 seconds)
