公开(公告)号：CN110678958A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880034475.9

申请日：2018-03-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 东坂浩由

IPC: H01L21/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L33/48

Abstract: 半导体模块具备：基材(10)；对准标记(M)，其设置于基材(10)的表面；以及多个半导体元件(21a、21b)，其与对准标记(M)并列设置且分别设置在基材(10)的表面，并且相互分离。由此，提供一种能够防止对准标记被剥离而作为异物残留，能够提高可靠性的半导体模块及半导体模块的制造方法。

公开(公告)号：CN110741484A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201880036113.3

申请日：2018-03-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 东坂浩由

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/52 ,  H01L23/28 ,  H01L25/075 ,  F21S2/00 ,  F21V19/00 ,  F21Y115/10

Abstract: 树脂(16)覆盖蓝色LED(15)的侧面及背面，且将蓝色LED(15)保持为水平。电极(14)设于配线基板(11)的表面与蓝色LED(15)的背面之间，贯穿树脂(16)，且将配线基板(11)与蓝色LED(15)电连接。蓝色LED(15)的光出射面(表面)(151)自树脂(16)露出，将光出射面(表面)(151)与树脂(16)的表面(161)配置于同一平面。

公开(公告)号：CN110098214A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910060584.4

申请日：2019-01-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 东坂浩由

IPC: H01L27/15

Abstract: 本发明提供在基板中的像素元件的配置中，通过设定最佳的显示区域，从而提高成品率的显示装置。显示装置(1)由多个像素元件(3)以矩阵状配置在基底基板上。多个像素元件(3)中的位于外周的外侧像素元件(3b)成为非显示区域(R2)，位于内侧的内侧像素元件(3a)成为显示区域(R1)。

公开(公告)号：CN110034033A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811537784.6

申请日：2018-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井川祐太 ,  村越健一 ,  东坂浩由 ,  赤濑成之

IPC: H01L21/66 ,  H01L27/15

Abstract: 用简单的方法来准确地检测半导体元件的电连接单元和与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移。根据半导体元件的电极焊盘2与设备的电极5之间的导通状态，来检测这些电极焊盘2与电极5之间的位置偏移。电极焊盘2被分割为数个，第一焊盘21至第四电极焊盘24均匀排列设置。位置偏移检测部在电极焊盘2与电极5导通时，判断为不存在所述位置偏移，电极焊盘2未与电极5导通时，判断为存在所述位置偏移。

公开(公告)号：CN110400795A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910301237.6

申请日：2019-04-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井川祐太 ,  东坂浩由 ,  小野刚史 ,  泽井敬一

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482

Abstract: 本发明的发光元件模块接合具备电路元件的第一基板的至少两个以上的第一电极与至少两个以上的发光元件。在第一基板从第一基板的厚度方向的发光元件侧依序地层状地形成有第一配线至第n配线(n为2以上的整数)。位于第一基板中最靠近发光元件侧的层的第一配线，在俯视下，形成在第一基板中相邻的第一电极之间中的至少一处的电极间区域。

公开(公告)号：CN110998879A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880051858.7

申请日：2018-07-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大沼宏彰 ,  小野高志 ,  东坂浩由 ,  小野刚史 ,  栗栖崇 ,  幡俊雄

IPC: H01L33/48 ,  B23K26/57 ,  G09F9/30 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明的半导体模块(1)，具备形成有驱动电路(11a)的基底基板(11)以及与驱动电路(11a)电连接的多个发光元件(15)，相互邻接的发光元件(15)间的距离，在俯视中，为20μm以下。

公开(公告)号：CN110233121A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910163642.6

申请日：2019-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口胜次 ,  前川真澄 ,  泽井敬一 ,  东坂浩由 ,  松尾孝信

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/60

Abstract: 接合装置包括：层流生成部；芯片处理部；清洗部，其清洗所述芯片；接合部，其将所述芯片与基板接合；以及搬运机构，其将所述芯片从所述芯片处理部向所述接合部搬运。它们之中的、至少所述接合部及所述清洗部配设于层流生成部所生成的层流中。

公开(公告)号：CN110400795B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201910301237.6

申请日：2019-04-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井川祐太 ,  东坂浩由 ,  小野刚史 ,  泽井敬一

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482

Abstract: 本发明的发光元件模块接合具备电路元件的第一基板的至少两个以上的第一电极与至少两个以上的发光元件。在第一基板从第一基板的厚度方向的发光元件侧依序地层状地形成有第一配线至第n配线(n为2以上的整数)。位于第一基板中最靠近发光元件侧的层的第一配线，在俯视下，形成在第一基板中相邻的第一电极之间中的至少一处的电极间区域。

公开(公告)号：CN110998879B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201880051858.7

申请日：2018-07-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大沼宏彰 ,  小野高志 ,  东坂浩由 ,  小野刚史 ,  栗栖崇 ,  幡俊雄

IPC: H01L33/48 ,  B23K26/57 ,  G09F9/30 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明的半导体模块(1)，具备形成有驱动电路(11a)的基底基板(11)以及与驱动电路(11a)电连接的多个发光元件(15)，相互邻接的发光元件(15)间的距离，在俯视中，为20μm以下。

公开(公告)号：CN110034033B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201811537784.6

申请日：2018-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井川祐太 ,  村越健一 ,  东坂浩由 ,  赤濑成之

IPC: H01L21/66 ,  H01L27/15

Abstract: 用简单的方法来准确地检测半导体元件的电连接单元和与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移。根据半导体元件的电极焊盘2与设备的电极5之间的导通状态，来检测这些电极焊盘2与电极5之间的位置偏移。电极焊盘2被分割为数个，第一焊盘21至第四电极焊盘24均匀排列设置。位置偏移检测部在电极焊盘2与电极5导通时，判断为不存在所述位置偏移，电极焊盘2未与电极5导通时，判断为存在所述位置偏移。